KR950024261A - 림(Rim)형 위상반전마시크 및 그 제조방법 - Google Patents

림(Rim)형 위상반전마시크 및 그 제조방법 Download PDF

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KR950024261A
KR950024261A KR1019940000968A KR19940000968A KR950024261A KR 950024261 A KR950024261 A KR 950024261A KR 1019940000968 A KR1019940000968 A KR 1019940000968A KR 19940000968 A KR19940000968 A KR 19940000968A KR 950024261 A KR950024261 A KR 950024261A
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chromium
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KR1019940000968A
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Inventor
함영목
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

본 발명은 림(Rim)형 위상반전마스크 및 그 제조방법에 관한 것으로, 석영기판의 상부에 위상반전층을 도포하고 그상부에 크롬막을 증착한 후, 공지의 기술로 이빔장치를 이용하여 위상반전층의 크기에 맞추어 제1크롬패턴과 위상반전층패턴을 형성하고 그상부에 포지티브형 감광막을 증착한 후, 빛의 강도를 세게하여 후면노광시키고 현상공정으로 감광막패턴을 형성한 다음, 상기 감광막패턴을 마스크로하여 제l크롬패턴을 식각하고 상기 감광막패턴을 제거함으로써, 림형 위상반전마스크를 형성하여 크롬마스크보다 50%정도의 공정효과를 높이고 별도의 공정없이 정렬되어 단가를 절감시키며 반도체소자의 신뢰도 및 수율을 향상시키는 기술이다.

Description

림(Rim)형 위상반전마시크 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2F도는 본 발명에 의한 림형 위상반전마스크 제조공정을 도시한 단면도.

Claims (3)

  1. 석영기판상부에 위상반전층 및 크롬막을 도포하고, 이빔을 사용하여 공지의 기술로 노광 및 현상 공정으로 제1크롬패턴과 위상반전층패턴을 형성하는 공정과, 전체구조상부에 포지티브형 감광막을 도포하고 수면노광한 후, 현상함으로써 감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴을 마스크로하여 제1크롬패턴을 식각하여 제2크롬패턴을 형성하고 상기 감광막패턴을 제거하는 공정을 포함하는 림형 위상반전마스크 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1크롬패턴과 위상반전층패턴은 형성시 위상반전층패턴의 크기에 맞추어 형성하는 것을 특징으로하는 린형 위상반전마스크 제조방법.
  3. 석영기판의 상부에 위상반전층패턴이 형성되고 상기 위상반전층패턴의 상부에 위상반전층패턴보다 작게 크롬패턴이 형성된 것을 특징으로하는 림형 위상반전마스크.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940000968A 1994-01-19 1994-01-19 림(Rim)형 위상반전마시크 및 그 제조방법 KR950024261A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100284069B1 (ko) * 1997-06-26 2001-04-02 김영환 반도체소자용 노광마스크 및 그 제조방법

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