KR970053264A - 코드화된 반도체 칩 및 코딩방법 - Google Patents

코드화된 반도체 칩 및 코딩방법 Download PDF

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KR970053264A
KR970053264A KR1019950067058A KR19950067058A KR970053264A KR 970053264 A KR970053264 A KR 970053264A KR 1019950067058 A KR1019950067058 A KR 1019950067058A KR 19950067058 A KR19950067058 A KR 19950067058A KR 970053264 A KR970053264 A KR 970053264A
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South Korea
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semiconductor chip
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forming
code
semiconductor
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KR1019950067058A
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Inventor
이학용
염선해
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

칩-비쯔방식으로 거래되는 반도체 칩을 특정하기 위한 코드가 형성된 반도체 칩과 그 코딩방법이 개시되어 있다.
본 발명은, 특정의 반도체소자 회로를 구성하는 활성영역이 중앙에 위치하며 이를 둘러싼 가장자리에 비활성 영역이 형성된 반도체 칩에 있어서, 상기 비활성영역의 특정 부위에 상기 반도체 칩을 특정하는 코드가 형성되어 있는 것을 특징으로 하며, 반도체 칩 코딩방법은 반도체소자가 완료된 후 중간물질층을 개제하여 이온주입에 의해 웨이퍼내에 특정 코드를 형성하는 공정을 포함한다.
따라서, 반도체 칩을 특정하는 코드가 영구 존재하여 잘못 인도되거나 사용되지 않아 반도체 칩 관리를 효율적으로 수행할 수 있다는 효과가 있다.

Description

코드화된 반도체 칩 및 코딩방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 일 실시예에 따른 코드화된 반도체 칩을 나타내는 개략적인 평면도이다.

Claims (7)

  1. 특정의 반도체소자 회로를 구성하는 활성영역이 중앙에 위치하며 이를 둘러싼 가장자리에 비활성영역이 형성된 반도체 칩에 있어서, 상기 비활성영역의 특정 부위에 상기 반도체 칩을 특정하는 코드가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 칩.
  2. 제1항에 있어서, 상기 코드는 사각형 반도체 칩의 모서리부분에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 칩.
  3. 제1항에 있어서, 상기 코드는 상기 반도체 칩의 웨이퍼내에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 칩.
  4. 반도체 칩의 가장자리를 구성하는 비활성영역내에 반도체 칩을 특정하는 코드를 형성하는 반도체 칩 코딩 방법에 있어서, 특정의 반도체소자 형성이 완료된 후 기판의 전면에 중간물질층을 형성하는 공정; 상기 비활성 영역내의특정 위치에 상기 중간물질층을 사진식각하여 코드 패턴을 형성하는 공정; 및 상기 코드 패턴에 따라 이온주입을 수행하여 반도체 칩의 비활성영역내에 반도체 칩을 특정하는 코드를 형성하는 공정; 을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 칩 코딩방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 코드를 형성하는 공정 후에 상기 중간물질층을 제거하는 공정을 더 수행하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 칩 코딩방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 중간물질층을 형성하는 공정은 반도체소자의 형성이 완료된 후 최종적으로 기판전면에 절연보호막을 형성하기 직전에 수행되는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 칩 코딩방법.
  7. 제4항에 있어서, 상기 코드 패턴의 하부의 반도체 웨이퍼상에 특정물질층이잔존하는 경우 상기 특정물질층을 상기 코드 패턴에 따라 식각하는 공정을추가하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 칩 코딩방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950067058A 1995-12-29 1995-12-29 코드화된 반도체 칩 및 코딩방법 KR970053264A (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100401524B1 (ko) * 2001-10-25 2003-10-17 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 불량 어드레스 조사 방법

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