KR960026402A - 반도체 소자 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 금속배선이 구리로 반도체 소자에 있어서, 산화막 상부에 구리배선을 형성한 후, 구리금속배선 주위를 부식에 잘 견디는 구리 이외의 물질로 구리보호 금속박막을 형성함으로써 구리의 부식을 방지함과 아울러 구리배선의 내구성 증가에 의한 반도체 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자 제조방법이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1F도는 본 발명의 반도체 소자 제조방법에 따른 구리보호 금속박막 형성 공정도.
Claims (6)
- 실리콘 기판 상부에 산화막을 적정두께로 증착하는 단계와, 상기 산화막 상부에 구리금속을 증착하여 구리금속층을 형성하는 단계와, 상기 구리금속층 상부에 리프렉터리(Refractory) 금속박막을 형성하는 단계와, 전체 상부에 감광막을 도포한 후, 노광 및 현상하여 구리배선이 형성될 부분이 노출도도록 하는 감광막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 감광막 패턴을 이용하여 하부의 리프렉터리 금속박막과 구리금속층을 식각하여 구리배선을 형성하는 단계와, 상부의 잔류 감광막을 제거하는 단계와, 상기 구조 전체 상부에 감광막을 도포하는 단계와, 상기 감광막을 노광 및 현상하여 구리배선의 사이에만 감광막이 잔류하도록 하는 단계와, 전체구조 상부에 구리보호금속박막을 증착하는 단계와, 구리금속배선 사이의 감광막을 식각하여 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화막 상부에 구리금속 증착시, 화학기상증착법에 의해 500℃ 미만의 온도에서 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
- 제1항에 있어서 상기 리프렉터리 금속박막의 두께는 1000Å 미만으로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 구리금속배선 형성시, 플라즈마 식각으로 리프렉터리 금속박막과 구리금속층을 식각하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 구리보호 금속박막은 스퍼터링방법에 의해 증착되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
- 제1항 또는 제5항에 있어서, 구리보호 금속박막은 300℃이하의 온도에서 2000Å 미만의 두께로 증착되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039263A KR960026402A (ko) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | 반도체 소자 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039263A KR960026402A (ko) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | 반도체 소자 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026402A true KR960026402A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66647781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940039263A KR960026402A (ko) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | 반도체 소자 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026402A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100424712B1 (ko) * | 2001-09-03 | 2004-03-27 | 컴펙 매뉴팩춰링 컴퍼니 리미티드 | 기판 상에 고집적 및 초-미세 폭 라인들을 형성하는 방법 |
-
1994
- 1994-12-30 KR KR1019940039263A patent/KR960026402A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100424712B1 (ko) * | 2001-09-03 | 2004-03-27 | 컴펙 매뉴팩춰링 컴퍼니 리미티드 | 기판 상에 고집적 및 초-미세 폭 라인들을 형성하는 방법 |
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