KR970004085A - 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법 - Google Patents

박막 트랜지스터 및 그의 제조방법 Download PDF

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KR970004085A
KR970004085A KR1019950014602A KR19950014602A KR970004085A KR 970004085 A KR970004085 A KR 970004085A KR 1019950014602 A KR1019950014602 A KR 1019950014602A KR 19950014602 A KR19950014602 A KR 19950014602A KR 970004085 A KR970004085 A KR 970004085A
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KR1019950014602A
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신재학
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 후면노광에 의하여 게이트 전극을 마스크로 이용하는 자기정렬방식에 의하여 게이트 절연막을 평탄화시키므로서 게이트 전극 상층막의 트폴로지를 개선한 액정표시소자용 박막 트랜지스터 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것이다.
이와같은 본 발명의 박막 트랜지스터는 투명성 기판 위에 형성된 소정의 두께를 갖는 게이트 전극과, 기판위의 게이트 전극과 거의 동일한 두께로서 게이트 전극들 사이에 형성된 제1절연층과, 제1절연층 및 게이트 전극상에 형성된 제2절연층으로 구성된 평탄 게이트 절연층을 포함하는 것을 특징으로 하고, 그 제조방법은 게이트 전극을 포함한 기판상부에 제1절연층을 형성한후, 게이트 전극상부층을 제거하는 공정과, 게이트 전극 상부의 절연층이 제거되어 전체적으로 거의 평탄화된 게이트 전극 및 제1절연층 위에 제2절연층을 형성하는 공정으로 구성된 게이트 절연막 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

박막 트랜지스터 및 그의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 박막 트랜지스터의 제조방법에 대한 일실시예를 순차적으로 설명하기 위한 공정단면도.

Claims (4)

  1. 투광성 기판 표면의 특정영역을 피복하는 게이트 전극과, 상기 기판표면의 노출면 및 게이트 전극을 피복하는 절연층과, 상기 절연층상의 특정영역을 피복하는 반도체층과, 상기 반도체층의 소오스 전극 및 드레인 전극을 구비한 박막 트랜지스터에 있어서, 상기 절연층은 게이트 전극과 거의 동일한 두께로서 게이트 전극들사이에 형성된 제1절연층과, 제1절연층 및 게이트 전극의 표면상 형성된 제2절연층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2절연층은 적어도 1층 이상인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
  3. 투광성 기판표면의 특정영역을 피복하는 게이트전극을 형성하는 공정과, 상기 기판표면의 노출면 및 게이트 전극상부를 피복하는 제1절연막을 형성하는 공정과, 상기 제1절연막 전면에 포토레지스트 층을 형성하는 공정과, 상기 공정 후, 상기 게이트 전극 상부에 형성된 제1절연막상에 있는 포토 레지스트 층을 제거하는 공정과, 상기 게이트 전극위에 있는 제1절연막을 식각하고, 나머지 포토레지스트층을 제거하는 공정과, 상기 제1절연막 표면과 게이트 전극 상부에 제2절연막을 형성하는 공정과, 상기 제2절연막상의 특정영역을 피복하는 반도체층을 형성하는 공정과, 상기 반도체층의 소오스전극 및 드레인 전극을 형성하는 공정으로 이루어지는 박막 트랜지스터 제조방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 포토 레지스터층은 네가티브형이고, 상기 포토레지스트 층을 제거하는 공정단계에서 후면노광이 행해지는 것을 특징으로하는 박막 트랜지스터 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020091705A (ko) * 2001-05-31 2002-12-06 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 박막 트랜지스터 액정표시소자의 제조방법

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