KR950021097A - 고집적 반도체 소자의 미세 콘택 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 고집적 반도체 소자의 미세 콘택 형성방법에 관한 것으로, 실리콘 기판상에 제1 및 제2 도전선을 형성하고 절연막을 적층한 후 절연막 상부에 제2 도전선과 단락되지 않을 정도의 공간을 갖게 제작된 제1 콘택 마스크를 이용하여 제1 감광막 패턴을 형성하고, 이 제1 감광막 패턴을 노광시 광에 대한 감광도를 갖지 못하도록 변질 시킨 다음 그 상부에 제1 도전선과 단락되지 않을 정도의 공간을 갖게 제작된 제2 콘택 마스크를 이용하여 제2 감광막 패턴을 형성한 후 상기 제1 및 제2 감광막 패턴을 마스크로 하여 노출된 상기 절연막을 제거하므로써 미세콘택이 형성되도록 한 고집적 반도체 소자의 미세콘택 형성방법에 관해 기술된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2D도는 본 발명에 따른 고집적 반도체 소자의 미세콘택 형성방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (3)
- 고집적 반도체 소자의 미세 콘택 형성방법에 있어서, 실리콘 기판(1)상에 제1 및 제2 도전선(2 및 3)을 형성한 후 소정두께의 절연막(6)을 적층하고 그 상부에 감광막을 적층한 다음 제1 콘택마스크(C)를 이용하여 제1 감광막 패턴(4)을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 제1 감광막 패턴(4)을 노광시 광에 대한 감광도를 갖지 못하게 변질시킨 후 그 상부에 감광막(5)을 도포하는 단계와, 상기 단계로부터 제2 콘택 마스크(D)을 이용하여 제2 감광막 패턴(9)을 형성하는 단계와,상기 단계로부터 상기 제1 및 제2 감광막 패턴(4 및 9)을 마스크로 하여 노출된 상기 절연막(6)을 제거하여 미세콘택(10)이 형성되도록 하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고집적 반도체 소자의 미세 콘택 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2 콘택 마스크(C)는 상기 제2 도전선(3)과의 단락이 방지될 정도의 공간을 갖도록 제작되는 것을 특징으로 하는 고집적 반도체 소자의 미세 콘택 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2 콘택 마스크(D)는 상기 제1 도전선(2)과의 단락이 방지될 정도의 공간을 갖도록 제작되는 것을 특징으로 하는 고집적 반도체 소자의 미세 콘택 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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KR1019930029806A KR0124487B1 (ko) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 고집적 반도체소자의 미세 콘택 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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KR1019930029806A KR0124487B1 (ko) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 고집적 반도체소자의 미세 콘택 형성방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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KR950021097A true KR950021097A (ko) | 1995-07-26 |
KR0124487B1 KR0124487B1 (ko) | 1997-12-10 |
Family
ID=19372806
Family Applications (1)
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KR1019930029806A KR0124487B1 (ko) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 고집적 반도체소자의 미세 콘택 형성방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR0124487B1 (ko) |
-
1993
- 1993-12-27 KR KR1019930029806A patent/KR0124487B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
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KR0124487B1 (ko) | 1997-12-10 |
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