KR960035815A - 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 콘택홀 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 관한 것으로, 정렬 이득의 감소에 따른 불량을 감소시키기 위하여 도전층패턴의 상부 및 양측벽에 절연막에 대한 식각방지층을 형성하므로써 정렬오차(Misalignment)로 인한 불량을 감소시키며 도전층과의 단락(Short)을 방지시킬 수 있도록 한 반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a도 내지 제1e도는 본 발명의 제1실시예를 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (3)
- 반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 있어서, 접합부가 형성된 실리콘기판상에 제1절연층, 도전층, 제1질화막 및 감광막을 순차적으로 형성한 후 소정의 마스크를 이용하여 상기 감광막을 페터닝하는 단계와, 상기 단계로 부터 패터닝된 상기 감광막을 마스크로 이용한 식각공정을 통해 노출된 부분의 제1질화막 도전층을 순차적으로 식각하여 도전층패턴을 형성한 다음 상기 감광막을 제거하고 전체상부면에 제2질화막을 형성하는 단계와, 상기 단계로 부터 상기 제2질화막을 블랜켓식각하여 패터닝된 상기 도전층 패턴 및 제1질화막의 양측벽에 제2질화막스페이서를 형성한 후 전체면에 제2절연층 및 감광막을 순차적으로 형성하고 콘택홀마스크를 이용하여 상기 감광막을 패터닝하는 단계와, 상기 단계로 부터 패터닝된 상기 감광막을 마스크로 이용하여 상기 제2절연층을 식각한 후 상기 감광막을 제거하고 전체면에 제3절연층을 형성하는 단계와, 상기 단계로 부터 상기 제3절연층을 블랜켓식각하여 상기 제2절연층 및 제2질화막스페이서의 측벽에 제3절연층스페이서를 형성하고, 상기 제2절연층 및 제3절연층스페이서를 식각방지층으로 이용한 식각공정으로 노출된 부분의 제1절연층을 식각하여 실리콘기판의 접합부가 노출되도록 콘택홀을 형성시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1및 제2질화막은 각각 1000 내지 2000Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
- 반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 있어서, 접합부가 형성된 실리콘기판상에 제1절연층, 도전층, 제1Al2O3층 및 감광막을 순차적으로 형성한 후 소정의 마스크를 이용하여 상기 감광막을 패터닝하는 단계와, 상기 단계로 부터 패터닝된 상기 감광막을 마스크로 이용한 식각공정을 통해 노출된 부분의 제1Al2O3층 및 도전층을 순차적으로 식각하여 도전층패턴을 형성한 다음 상기 감광막을 제거하고 전체상부면에 제2Al2O3층을 형성하는 단계와, 상기 단계로 부터 상기 제2Al2O3층을 블랜켓식각하여 패터닝된 상기 도전층패턴 및 제1Al2O3층의 양측벽에 제2Al2O3층스페이서를 형성한 후 전체면에 제2절연층 및 감광막을 순차적으로 형성하고 콘택홀마스크를 이용하여 상기 감광막을 패터닝하는 단계와, 상기 단계로부터 패터닝된 상기 감광막을 마스크로 이용한 식각공정을 통해 상기 제2절연층 및 제1절연층을 순차적으로 식각하여 실리콘기판의 접합부가 노출되도록 콘택홀을 형성시킨 후 상기 감광막을 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950006089A KR960035815A (ko) | 1995-03-22 | 1995-03-22 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950006089A KR960035815A (ko) | 1995-03-22 | 1995-03-22 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960035815A true KR960035815A (ko) | 1996-10-28 |
Family
ID=66552936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950006089A KR960035815A (ko) | 1995-03-22 | 1995-03-22 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960035815A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100576083B1 (ko) * | 2003-12-26 | 2006-05-03 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조방법 |
-
1995
- 1995-03-22 KR KR1019950006089A patent/KR960035815A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100576083B1 (ko) * | 2003-12-26 | 2006-05-03 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조방법 |
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