KR950015577A - 반도체소자의 제조방법 - Google Patents

반도체소자의 제조방법 Download PDF

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KR950015577A
KR950015577A KR1019930024872A KR930024872A KR950015577A KR 950015577 A KR950015577 A KR 950015577A KR 1019930024872 A KR1019930024872 A KR 1019930024872A KR 930024872 A KR930024872 A KR 930024872A KR 950015577 A KR950015577 A KR 950015577A
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김영식
함영목
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김주용
현대전자산업 주식회사
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

Abstract

본 발명은 반도체소자의 제조방법에 관한 것으로서, 크롬패턴만을 사용하는 마스크보다 패턴의 해상도을 높일 수 있는 포지티브형 위상반전마스크를 이용하여 웨이퍼에 전사할 때, 위상반전층패턴이 석영기판에 직접 맞닿은 부분의 가장자리에서 불필요한 패턴이 남는 것을 방지하기위해 상기 불필요한 패턴이 남는곳을 노광하는 마스크를 하나 더 제조하여 이중노광함으로써 소자분리 패턴을 형성하는 기술이다.

Description

반도체소자의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3A도 내지 제3D도는 제1도의 마스크를 사용하여 감광막을 노광시킨다음, 본 발명에 의해 제조된 마스크를 이용하여 다시 감광막 노광시킨 후, 공정을 진행한 것을 도시한 단면도.
제4도는 제1도의 마스크를 사용할때 비노광되는 감광막을 노광시키기 위해 본 발명에 의해 제조된 제2마스크를 도시한 레이아웃도.

Claims (3)

  1. 반도체소자의 제조방법에 있어서, 실리콘기판의 상부에 산화막, 질화막 및 감광막을 도포한 후, 석영기판에 크롬패턴과 위상반전패턴이 구비된 소자분리용 제1마스크를 이용하여 상기 감광막을 노광시키는 공정과, 상기 석영기판과 직접 맞닿는 위상반전패턴 가장자리부에 창을 형성한 제2마스크로 상기 노광공정시 노광되지 않은 감광막을 노광시키는 공정과, 현상공정으로 노광된 감광막을 제거하여 감광막패턴을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1마스크는 포지티브형 감광막패턴공정에 사용되는 레벤슨형인 것을 특징으로하는 반도체소자의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2마스크의 창은 석영기판 상부에 크롬이 제거되어 형성되는 것을 특징으로하는 반도체소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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