KR950034523A - 반도체장치 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체장치 제조방법에 관한 것으로, 반도체장치의 배선형성시 배선층간의 브릿지 및 단선을 방지하여 소자의 신뢰성을 높이기 위한 것이다.
본 발명은 반도체기판상에 Ti를 포함하는 밀착층을 형성하는 공정과, 상기 밀착층상에 텅스텐막을 형성하는 공정, 상기 텅스텐막상부에 포토레지스트를 도포하는 공정, 상기 포토레지스트를 선택적으로 노광 및 현상하여 배선패턴을 형성하는 공정, 상기 포토레지스트패턴을 마스크로 하여 상기 텅스텐막을 차례로 건식식각하는 공정, 노출되는 상기 밀착층을 C1기를 포함하는 가스를 이용하여 건식식각하는 공정 및 잔류하는 C1기를 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법을 제공한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 반도체장치의 배선형성방법을 도시한 단면, 제2도는 본 발명의 반도체장치의 배선형성방법을 도시한 도면.
Claims (6)
- 반도체기판상에 Ti를 포함하는 밀착층을 형성하는 공정과, 상기 밀착층상에 텅스텐막을 형성하는 공정,상기 텅스텐막상부에 포토레지스트를 도포하는 공정, 상기 포토레지스트를 선택적으로 노광 및 현상하여 배선패턴을 형성하는 공정, 상기 포토레지스트패턴을 마스크로 하여 상기 텅스텐막을 차례로 건식식각하는 공정, 노출되는 상기 밀착층을 C1기를 포함하는 가스를 이용하여 건식식각하는 공정 잔류하는 C1기를 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 밀착층은 Ti의 단일막으로 형상하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 밀착층 Ti/TiN막으로 형상하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 잔류 C1기를 제거하는 공정은 잔류 C1기를 F기가 포함된 가스를 이용하여 치환시키는 것에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 잔류 C1기를 제거하는 공정은 H2O 플라즈마를 사용하여 패시베이션하는 것에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 잔류 C1기를 제거하는 공정은 순수를 이용하여 린스를 행하는 것에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940011306A KR950034523A (ko) | 1994-05-24 | 1994-05-24 | 반도체장치 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940011306A KR950034523A (ko) | 1994-05-24 | 1994-05-24 | 반도체장치 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950034523A true KR950034523A (ko) | 1995-12-28 |
Family
ID=66682576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940011306A KR950034523A (ko) | 1994-05-24 | 1994-05-24 | 반도체장치 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950034523A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20100105725A (ko) * | 2007-12-21 | 2010-09-29 | 램 리써치 코포레이션 | 실리콘 구조의 제조 및 프로파일 제어를 이용한 딥 실리콘 에칭 |
-
1994
- 1994-05-24 KR KR1019940011306A patent/KR950034523A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20100105725A (ko) * | 2007-12-21 | 2010-09-29 | 램 리써치 코포레이션 | 실리콘 구조의 제조 및 프로파일 제어를 이용한 딥 실리콘 에칭 |
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