KR950021763A - 박막트랜지스터 제조방법 - Google Patents

박막트랜지스터 제조방법 Download PDF

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KR950021763A
KR950021763A KR1019930031540A KR930031540A KR950021763A KR 950021763 A KR950021763 A KR 950021763A KR 1019930031540 A KR1019930031540 A KR 1019930031540A KR 930031540 A KR930031540 A KR 930031540A KR 950021763 A KR950021763 A KR 950021763A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gate electrode
semiconductor layer
resultant
thin film
film transistor
Prior art date
Application number
KR1019930031540A
Other languages
English (en)
Inventor
김병구
Original Assignee
이헌조
엘지전자 주식회사
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  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

본 발명은 박막트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 종래의 박막트랜지스터에 있어서, 게이트전극의 단차로 인한 게이트전극과 소오스 및 드레인전극간의 단락(short)으로 인한 불량발생 문제를 해결하기 위해 투명절연기판(1)상부에 절연막(2)을 증착하는 공정과, 상기 절연막(2)상에 감광제(3)을 도포한 후, 게이트전극 역상으로 패터닝하는 공정, 상기 감광제패턴(3)을 마스크로하여 상기 절연막(2)을 식각하는 공정, 상기 감광제패턴(3)을 제거하지 않은 상태에서 결과물상에 게이트전극 형성용 금속을 증착하는 공정, 상기 감광제패턴을 리프트오프공정에 의해 제거하여 게이트전극(4)을 형성하는 공정, 상기 결과물 전면에 게이트절연막(5), 비정질반도체층(6), 불순물이 도핑된 반도체층(7)을 차례로 형성하는 공정, 상기 불순물이 도핑된 반도체층(7)및 비정질반도체층(6)을 패터닝하는 공정, 상기 결과물 전면에 금속을 증착하고 패터닝하여 소오스전극 및 드레인전극(8)을 형성하는 공정, 및 결과물 전면에 보호층(9)을 형성하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법을 제공한다.
본 발명에 의하면, 게이트전극을 리프트오프공정을 이용하여 단차없이 형성함으로써 게이트전극과 소오스 및 드레인전극간의 단락발생에 따른 불량을 최소화할 수 있게 되므로 박막트랜지스터의 신뢰성을 향상시킬 수 있게 된다.

Description

박막트랜지스터 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 박막트랜지스터 제조방법을 도시한 공정순서도.
제3도는 본 발명의 다른 실시예에 의한 박막트랜지스터 제조방법을 도시한 공정순서도.

Claims (1)

  1. 투명절연기판(1)상부에 절연막(2)을 증착하는 공정과, 상기 절연막(2)상에 감광제(3)을 도포한 후, 게이트전극 역상으로 패터닝하는 공정, 상기 감광제패턴(3)을 마스크로하여 상기 절연막(2)을 식각하는 공정, 상기 감광제패턴(3)을 제거하지 않은 상태에서 결과물상에 게이트전극 형성용 금속을 증착하는 공정, 상기 감광제패턴을 리프트오프공정에 의해 제거하여 게이트전극(4)을 형성하는 공정, 상기 결과물 전면에 게이트절연막(5), 비정질반도체층(6), 불순물이 도핑된 반도체층(7)을 차례로 형성하는 공정, 상기 불순물이 도핑된 반도체층(7)및 비정질반도체층(6)을 패터닝하는 공정, 상기 결과물 전면에 금속을 증착하고 패터닝하여 소오스전극 및 드레인전극(8)을 형성하는 공정, 및 결과물 전면에 보호층(9)을 형성하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930031540A 1993-12-30 1993-12-30 박막트랜지스터 제조방법 KR950021763A (ko)

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