KR960002644A - 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법에 관한 것으로, 소자간을 절연 및 보호하고 후속공정을 용이하게 실시할 수 있도록 표면을 평탄화하는 층간 절연막으로서 BPSG막을 이용할 경우에 있어 소자에서 요구되는 두께보다 조금 얇게 1차로 BPSG를 증착 및 플로우(flow)하고, 상기 플로우공정시 발생되는 힐록(hillock)을 마스크를 이용하여 제거하고, 이후 2차로 BPSG를 증착 및 플로우하므로써 표면 평탄화를 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법에 관한 것이다.

Description

반도체 소자의 층간 절연막 형성방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1A도 내지 제1E도는 본 발명에 의한 반도체 소자의 층간 절연막을 형성하는 방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.

Claims (1)

1. 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법에 있어서, 소정의 기판(1)상에 도전층(2)을 형성하고, 그 상부에 BPSG를 소자에서 요구되는 두께보다 얇게 증착하여 제1 BPSG막(3A)을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 제1BPSG(3A)을 열공정으로 플로우시키는 단계와, 상기 단계로부터 제1BPSG(3A)을 플로우할 때 도전층(2)간의 제1BPSG막(3A)에 발생되는 힐록부분을 제거하기 위해 힐록부분이 개방된 감광막(4)을 제1BPSG막(3A)상에 형성시키는 단계와, 상기 단계로부터 상기 감광막(4)을 이용한 식각공정으로 제1BPSG막(3A)상에 형성시키는 단계와, 상기 단계로부터 성기 감광막(4)을 이용한 식각공정으로 제1BPSG막(3A)의 힐록부분을 식각한 후 상기 감광막(4)을 제거하는 단계와, 상기 단계로부터 힐록이 제거된 제1BPSG막(3A)상에 다시 BPSG를 소자에서 요구되는 두께가 될 정도로 증착하여 제2BPSG막(3B)을 형성하고, 상기 제2BPSG막(3B)을 열공정으로 플로우시켜 제1 및 제2BPSG막(3A,3B)으로 된 층간 절연막(3)을 형성시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.