KR960019536A - 리소그래피 공정에 의한 감광막 패턴 형성방법 - Google Patents

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KR960019536A KR1019940030788A KR19940030788A KR960019536A KR 960019536 A KR960019536 A KR 960019536A KR 1019940030788 A KR1019940030788 A KR 1019940030788A KR 19940030788 A KR19940030788 A KR 19940030788A KR 960019536 A KR960019536 A KR 960019536A
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Abstract

본 발명은 단차가 심한 영역에서의 빛의 반사로 인한 노치현상을 방지하는 리소그래피 공정에 의한 감광막 패턴 형성방법에 관한 것으로, 심한 단차(A)를 이루면서 형성된 하부막(2) 상에 제1포토레지스트(13)를 도포하는 단계; 제1포토마스크(20)를 사용한 리소그래프 공정을 통해 포토레지스트 패턴(13′)을 형성하되 심한 단차를 이루는 영역에 패턴이 형성되도록 하는 단계; 전체구조 상부에 제2포토레지스트(23)를 도포하는 단계; 제2포토마스크(10)를 사용한 리소그래프 공정을 통해 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

Description

리소그래피 공정에 의한 감광막 패턴 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2F도는 본 발명에 따른 감광막 패턴 형성 공정 단면도.

Claims (2)

  1. 단차가 심한 영역에서의 빛의 반사로 인한 노치현상을 방지하는 리소그래피 공정에 의한 감광막 패턴 형성방법에 있어서, 심한 단차를 이루면서 형성된 하부막 상에 제1포토레지스트를 도포하는 단계; 제1포토마스크를 사용한 리소그래피 공정을 통해 포토레지스트패턴을 형성하되 심한 단차를 이루는 영역에 패턴이 형성되도록 하는 단계; 전체구조 상부에 제2포토레지스트를 도포하는 단계; 제2포토마스크를 사용한 리소그래피 공정을 통해 포토레지스트패턴을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 공정에 의한 감광막 패턴 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1포토레지스트와 제2포토레지스트는 빛 감응 특성이 동일한 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 리소그래피 공정에 의한 감광막 패턴 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940030788A 1994-11-22 1994-11-22 리소그래피 공정에 의한 감광막 패턴 형성방법 KR0139578B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100384877B1 (ko) * 1999-06-28 2003-05-22 주식회사 하이닉스반도체 포토레지스트 도포 방법

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