KR960043103A - 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법에 관한 것으로, 제1소자분리마스크를 이용하여 반도체기판의 주변회로부체 고농도의 이온주입층을 형성하고 제1필드산화막을 형성한 다음, 상기 반도체기판의 셀부에 제1절연막을 형성하고 제2소자분리마스크를 이용하여 상기 제1절연막과 일정두께의 반도체기판을 식각함으로써 트렌치를 형성한 다음, 전체표면상부에 도전층을 일정두께 형성하고 제2필드 산화막을 형성한 다음, 평탄화 식각공정으로 상부면이 평탄화된 소자분리절연막을 셀부와 주변회로부에 형성함으로써 버즈빅의 크기를 감소시켜 반도체소자의 활성영역을 증가시킬 수 있어 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.

Description

반도체소자의 소자분리절연막 형성방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1A도 내지 제1G도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 소자분리절연막 형성공정을 도시한 도면.

Claims (11)

1. 반도체기판 상부에 제1소자분리마스크를 이용하여 제1감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 제1감광막패턴을 마스크로하여 상기 반도체기판에 고농도의 이온주입층을 형성하는 공정과, 상기 제1감광막패턴을 제거하는 공정과, 산화공정으로 제1필드사화막을 형성하는 공정과, 전체표면상부에 제1절연막과 제2감광막을 형성하는 공정과, 제2소자분리마스크를 이용하여 제2감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 제2감광막패턴을 마스크로하여 셀부에 트렌치를 형성하는 공정과, 전체표면상부에 일정두께 도전층을 형성하는 공정과, 산화공정으로제2필드산화막을 형성하는 공정과, 전체표면상부에 평탄화된 제2절연막을 형성하는 공정과, 평탄화식각공정으로 평탄화된 소자분리절연막을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 제1감광막패턴은 상기 반도체기판의 주변회로부만 노출되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법.
3. 제1항에 있어서,상기 제1필드산화막은 상기 고농도의 이온주입층을 산화시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법.
4. 제1항에 있어서, 상기 트렌치는 0.5 내지 0.1㎛ 깊이로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법.
5. 제1항에 있어서, 상기 제1절연막은 질화막인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법.
6. 제1항에 있어서, 상기 제2소자분리마스크는 상기 반도체기판의 셀부만이 정의되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법.
7. 제1항에 있어서, 상기 도전층은 다결정실리콘막인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법.
8. 제1항에 있어서, 상기 도전층은 0.15 내지 0.01㎛ 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법.
9. 제1항에 있어서, 상기 제2필드산화막은 상기 도전층과 상기 도전층 하부의 반도체기판이 산화되어 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법.
10. 제1항에 있어서, 상기 제2절연막은 BPSG와 같이 유동성이 우수한 절연물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법.
11. 제1항 또는 제10항에 있어서, 상기 제2절연막은 SOG가 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.