KR970052306A - 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법 - Google Patents
반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970052306A KR970052306A KR1019950052533A KR19950052533A KR970052306A KR 970052306 A KR970052306 A KR 970052306A KR 1019950052533 A KR1019950052533 A KR 1019950052533A KR 19950052533 A KR19950052533 A KR 19950052533A KR 970052306 A KR970052306 A KR 970052306A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- contact hole
- forming
- semiconductor device
- photoresist
- insulating film
- Prior art date
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법에 관한 것으로, 절연막의 단차로 인한 콘택 홀 형성시의 불량을 방지하기 위하여 콘택 홀이 형성된 부분의 절연막의 단차를 감소시킨 후 콘택 홀을 형성하므로써 상기 절연막의 단차로 인한 콘택 홀의 크기 불균일 및 콘택 홀이 형성되지 않는 경우가 발생되지 않는다. 그러므로 불량의 요인을 제거하여 소자의 수율을 증대시킬 수 있으며, 상기 콘택 홀내에서의 금속의 층덮힘을 향상시켜 소자의 전기적 특성이 향상되도록 한 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1D도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (3)
- 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법에 있어서, 소자 제조 공정을 거쳐 표면의 단차가 심화된 실리콘 기판상에 절연막을 형성한 후 상기 절연막상에 제1감광막을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 표면의 단차가 심화된 부분의 상기 절연막이 노출되도록 상기 제1감광막을 패터닝한 후 상기 패터닝된 제1감광막을 마스크로 이용한 제1식각 공정으로 노출된 부분의 상기 절연막을 일정 깊이 식각하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 제1감광막을 제거한 후 전체 상부면에 제2감광막을 형성하고, 콘택 홀이 형성될 부분의 상기 절연막이 노출되도록 상기 제2감광막을 패터닝하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 패터닝된 제2감광막을 마스크로 이용한 제2식각 공정으로 노출된 부분의 상기 절연막을 식각하여 콘택 홀을 형성한 후 상기 제2감광막을 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1식각 공정은 습식으로 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2식각 공정은 건식으로 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950052533A KR970052306A (ko) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950052533A KR970052306A (ko) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970052306A true KR970052306A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66646518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950052533A KR970052306A (ko) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970052306A (ko) |
-
1995
- 1995-12-20 KR KR1019950052533A patent/KR970052306A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR970052306A (ko) | 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법 | |
| KR980006032A (ko) | 반도체 소자의 격리영역 형성방법 | |
| KR970052439A (ko) | 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법 | |
| KR960030327A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR960008563B1 (ko) | 더블 스페이서를 이용한 반도체 소자의 미세 콘택홀 형성방법 | |
| KR960026227A (ko) | 반도체소자의 미세콘택 형성방법 | |
| KR960026635A (ko) | 금속배선 형성방법 | |
| KR970077457A (ko) | 반도체소자 제조방법 | |
| KR960026741A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR950021096A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR980005466A (ko) | 반도체 장치의 금속배선 형성방법 | |
| KR970003496A (ko) | 반도체 소자 제조시 미세 콘택홀 형성 방법 | |
| KR950025913A (ko) | 반도체소자의 미세패턴 형성방법 | |
| KR940010366A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 제조방법 | |
| KR970013196A (ko) | 반도체 소자의 소자분리절연막 형성방법 | |
| KR970052317A (ko) | 반도체 장치의 미세 접촉창 형성 방법 | |
| KR910003761A (ko) | 반도체 소자의 다층금속배선 공정방법 | |
| KR980005486A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR960015741A (ko) | 반도체소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR970003520A (ko) | 미세 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR970003489A (ko) | 반도체소자의 콘택 형성방법 | |
| KR980006074A (ko) | 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법 | |
| KR970052343A (ko) | 반도체 소자의 층간 콘택방법 | |
| KR950024345A (ko) | 반도체 메모리장치 제조방법 | |
| KR960026473A (ko) | 박막 트랜지스터 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |