KR970007485A - 하프톤막이 구비된 위상반전 마스크의 제조방법 - Google Patents

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KR970007485A
KR970007485A KR1019950020388A KR19950020388A KR970007485A KR 970007485 A KR970007485 A KR 970007485A KR 1019950020388 A KR1019950020388 A KR 1019950020388A KR 19950020388 A KR19950020388 A KR 19950020388A KR 970007485 A KR970007485 A KR 970007485A
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신인균
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김광호
삼성전자 주식회사
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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

위상반전마스크의 광 투과부 위족의 형성된 원치않는 감광막잔류물을 제거하기 위하여, 제2의 감광막을 형성하고 마스크 뒤쪽으로부터 전면노광한 후, 제2감광막을 현상하는 단계를 포함함으로써, 위상반전마스크 위에보다 정확한 하프톤막 패턴을 형성할 수 있게 된다.

Description

하프톤막이 구비된 위상반전 마스크의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2(라)도는 본 발명에 의한 위상 반전 마스크의 제조방법의 실시예를 설명하기 위한 단면도들.

Claims (1)

  1. ㄱ) 마스크기판 위에 하프톤막, 치광막 및 제1감광막을 차례로 적층 형성하는 단계: ㄴ) 상기 제1감광막을 노광하고, 현상하여 제1감광막패턴을 형성하는 단계; ㄷ) 상기 제1감광막패턴으로 인하여 노출된 영역의 상기 차광막을 식각하여 차광막패턴을 형성하는 단계; ㄹ) 상기 제1감광막패턴을 제거한 후 상기 마스크기판 전면에 제2감광막을 도포하는 단계; ㅁ) 상기 제2감광막이 형성된 쪽의 반대쪽으로부터 마스크 기판 전면(全面)에 노광한 후, 제2감광막을 형상하여 제2감광막 패턴을 형성하는 단계; ㅂ) 상기 제2감광막패턴에 의해 노출된 상기 하프톤막으로 식각하여 하프톤막패턴을 형성 단계; ㅇ) 상기 마스크기판 위에 남아있는 상기 제2감광막패턴 및 상기 차광패턴을 제거하는 단계를 포함하는 하프톤막이 구비된 위상반전 마스크의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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