KR940016439A - 반도체소자의 콘택형성방법 - Google Patents
반도체소자의 콘택형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본발명은 반도체 소자의 미세콘택홀 제조방법에 있어서, 제 1 절연층 상부에 식각베리어층과 제 2 절연층을 각각 예정된 두께로 적층한 다음, 제 2 절연층 상부에 감광막 패턴을 형성하되, 예정된 콘택영역에 감광막이 남은 미세한 감광막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 감광막 패턴을 마스크로 하여 노출된 제 2 절연층을 식각하여 제 2 절연층 패턴을 형성하고 상기 감광막 패턴을 제거한 후 가시 감광막을 도포하되 제 2 절연층 패턴의 두께보다 낮은 두께로 도포하는 단계와, 노출된 제 2 절연층 패턴을 식각하고, 계속하여 식각베리어층과 제 1 절연층을 식각하여 예정된 콘택영역이 노출된 미세콘택홀을 형성하는 단계로 이루어지는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도 내지 제 3 도는 본발명에 의해 미세콘택홀 형성단계를 도시한 단면도.
Claims (3)
- 반도체 소자의 미세콘텍홀 제조방법에 있어서, 제 1 절연층 상부에 식각베리어층과 제 2 절연층을 각각 예정된 두께로 적층한 다음, 제 2 절연층 상부에 감광막 패턴을 형성하되, 예정된 콘택영역에 감광막이 남은 미세한 감광막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 감광막 패턴을 마스크로 하여 노출된 제 2 절연층을 식각하여 제 2 절연층 패턴을 형성하고 상기 감광막 패턴을 제거한 후, 다시 감광막을 도포하되 제 2 절연층 패턴의 두께보다 낮은 두께로 도포하는 단계와, 노출된 제 2 절연층 패턴을 식각하고, 계속하여 식각베리어층과 제 1 절연층을 식각하여 식각베리어층과 제 1 절연층을 식각하여 예정된 콘택영역이 노출된 미세콘택홀을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 미세콘택홀 형성방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 절연층 상부에 형성되는 감광막 패턴은 네가티브 감광막을 도포한 후 콘택마스크를 사용한 노광 및 현상공정으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세콘택홀 형성방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 2 절연층 상부에 형성되는 감광막 패턴은 포지티브 감광막을 도포한 후 리버스 콘택마스크를 사용한 노광 및 현상공정으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세콘택홀 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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KR960010054B1 KR960010054B1 (ko) | 1996-07-25 |
Family
ID=19345100
Family Applications (1)
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KR1019920023775A KR960010054B1 (ko) | 1992-12-10 | 1992-12-10 | 반도체소자의 콘택형성방법 |
Country Status (1)
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KR (1) | KR960010054B1 (ko) |
-
1992
- 1992-12-10 KR KR1019920023775A patent/KR960010054B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
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KR960010054B1 (ko) | 1996-07-25 |
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