KR970013214A - 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 - Google Patents
반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법을 개시한다. 개시된 방법은, 반도체 기판상의 절연막상에 감광막들 도포하고 노광 및 현상하여 소정의 감광막 패턴을 형성하는 단계; 질연막을 상기의 감광막 패턴의 형태로 선택적으로 식각하여 절연막에 콘택홀을 형성하는 단계; 상기의 감광막 패턴을 제거하는 단계; 상기 콘택홀의 바닥부, 측벽부 및 주변부에 이온을 주사하여 콘택홀의 바닥부, 측벽부 및 주변부의 표면에 결함을 생성시키는 단계; 및 상기 콘택홀의 바닥부, 측벽부 및 주변부에 금속을 증착하여 금속막을 형성하는 단계를 포함한다. 개시된 방법에 의하면, 콘택홀 내부에서의 금속 층덮힘성이 향상되므로 소자의 신뢰도를 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도(가) 내지 (라)는 본 발명의 실시에 관련되는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법을 공정 순서적으로 도시하는 소자의 요부 단면도.
Claims (3)
- (가) 반도체 기판상의 절연막상에 감광막들 도포하고 노광 및 현상하여 소정의 감광막 패턴을 형성하는 단계; (나) 상기 절연막을 상기의 감광막 패턴이 형태로 선택적으로 식각하여 절연막에 콘택홀을 형성하는 단계; (다) 상기의 감광막 패턴을 제거하는 단계; (라)상기 콘택홀의 바닥부, 측벽부 및 주변부에 이온을 주사하여 콘택홀의 바닥부, 측벽부 및 주변부의 표면에 결함을 생성시키는 단계; 및 (마) 상기 콘택홀의 바닥부, 측벽부 및 주변부에 금속을 증착하여 금속막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 단계(라)에서, 이온이 Ar 또는 AI이온인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 단계(마)에서, 증착되는 금속이 알루미늄인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950025349A KR970013214A (ko) | 1995-08-18 | 1995-08-18 | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950025349A KR970013214A (ko) | 1995-08-18 | 1995-08-18 | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970013214A true KR970013214A (ko) | 1997-03-29 |
Family
ID=66595289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950025349A KR970013214A (ko) | 1995-08-18 | 1995-08-18 | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970013214A (ko) |
-
1995
- 1995-08-18 KR KR1019950025349A patent/KR970013214A/ko not_active Application Discontinuation
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