KR960002592A - 반도체 소자의 제조방법 - Google Patents
반도체 소자의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 제조방법에 관한 것으로, 종래 기술에서 노광 및 현상공정을 이용한 감광막패턴 형성공정시 균일한 감광막패턴을 형성하기 위하여, 현상액에 음이온 계면활성제를 일정량 첨가하여 현상공정을 실시함으로써 반도체소자의 신뢰성 및 생산성을 향상시고 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2B도는 본 발명의 실시예에 의한 반도체소자의 제조공정을 도시한 단면도.
Claims (3)
- 반도체소자의 제조방법에 있어서, 반도체기판 상부에 하부물질층을 형성하고 그 상부에 감광막을 증착하는 공정과, 상기 감광막의 일정부위를 노광시키고 현상액에 음이온 계면활성제를 일정량 첨가하여 현상공정을 실시함으로써 미세하고 균일한 감광막패턴을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 음이온 계면활성제는 500-1500의 분자량을 갖는 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 음이온 계면활성제의 첨가량은 100ppm-1000ppm으로 하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940014581A KR960002592A (ko) | 1994-06-24 | 1994-06-24 | 반도체 소자의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940014581A KR960002592A (ko) | 1994-06-24 | 1994-06-24 | 반도체 소자의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960002592A true KR960002592A (ko) | 1996-01-26 |
Family
ID=66686346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940014581A KR960002592A (ko) | 1994-06-24 | 1994-06-24 | 반도체 소자의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960002592A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100439859B1 (ko) * | 2001-12-21 | 2004-07-12 | 동부전자 주식회사 | 반도체 소자 제조용 감광막 패턴 형성방법 |
| KR100527226B1 (ko) * | 2001-02-21 | 2005-11-08 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | 레지스트의 이미지 붕괴를 방지하기 위한 현상액/세척배합물 |
-
1994
- 1994-06-24 KR KR1019940014581A patent/KR960002592A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100527226B1 (ko) * | 2001-02-21 | 2005-11-08 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | 레지스트의 이미지 붕괴를 방지하기 위한 현상액/세척배합물 |
| KR100439859B1 (ko) * | 2001-12-21 | 2004-07-12 | 동부전자 주식회사 | 반도체 소자 제조용 감광막 패턴 형성방법 |
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