KR960043097A - 반도체 장치의 소자 분리 방법 - Google Patents

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Abstract

트렌치 소자 분리 방법에 있어서, 반도체 기판을 평탄화하는 방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 반도체 기판 상에 활성 영역을 둘레를 감싸면서 좁은 폭을 가지는 해자를 갖도록 제1물질층을 식각하여 제1물질층 패턴을 형성하고, 상기 제1물질층 패턴을 마스크로 상기 반도체기판을 식각하여 트렌치를 형성한다. 이어서, 상기 제1물질층보다 화학기계적 폴리싱이 선택적으로 더 빠르게 되는 제2물질층으로 상기 트렌치내부를 채우고, 화학 기계적 폴리싱 방법 또는 에치-백 방법으로 상기 제1물질층 패턴 위의 상기 제2물질층을 제거하는 소자 분리 방법을 제공한다. 본 발명에 의하면, 상기 트렌치의 폭이 셀 영역 또는 주변회로 영역에서 비슷한 크기를 가지고 있어, 화학 기계적 폴리싱 또는 에치-백 방법에 의해서 평탄한 표면을 얻을 수 있다.

Description

반도체 장치의 소자 분리 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도는 본 발명에 의해 실리콘 기판(1) 상에 소자 분리를 위하여 트렌치(7,8a)를 형성하는 단계를 나타내는 투시도이다, 제2B도 및 제2C도는 본 발명에 의한 트렌치 소자 분리 방법을 순서대로 보여주는 단면도들이다. 제3A도 및 제3B도는 각각 본 발명의 방법을 적용하여 주변 회로 영역에서 게이트 배선 아래에 소자 분리 영역을 형성하는 것을 보여주는 평면도 및 단면도이다, 제4A도 내지 제4E도는 본 발명의 소자 분리 방법을 적용하여 반도체 장치를 제조하는 방법을 보여주는 단면도들이다.

Claims (3)

  1. 활성 영역을 가지는 반도체 기판의 전면에 제1물질층을 증착하는 단계; 상기 반도체 기판 상에 활성 영역 둘레를 감싸는 좁은 폭의 해자를 갖도록 상기 제1물질층을 식각하여 제1물질층 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1물질층, 패턴을 마스크로 상기 반도체 기판을 식각하여 트렌치를 형성하는 단계; 제2물질층으로 상기 틀렌치 내부를 채우는 단계; 및 상기 제1물질층 패턴 위의 상기 제2물질층을 제거하여 반도체기판의 전면을 평탄화하는 단계들을 포함하는 것을 특징으로 하는 소자 분리 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2물질층의제거는 화학 기계적 폴리싱 방법 또는 에치-백(etch-back) 방법으로 실시하는 것을 특징으로 하는 소자 분리 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 트렌치를 형성하는 단계 후에, 상기 반도체 기판과 동일한 도전형의 불순물을 상기 트렌치 내에 이온 주입하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 소자 분리 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100480554B1 (ko) * 1997-05-30 2005-05-16 삼성전자주식회사 반도체장치의트렌치소자분리형성방법

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