KR970053427A - 트렌치 소자분리 영역을 갖는 반도체장치의 마스크 정렬키 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 트렌치 소자분리 영역을 갖는 반도체장치의 마스크 정렬키 형성방법에 관한 것으로, 본 발명은 반도체 칩 내에 소자분리를 위한 제2트렌치 영역을 형성할 때 스크라이브 레인 상에도 정렬키를 위한 제1트렌치 영역을 동시에 형성하고, 상기 제1 및 제2트렌치 영역을 채우면서 평탄화된 제1절연막 패턴을 형성하고, 상기 제1트렌치 영역 내의 제1절연막 패턴을 완전히 식각하여 제거하거나 또는 일정깊이만큼 식각하여 제1트렌치 영역의 측벽을 노출시킴으로써 단차를 형성한 후, 결과물 전면에 도전막을 형성함으로써 제1트렌치 영역의 가장자리 부분 상에 단차진 표면을 갖는 도전막을 형성하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 도전막 패턴으로 이루어진 정렬키의 표면에 단차를 형성할 수 있으므로 빛의 반사가 심한 도전막으로 형성된 정렬키가 요구되는 경우에도 마스크와 웨이퍼를 정확히 정렬시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3A도 내지 제3C도는 제1도의 AA'에 따른 본 발명에 의한 마스크 정렬키를 형성하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
Claims (2)
- 반도체 칩 영역 및 상기 반도체 칩 영역을 둘러싸는 스크라이브 레인(scribe lane)으로 구성되는 반도체장치의 마스크 정렬키를 형성하는 방법에 있어서, 상기 스크라이브 레인 및 상기 반도체 칩 영역의 소정영역에 각각 마스크 정렬키를 위한 제1트렌치 영역 및 소자분리를 위한 제2트렌치 영역을 동시에 형성하는 단계; 상기 제1트렌치 영역 및 상기 제2트렌치 영역을 완전히 채우면서 평탄화된 제1절연막 패턴을 형성하는 단계; 상기 결과물 전면에 제2절연막을 형성하는 단계; 상기 제2절연막 상에 적어도 상기 제1트렌치 영역 상의 제2절연막을 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 노출된 제2절연막을 식각함으로써, 상기 제1트렌치 영역을 채우는 제1절연막 패턴을 노출시키는 단계; 상기 노출된 제1절연막 패턴을 일정깊이만큼 식각하거나 완전히 제거하여 상기 제1트렌치 영역의 측벽을 노출시킴으로써 단차를 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계; 및 상기 결과물 전면에 도전막을 형성하여 상기 제1트렌치 영역의 측벽 상에 단차진 표면을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 트렌치 소자분리 영역을 갖는 반도체장치의 마스크 정렬키 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 도전막은 금속막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 트렌치 소자분리 영역을 갖는 반도체장치의 마스크 정렬키 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950057063A KR970053427A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 트렌치 소자분리 영역을 갖는 반도체장치의 마스크 정렬키 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950057063A KR970053427A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 트렌치 소자분리 영역을 갖는 반도체장치의 마스크 정렬키 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970053427A true KR970053427A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66618267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950057063A KR970053427A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 트렌치 소자분리 영역을 갖는 반도체장치의 마스크 정렬키 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970053427A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030044894A (ko) * | 2001-11-30 | 2003-06-09 | 엔이씨 일렉트로닉스 코포레이션 | 눈금보정패턴 및 그 제조방법 |
| KR100421656B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2004-03-11 | 동부전자 주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
-
1995
- 1995-12-26 KR KR1019950057063A patent/KR970053427A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030044894A (ko) * | 2001-11-30 | 2003-06-09 | 엔이씨 일렉트로닉스 코포레이션 | 눈금보정패턴 및 그 제조방법 |
| KR100421656B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2004-03-11 | 동부전자 주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
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