KR950029859A - 감광막 패턴 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 콘택홀 식각 또는 전도층의 패턴 식각 또는 이온주입시의 마스크 물질 사용되는 감광막 패턴 형성시 적어도 두 번 이상의 노광 및 현상 공정을 실시하여 두꺼운 감광막 부위를 쉽게 제거하는 감공막 패턴 형성 방법에 관한 것으로, 소자의 고집적화에 대응하여 양호하게 형성할 수 있어 소자의 신뢰도 및 수율을 향상시키는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 반도체 디램(DRAM) 제조공정중의 한 단면도, 제2A도 내지 제2C도는 본 발명의 일실시예를 나타내는 단면도, 제3도는 본 발명의 다른 실시예를 나타내는 단면도.
Claims (2)
- 웨이퍼상에 도포된 감광막의 예정된 일정부분을 제거하여 원하는 패턴을 형성하는 감광막 패턴 형성 방법에 있어서, 상기 제거되어야 할 부위의 감광막 전체 두께중 일부만을 노광하는단계, 상기 노광 부위의 감광막을 현상하여 제거하는 단계, 전체 두께중 상부쪽 일부가 제거되고 남아있는 감광막을 노광 및 현상하여 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 감광막 패턴 형성 방법.
- 웨이퍼사에 도포된 감광막의 예정된 일정부분을 제거하여 원하는 패턴을 형성하는 감광막 패턴 형성 방법에 있어서, 상기 제거되어야할 부위의 감광막 전체 두께중 일부만을 노광하는 제1노광단계, 상기 제거되어야 할 부위의 감광막 전체 두께를 노광하는 제2 노광단계. 상기 제1 및 제2노광된 감광막을 동시에 형상하여 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 감광막 패턴 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940008753A KR950029859A (ko) | 1994-04-25 | 1994-04-25 | 감광막 패턴 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940008753A KR950029859A (ko) | 1994-04-25 | 1994-04-25 | 감광막 패턴 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950029859A true KR950029859A (ko) | 1995-11-24 |
Family
ID=66677331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940008753A KR950029859A (ko) | 1994-04-25 | 1994-04-25 | 감광막 패턴 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950029859A (ko) |
-
1994
- 1994-04-25 KR KR1019940008753A patent/KR950029859A/ko not_active Application Discontinuation
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