KR970048946A - 반도체 소자 제조용 위상 반전 마스크 및 그 제조 방법 - Google Patents

Abstract

1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야

반도체 소자 제조용 포토 마스크

2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제

반도체 소자 제조 공정중 노광 공정에서 해상력이 양호한 위상 반전 마스크(Phase Shift Mask : PSM)가 많이 이용되고 있는데, 이런 PSM의 일종인 종래의 석영 트렌치 타입(Quartz Trench Type)의 마스크 구조를 보면, 석영기판 상에 크롬 패턴을 형성한 다음, 석영기판(1)을 트렌치 식각하여 제조하므로써, 크롬 패턴 이외의 전지역이 균일하게 트렌치가 형성되어 있기 때문에 위상 반전 마스크임에도 불구하고, 패턴의 엣지 부분에서의 빛의 강도가 크게 증가하지 못하는 단점이 있었음.

3. 발명의 해결방법의 요지

크롬 패턴의 엣지 부분에서만 위상 반전이 발생하도록 석영기판에 트렌치를 형성하므로써, 엣지 부분에서의 빛의 강도를 증가시켜 해상력을 향상시킨 위상 반전 마스크 및 그 제조 방법을 제공하고자 함.

4. 발명의 중요한 용도

반도체 소자의 노광 공정에 이용됨.

Description

반도체 소자 제조용 위상 반전 마스크 및 그 제조 방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2D도는 본 발명에 따른 위상 반전 마스크의 제조 공정도.

Claims (2)

1. 반도체 소자 제조용 위상 반전 마스크를 제조하는 방법에 있어서, 석영 기판상에 소정의 크롬 패턴을 형성하는 단계와, 상기 크롬 패턴의 측벽에 측벽 산화막을 형성하는 단계와, 전체 구조 상부에 네가티브 포토레지스트를 도포하는 단계와, 상기 석영기판의 뒷면을 블랭킷 방식으로 노광시키고 현상 공정을 실시하는 단계, 및 상기 측벽 산화막을 제거하고, 상기 크롬 패턴과 잔류 포토레지스트를 시각 배리어로 이용한 상기 석영기판의 식각 공정을 통해 트렌치를 형성하고, 잔류 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함해서 이루어진 위상 반전 마스크 제조방법.
2. 반도체 소자 제조용 위상 반전 마스크에 있어서, 석영 기판상에 빛을 차단하기 위한 소정의 크롬 패턴이 형성되어 있고, 상기 크롬 패턴의 엣지 부분에 대응하는 상기 석영기판 부분에 투과하는 빛의 위상을 반전시키기 위한 소정의 트렌치가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.