KR950025937A - 반도체 소자의 패드 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 패드 형성방법 Download PDF

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KR950025937A
KR950025937A KR1019940002248A KR19940002248A KR950025937A KR 950025937 A KR950025937 A KR 950025937A KR 1019940002248 A KR1019940002248 A KR 1019940002248A KR 19940002248 A KR19940002248 A KR 19940002248A KR 950025937 A KR950025937 A KR 950025937A
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formation method
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KR1019940002248A
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권기원
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김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 패드 형성방법에 관한 것으로, 반도체 기판상에 형성된 제1패드(pad) 상부에 절연층을 형성하고 콘택홀을 형성한 다음 제2패드를 형성하여 선 접속(wire bonding)위치를 변경 가능하도록 하므로써 효율적인 선접속을 할 수 있도록한 반도체 소자의 패드 형성방법에 관해 기술된다.

Description

반도체 소자의 패드 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 패드 형성방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.

Claims (1)

  1. 반도체 소자의 패드 형성방법에 있어서, 반도체 기판(1)상에 절연층(2)을 형성하고 그 상부면에 금속막을 중착한 후 감광막을 도포한 상태에서 노광 및 사진식각 공정에 의해 제1패드(6)을 형성시키는 단계와, 상기 단계로부터 상부 전체면에 절연층(5)을 형성하고 상기 제1패드(6)상부의 절연층(5)에 콘택홀을 형성한 후 금속막을 중착하여 제2패드(7)를 형성시키는 단계와, 상기 단계로부터 전체 상부면에 보호막(8)을 형성하고 선접속을 위한 소정의 위치에 콘택홀을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패드 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940002248A 1994-02-07 1994-02-07 반도체 소자의 패드 형성방법 KR950025937A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100596826B1 (ko) * 1999-12-30 2006-07-03 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 패드 형성방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100596826B1 (ko) * 1999-12-30 2006-07-03 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 패드 형성방법

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