KR960019485A - 노광마스크 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 노광마스크에 관한 것으로, 석영기판 상부에 다이와 스트라이브라인이 형성된 노광마스크에 있어서, 메모리 영역으로 형성되는 셀부와, 상기 메모리 영역을 연결하는 주변회로부와, 상기 셀부와 주변회로부의 상기에 상기 셀부와 일정거리를 유지하고 일정두께로 형성되는 더미패턴이 형성된 다이를 형성함으로써 노광 및 현상공정시 셀부와 주변회로부 패턴들이 근접효과를 극소화하여 근접효과를 발생하여 반도체소자의 신뢰성 및 수율을 향상시키고 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제1C도는 본 발명의 제1실시예에 따른 노광마스크를 도시한 개략도,
제2도는 본 발명의 제2실시예에 따른 노광마스크를 도시한 개략도.
Claims (6)
- 석영기판 상부에 다이와 스크라이브라인이 형성된 노광마스크에 있어서, 메모리 영역으로 형성되는 셀부와, 상기 메모리 영역을 예정된대로 연결하는 주변회로부와, 상기 셀부와 주변회로부의 경계부에 상기 셀부와 일정거리를 유지하고 일정두께로 형성되는 더미패턴이 구비된 다이로 이루어진 노광마스크.
- 제1항에 있어서, 상기 더미패턴은 상기 셀부와 0.5 내지 1.0μm의 일정거리를 유지하고 형성된 것을 특징으로 하는 노광마스크.
- 제2항에 있어서, 상기 더미패턴은 상기 노광마스크를 이용한 노광 및 현상공정 후에 반도체기판 상부에 더미패턴이 남지 않는 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 노광마스크.
- 제3항에 있어서, 상기 더미패턴은 0.1 내지 0.3μm의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 노광마스크.
- 제2항에 있어서, 상기 더미패턴은 상기 셀부와 일정거리를 유지하고 형성되되, 하나의 패턴 및 여러개의 패턴으로 이루어지는 군에서 임의로 선택되는 한가지 패턴으로 형성되는 것을 특징으로 하는 노광마스크.
- 제2항에 있어서, 상기 더미패턴은 상기 노광마스크를 이용한 노광 및 현상공정 후에 반도체소자에 지장없는 범위내에서 감광막을 남길 수 있는 1.0 내지 5.0μm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 노광마스크.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940030643A KR960019485A (ko) | 1994-11-21 | 1994-11-21 | 노광마스크 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940030643A KR960019485A (ko) | 1994-11-21 | 1994-11-21 | 노광마스크 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960019485A true KR960019485A (ko) | 1996-06-17 |
Family
ID=66648748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940030643A KR960019485A (ko) | 1994-11-21 | 1994-11-21 | 노광마스크 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960019485A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100742968B1 (ko) * | 2006-07-21 | 2007-07-25 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 마스크 제작 방법 및 마스크 바이어스 최적화 방법 |
-
1994
- 1994-11-21 KR KR1019940030643A patent/KR960019485A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100742968B1 (ko) * | 2006-07-21 | 2007-07-25 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 마스크 제작 방법 및 마스크 바이어스 최적화 방법 |
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