KR960002896A - 반도체소자의 전하보존전극 제조방법 - Google Patents
반도체소자의 전하보존전극 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR960002896A KR960002896A KR1019940014563A KR19940014563A KR960002896A KR 960002896 A KR960002896 A KR 960002896A KR 1019940014563 A KR1019940014563 A KR 1019940014563A KR 19940014563 A KR19940014563 A KR 19940014563A KR 960002896 A KR960002896 A KR 960002896A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- storage electrode
- charge storage
- forming
- insulating film
- contact hole
- Prior art date
Links
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체소자의 전하보존전극 제조방법에 관한것으로서, 소자분리 절연막과 게이트전극등의 하부구조물들이 형성되어 있는 반도체기판상에 층간절연막을 형성하고, 상기 층간절연막에서 전하보존전극용 콘택홀로 예정되어 있는 부분을 노출시키며 부위에 따라 단차가 있는 굴곡진 형상의 감광막패턴을 광차단막과 광투과막을 구비하는 전하보존전극용 콘택 마스크로 형성한 후, 이를 식각마스크로 층간절연막을 식각하여 콘택홀을 형성하고 층간절연막의 다른 표면에는 단차진 굴곡을 형성하며, 상기 전하보존전극 콘택홀을 통하여 상기 반도체기판과 접촉되는 표면적이 증가된 전하보존전극을 형성하였으므로, 전하보존전극용 콘택 마스크만으로 별도의 추가 공정 없이 전하보존전극을 굴곡이지도록 형성하여 정전용량을 증가시키므로 공정이 간단하고, 소자 동작의 신뢰성과 공정수율시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 반도체소자의 전하보존전극용 콘택 마스크의 레이앗도.
제4도는 제3도의 전하보존 전극용 콘택 마스크의 위치에 따른 광투과도의 그래프.
제5A도 내지 제5B도는 본 발명에 따른 반도체소자의 전하보존전극 제조 공정도.
Claims (2)
- 소자분리를 위한 절연막과 게이트전극등이 형성되어 있는 반도체기판상에 층각절연막을 형성하는 공정과, 상기 반도체기판에서 전하보존전극 콘택으로 예정되어 있는 부분상의 층간절연막을 노출시키고, 부위에 따라 단차가 있는 굴곡진 형상의 감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴에 의해 노출되어 있는 층간절연막을 제거하여 전하보존전극 콘택홀을 형성하고, 상기 층간절연막의 표면에 굴곡을 형성하는 공정과, 상기 전하보존전극 콘택홀을 통하여 상기 반도체기판과 접촉되는 굴곡진 전하보존전극을 형성하는 공정을 구비하는 반도체소자의 전하보존 전극 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 감광막패턴을 콘택홀에 해당되는 부분은 완전히 노광되도록 광차단막 패턴이 제거 되어있고, 단차진 부분은 소정의 광투과율을 갖는 광투막을 구비하는 전하보전극용 콘택 마스크로 노광하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전하보존전극 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940014563A KR0154151B1 (ko) | 1994-06-24 | 1994-06-24 | 반도체 소자의 전하보존전극 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940014563A KR0154151B1 (ko) | 1994-06-24 | 1994-06-24 | 반도체 소자의 전하보존전극 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960002896A true KR960002896A (ko) | 1996-01-26 |
| KR0154151B1 KR0154151B1 (ko) | 1998-10-15 |
Family
ID=19386185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940014563A KR0154151B1 (ko) | 1994-06-24 | 1994-06-24 | 반도체 소자의 전하보존전극 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0154151B1 (ko) |
-
1994
- 1994-06-24 KR KR1019940014563A patent/KR0154151B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0154151B1 (ko) | 1998-10-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR960002896A (ko) | 반도체소자의 전하보존전극 제조방법 | |
| KR960019522A (ko) | 반도체 소자의 플러그 형성방법 | |
| KR960019486A (ko) | 반도체소자의 콘택 마스크 제조방법 | |
| KR970054008A (ko) | 반도체 장치의 커패시터 제조방법 | |
| KR970053427A (ko) | 트렌치 소자분리 영역을 갖는 반도체장치의 마스크 정렬키 형성방법 | |
| KR950029859A (ko) | 감광막 패턴 형성 방법 | |
| KR960019517A (ko) | 반도체 소자의 콘택 홀 제조방법 | |
| KR970030814A (ko) | 반도체 소자의 전하저장전극의 제조방법 | |
| KR970053580A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR960026568A (ko) | 반도체소자의 소자분리절연막 제조방법 | |
| KR940001379A (ko) | 고축적 용량을 갖는 캐패시터 콘택홀 제조방법 | |
| KR960012324A (ko) | 반도체소자의 게이트전극 콘택 및 그 제조방법 | |
| KR960035809A (ko) | 반도체 장치의 콘택 형성 방법 | |
| KR970024226A (ko) | 반도체 메모리소자의 스토리지 전극 형성방법 | |
| KR960026635A (ko) | 금속배선 형성방법 | |
| KR970023711A (ko) | 반도체소자의 콘택부 형성방법 | |
| KR920007235A (ko) | 반도체 장치의 자기정렬콘택 제조방법 | |
| KR970053571A (ko) | 반도체 장치 및 그의 제조 방법 | |
| KR940016920A (ko) | 저부게이트 박막트랜지스터 제조방법 | |
| KR970003959A (ko) | 캐패시터의 전하저장전극 형성방법 | |
| KR960005791A (ko) | 반도체소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR950001918A (ko) | 질화막을 이용한 게이트패턴 형성방법 | |
| KR950021761A (ko) | 박막트랜지스터 제조방법 | |
| KR970024149A (ko) | 반도체 메모리 장치의 제조방법 | |
| KR960002581A (ko) | 반도체소자의 콘택홀 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20090624 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |