KR970013196A - 반도체 소자의 소자분리절연막 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 소자분리절연막 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 소자분리절연막 형성방법에 관한 것으로, 절연물질의 반도체기판 상부에 감광막을 도포하고 상기 반도체기판의 활성영역에 형성된 감광막을 노광 및 현상하여 감광막패턴을 형성한 다음, 상기 감광막패턴을 마스크로하여 상기 반도체 기판을 일정깊이 식각함으로써 상기 반도체 기판의 비활성영역에 철부를 형성하고 전체표면상부에 도전층을 형성하되, 식각두께부다 높게 형성한 다음, 이를 전면식각하여 상기 철부와 같은 높이로 평탄화하고 상기 철부를 소자분리절연막으로 형성함으로써 후공정이 용이하도록 단차를 없고 버지빅이 없는 소자분리절연막을 형성하여 반도체 소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키고 그에 따른 반도체 소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.

Description

반도체 소자의 소자분리절연막 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 내지 제2d도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자의 소자분리절연막 형성공정을 도시한 단면도

Claims (5)

  1. 절연물질의 반도체 기판 상부에 감광막을 형성하는 공정과, 소자분리마스크를 이용하여 활성영역의 감광막을 노광시키는 공정과, 상기 노광된 활성영역의 감광막을 제거하여 감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴을 마스크로하여 상기 반도체기판을 일정깊이 식각함으로써 상기 비활성영역에 철부를 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴을 제거하는 공정과, 전체표면상부에 도전층을 형성하는 공정과, 상기 도전층을 전면식각하여 상기 철부와 같은 높이로 평탄화시킴으로써 상기 비활성영역의 철부를 소자분리절연막으로하는 반도체 소자의 소자분리절연막 형성방법
  2. 제1항에 있어서, 상기 반도체기판은 산화실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리절연막 형성방법
  3. 제1항에 있어서, 상기 도전층은 다결정실리콘으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리절연막 형성방법
  4. 제1항에 있어서, 상기 반도체기판의 활성영역은 식각된 반도체 기판에 증착된 도전층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리절연막 형성방법
  5. 제1항에 있어서, 상기 철부는 3000 내지 5000Å 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리절연막 형성방법
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