KR970053558A - 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법에 관한 것으로, 절연 특성 및 표면의 평판도를 향상시키기 위하여 제1층간 절연막을 형성한 후 금속 패턴의 사이에 SOG막을 매립시켜 단차를 감소시키고 전체면에 제2및 제3층간 절연막을 형성하므로써 상기 SOG막의 노출로 인한 불량의 발생을 방지하며, 표면의 평탄도를 향상시킬 수 있다. 그러므로 소자의 전기적 특성 및 신뢰성이 향상될 수 있는 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2D도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법을 설명하기 위한 소자의 단면도이다.
Claims (3)
- 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법에 있어서, 절연층이 형성된 실리콘 기판상에 하부 금속층을 형성하고 패터닝한 후 전체 상부면에 제1층간 절연막 및 SOG막을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 제1층간 절연막이 노출되는 시점까지 상기 SOG막을 에치 백하여 표면을 평탄화시킨 후 전체 상부면에 감광막을 도포하고, 노출된 상기 제1층간 절연막상에만 상기 감광막이 잔류되도록 패터닝하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 패터닝된 감광막을 마스크로 이용하여 상기 SOG막을 소정 깊이 삭각하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 감광막을 제거한 후 전체 상부면에 제2및 제3층간 절연막을 순차적으로 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2층간 절연막은 언도프 산화막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제3층간 절연막은 BPSG막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950065695A KR970053558A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019950065695A KR970053558A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970053558A true KR970053558A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66624163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950065695A KR970053558A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970053558A (ko) |
-
1995
- 1995-12-29 KR KR1019950065695A patent/KR970053558A/ko not_active Application Discontinuation
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