KR950025871A - 반도체 소자의 금속배선 형성방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 금속배선 형성하는 방법에 관한 것으로, 초고집적 반도체 소자의 금속배선을 미세한 금속배선으로 형성하기 위하여, 전체적으로 증착된 금속층 상부에 감광막을 얇게 도포한 후 금속배선 마스크를 사용하여 노광하고, 상기 소정부분이 노광된 상태의 감광막 상부에 다시 감광막을 두껍게 도포한 후 상기와 동일한 금속배선 마스크를 사용하여 과잉 노광하고, 상기 두 감광막을 한꺼번에 현상하여 미세한 감광막 패턴을 얻어 이를 이용하여 금속배선을 형성하므로써 파티클(Paritcle)이나 결함(Defect) 또는 폴리머(Polymer)가 없는 미세한 금속배선을 형성할 수 있는 방법에 관해 기술된다.

Description

반도체 소자의 금속배선 형성방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1A도 내지 제1F도는 본 발명에 의한 반도체 소자의 금속배선을 형성하는 단계를 도시한 단면도.

Claims (2)

1. 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 있어서, 반도체 기판(1)상에 공지의 기술로 셀과 주변회로를 형성하고, 전체구조상에 절연막(2)으로 절연한 상태에서, 금속배선용 금속층(3)을 형성하고, 상기 금속층(3) 상부에 제1감광막(4)을 얇게 도포하는 단계와, 상기 단계로부터 제1감광막(4) 상부에 금속배선 마스크(5)를 위치시킨 후 노광공정을 실시하여 제1감광막(4)을 노광부분(4A)과 비노광부분(4B)으로 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 금속배선 마스크(5)를 제거한 후 노광부분(4A)과 비노광부분(4B)으로된 제1감광막(4) 상부에 제2감광막(6)을 두껍게 도포하는 단계와, 상기 단계로부터 제2감광막(6) 상부에 상기와 동이한 금속배선 마스크(5)를 다시 위치시킨 후 노광공정을 실시하여 제2감광막(6)을 노광부분(6A)과 비노광부분(6B)으로 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 금속배선 마스크(5)를 제거한 후 적층된 제1 및 2감광막(4 및 6)을 현상하여 패턴화하는 단계와, 상기 단계로부터 패턴화된 제1 및 제2감광막(4 및 6)을 이용한 식각공정으로 금속층(3)을 식각하여 금속배선(3A)을 형성한 후 상기 패턴화된 감광막(4 및 6)을 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 제2감광막(6)의 노광공정시 하부의 제1감광막(4)까지 노광될 정도로 과잉 노광하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.