KR970018198A - 반도체소자의 평탄화방법 - Google Patents
반도체소자의 평탄화방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 평탄화방법에 관한 것으로, 반도체기판 상부에 도전층을 형성하고 그 상부에 노광마스크를 이용한 식각공정으로 감광막패턴을 형성한 다음, 상기 감광막패턴을 마스크로하여 상기 도전층을 일정두께 부분식각하고, 플라즈마를 이용한 등방성식각공정으로 상기 감광막패턴을 측면식각한 다음, 상기 감광막 패턴을 마스크로하여 전면식각하고 상기 감광막패턴을 제거함으로써 단차가 완화된 도전층패턴을 형성한 다음, 그 상부에 평탄화층을 형성하여 평탄화함으로써 후공정을 용이하게 하여 반도체소자의 신뢰성을 향상시키고 그에 따른 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2E도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 평탄화방법을 도시한 단면도.
Claims (5)
- 반도체기판 상부에 도전층을 형성하고 그 상부에 노광마스크를 이용한 식각공정으로 감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴을 마스크로하여 상기 도전층을 일정두께 부분식각하는 공정과, 상기 감광막패턴을 측면식각하여 상기 감광막패턴의 폭을 감소시키는 공정과, 상기 감광막패턴을 마스크로하여 상기 반도체기판이 노출되도록 전면식각함으로써 계단형의 도전층패턴을 형성하는 공정과; 상기 감광막패턴을 제거하는 공정과, 전체표면상부에 평탄화층으로 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 평탄화방법.
- 제1항에 있어서, 상기 부분식각공정은 도전층 전체두께의 2/5내지 3/5두께만큼 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 평탄화방법.
- 제1항에 있어서, 상기 측면식각공정은 산호플라즈마를 이용한 등방성식각공정으로 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 평탄화방법.
- 제1항에 있어서, 상기 측면식각공정은 아르곤플라즈마를 이용한 등방성식각공정으로 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 평탄화방법.
- 제1항에 있어서, 상기 측면식각공정은 상기 감광막패턴 전체폭의 1/3 두께만큼 양측으로 각각 식각하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 평탄화방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950029225A KR970018198A (ko) | 1995-09-06 | 1995-09-06 | 반도체소자의 평탄화방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950029225A KR970018198A (ko) | 1995-09-06 | 1995-09-06 | 반도체소자의 평탄화방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970018198A true KR970018198A (ko) | 1997-04-30 |
Family
ID=66597299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950029225A KR970018198A (ko) | 1995-09-06 | 1995-09-06 | 반도체소자의 평탄화방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970018198A (ko) |
-
1995
- 1995-09-06 KR KR1019950029225A patent/KR970018198A/ko not_active Application Discontinuation
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