KR970003796A - 반도체 장치의 얼라인 키(align key) 패턴 형성방법 - Google Patents

반도체 장치의 얼라인 키(align key) 패턴 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 장치의 얼라인 키(align key) 패턴 형성방법에 관한 것으로서, 특히 단차를 형성시켜 사진식각공정의정렬을 도와주는 얼라인 반도체 장치의 얼라인 키(align key) 패턴 형성방법에 관한 것이다. 본 발명의 얼라인 키 패턴형성방법은 반도체기판 상의 셀 어레이 및 얼라인 키 패턴 형성 부분에 필드영역을 한정하는 제1절연막 패턴을 형성하는단계, 상기 제1절연막 패턴을 마스크로 하여 상기 필드영역에 트랜치를 형성하는 단계, 상기 반도체기판 전면에 상기 트랜치를 채우면서 제2절연막을 형성하는 단계, 상기 셀 어레이부분의 활성영역과 상기 얼라인 키 형성영역의 활성영역 및필드영역에 형성된 상기 제2절연막을 소정의 깊이로 식각하는 단계, 상기 반도체기판 전면을 에치 백하는 단계, 상기 반도체기판 전면에 도전층을 형성하는 단계, 및 상기 도전층 전면에 포토레지스트를 도포하는 단계를 포함한다.
본 발명에 의하면 STI구조를 갖는 반도체장치에서도 얼라인 키 패턴 형성부의 원하는 부분에 단차를 형성할 수 있고, 따라서 포토리소그라피(photolithography)공정의 진행에 필요한 얼라인 키를 구현한다.

Description

반도체 장치의 얼라인 키(align key) 패턴 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 및 제1B도는 종래 기술에 의한 로코스(LOCOS) 및 얕은 트랜치격리(STI) 구조의 얼라인 키 패턴의 평면도이다. 제2A도 및 제2B도는 종래 기술에 의한 로코스(LOSOS) 및 얕은 트랜치분리(STI) 구조의 얼라인 키의 수직 단면도이다. 제3A도 내지 제3F도는 본 발명에 의한 반도체 장치의 얼라인 키(align key) 패턴 형성방법을 셀 어레이부와 얼라인 키 패턴 형성부분으로 나누어서 단계별로 나타낸 도면들이다.

Claims (4)

  1. 반도체기판 상의 셀 어레이 및 얼라인 키 패턴 형성 부분에 필드영역을 한정하는 제1절연막 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1절연막 패턴을 마스크로 하여 상기 필드영역에 트랜치를 형성하는 단계; 상기 반도체기판 전면에 상기트랜치를 채우면서 제2절연막을 형성하는 단계; 상기 셀 어레이부분의 활성영역과 상기 얼라인 키 형성영역의 활성영역및 필드영역에 형성된 상기 제2절연막을 소정의 깊이로 식각하는 단계; 상기 반도체기판 전면을 에치 백하는 단계; 상기반도체기판 전면에 도전층을 형성하는 단계; 및 상기 도전층 전면에 포토레지스트를 도포하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 얼라인 키(align key) 패턴 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2절연막은 산화막을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 얼라인키(align key) 패턴 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 도전층은 도핑된 다결정실리콘 및 텅스텐실리사이드를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 얼라인 키(align key) 패턴 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2절연막을 소정의 깊이로 식각할 때, 상기 셀 어레이영역에서는 활성영역을, 얼라인 키 형성영역에서는 전면을 노출시키는 포토레지스트 패턴을 사용하여 식각하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 얼라인 키(align key) 패턴 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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