KR970018049A - 보조 패턴 방법을 이용한 미세 패턴 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 패턴 형성 방법에 관한 것으로서, 특히 보조 패턴을 이용한 미세 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
보조 패턴 방법을 이용한 미세 패턴 형성 방법에 있어서, 통상의 방법으로 실리콘기판상에 소자 분리를 위한 필드옥사이드와 게이트 패턴을 형성후 결과물위에 하부 절연물층으로 평탄화한 다음 제1감광막을 도포하고 이어서 상부 절연물층을 형성한 후 제2감광막을 형성하여 MLR(multi layer resist : 다층감광막) 구조를 형성하는 공정; 각각의 감광막을 단계적으로 계단형으로 패턴닝하고 식각하여 보조 턴을 형성하고 최종적으로 실리콘기판까지 엔드 포인트 방법으로 식각하여 좁고 미세한 패턴을 형성함을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 보조 패턴 방법을 이용한 미세 패턴 형성 방법은 부분적 식각 및 MLR 방법을 상요함으로써 게이트(110)를 손상시키지 않고 좁고 깊은 컨택트 홈을 형성할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1D도 내지 제1G도는 본 발명에 따른 보조 패턴 방법을 이용한 미세패턴의 형성을 도시한 단면도이다.
Claims (1)
- 보조패턴을 이용한 미세한 패턴 형성 방법에 있어서, 통상의 방법으로 실리콘기판상에 소자 분리를 위한 필드옥사이드와 게이트 패턴을 형성후 결과물 위에 하부 절연물층으로 평탄화한 다음 제1감광막을 도포하고 이어서 상부 절연물층을 형성한 후 제2감광막을 형성하여 MLR(multi layer resist : 다층감광막) 구조를 형성하는 제1공정; 상기 제2감광막을 통상의 사진공정으로 제2감광막 패턴닝하는 제2공정; 상기 제2감광막 패턴을 마스크로 하여 상부 절연물층을 식각하는 제3공정; 상기 제2감광막을 제거하고 상기 제1감광막을 패터닝하는 제4공정; 상기 제1감광막 패턴을 마스크로하여 하부 절연물층을 소정의 깊이로 컨택트 홀 일부를 형성하기 위하여 식각하여 보조패턴을 형성하는 제5공정; 상기 제1감광막을 베이킹처리 후 게이트 상단부의 상기 컨택트 홀 일부와 제1감광막 일부를 제3감광막으로 도포하는 제6공정; 상기 제3감광막을 통상의 사진공정으로 패터닝하여 제3감광막을 패터닝하는 제7공정 및 상기 제2감광막을 식각 마스크로 하여 상기 게이트 손상 없이 하부절연층을 끝까지 식각하여 좁고 미세한 컨택트홀을 형성하는 제8공정을 포함함을 특징으로 하는 보조패턴을 이용한 미세 패턴 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950031114A KR970018049A (ko) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 보조 패턴 방법을 이용한 미세 패턴 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950031114A KR970018049A (ko) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 보조 패턴 방법을 이용한 미세 패턴 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970018049A true KR970018049A (ko) | 1997-04-30 |
Family
ID=66616230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950031114A KR970018049A (ko) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 보조 패턴 방법을 이용한 미세 패턴 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970018049A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030022731A (ko) * | 2001-09-11 | 2003-03-17 | 엔이씨 일렉트로닉스 코포레이션 | 반도체 장치의 제조방법 |
-
1995
- 1995-09-21 KR KR1019950031114A patent/KR970018049A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030022731A (ko) * | 2001-09-11 | 2003-03-17 | 엔이씨 일렉트로닉스 코포레이션 | 반도체 장치의 제조방법 |
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