KR980005295A - 정렬 마크(mark) 및 그 제조방법 - Google Patents

정렬 마크(mark) 및 그 제조방법 Download PDF

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KR980005295A
KR980005295A KR1019960019992A KR19960019992A KR980005295A KR 980005295 A KR980005295 A KR 980005295A KR 1019960019992 A KR1019960019992 A KR 1019960019992A KR 19960019992 A KR19960019992 A KR 19960019992A KR 980005295 A KR980005295 A KR 980005295A
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김병찬
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엘지반도체 주식회사
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    • G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark

Abstract

본 발명은 1) 반도체 기판의 소정부위에, 돌출부가 되는 제1막을 형성하는 단계와, 2) 제1막이 형성된 반도체 기판 위 전면에, 고반사도를 갖는 광반사막을 형성하는 단계와, 3) 제1막 위 부분 외의 광반사막을 제거하여 제1막 위에 잔류하는 광반사막으로 구성된 제2막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 정렬 마크 제조방법과 그 방법에 의해 형성된 정렬 마크 구조에 관한 것이다.

Description

정렬 마크(MARK) 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 정렬 마크에 따른 일실시예를 설명하기 위해 도시한 단면도.

Claims (6)

  1. 정렬(Alignment) 마크(Mark)에 있어서, 반도체 기판 위의 소정 부위에 형성되어, 돌출부가 되는 제1막과, 상기 제1막 위에 형성되고, 고반사도를 갖는 광반사막의 제2막을 포함하여 이루어진 정렬 마크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1막은 산화막인 것이 특징인 정렬 마크.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2막은 표면에 요철부가 형성된 물질인 것이 특징인 정렬 마크.
  4. 정렬 마크 제조방법에 있어서, 1) 반도체 기판의 소정부위에, 돌출부가 되는 제1막을 형성하는 단계와, 2) 상기 제1막이 형성된 반도체 기판 위 전면에, 고반사도를 갖는 광반사막을 형성하는 단계와, 3) 상기 제1막 위 부분 외의 상기 광반사막을 제거하여 제1막 위에 잔류하는 광반사막으로 구성된 제2막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 정렬 마크 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 1) 단계의 제1막의 형성은, 1) 반도체 기판 위에 산화방지막을 형성하는 단계와, 2)상기 산화방지막의 소정부위를 제거하여 상기 반도체 기판을 노출시키는 단계와, 3) 상기 산화방지막을 마스크로, 상기 노출된 기판 부위에 국부 산화막을 형성하는 단계와, 4) 상기 산화방지막을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것이 특징인 정렬 마크 제조방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 2) 단계의 제2막은 형성은 표면에 요철부가 형성된 물질로 형성하는 것이 특징인 정렬 마크 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100717805B1 (ko) * 2006-06-16 2007-05-11 삼성에스디아이 주식회사 증착 마스크 조립체

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