KR970053509A - 반도체 소자의 다중 금속층 형성 방법 - Google Patents
반도체 소자의 다중 금속층 형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 다중 금속층 형성 방법에 관한 것으로, 콘택 홀 형성시 발생되는 불량을 감소시키기 위하여 콘택 홀이 형성될 부분에 감광막 패턴을 형성한 후 SOG막을 이용하여 표면을 평탄화시키고, 상기 감광막을 제거하여 콘택 홀이 형성되도록 하므로써 소자의 수율 및 신뢰성이 향상될 수 있도록 한 반도체 소자의 다중 금속형 형성 방법에 관한 것이다.
선택도 : 제2C도 및 제2D도
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A 내지 제2D도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 다중 금속층 형성 방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (2)
- 반도체 소자의 다중 금속층 형성 방법에 있어서, 절연층이 형성된 실리콘 기판상에 하부 금속층 및 감광막을 순차적으로 형성하는 단계와. 상기 단계로부터 콘택 홀이 형성될 부분에만 상기 감광막이 잔류되도록 상기 감광막을 패터닝한 후 전체 상부면에 SOG막을 도포하여 표면을 평탄화시키는 단계와, 상기 단계로부터 상기감광막의 표면이 노출되는 시점까지 상기 SOG막을 전면 식각하는 단계와, 상기 단계로부터 잔류된 상기 감광막을 제거하여 콘택 홀을 형성한 후 상기 콘택 홀이 매립되도록 전체 상부면에 금속을 중착하여 상부 금속층을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 다중 금속층 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전면 식각 공정은 플라즈마를 이용한 건식 식각 방법으로 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 다중 금속층 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950046322A KR970053509A (ko) | 1995-12-04 | 1995-12-04 | 반도체 소자의 다중 금속층 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950046322A KR970053509A (ko) | 1995-12-04 | 1995-12-04 | 반도체 소자의 다중 금속층 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970053509A true KR970053509A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66593528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950046322A KR970053509A (ko) | 1995-12-04 | 1995-12-04 | 반도체 소자의 다중 금속층 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970053509A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010063022A (ko) * | 1999-12-21 | 2001-07-09 | 윤종용 | 저유전율막을 절연막으로 사용한 반도체 소자의 컨택 홀형성 방법 |
-
1995
- 1995-12-04 KR KR1019950046322A patent/KR970053509A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010063022A (ko) * | 1999-12-21 | 2001-07-09 | 윤종용 | 저유전율막을 절연막으로 사용한 반도체 소자의 컨택 홀형성 방법 |
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