KR950028168A - 밀착형 이미지센서의 제조방법 - Google Patents

밀착형 이미지센서의 제조방법 Download PDF

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KR950028168A
KR950028168A KR1019940005872A KR19940005872A KR950028168A KR 950028168 A KR950028168 A KR 950028168A KR 1019940005872 A KR1019940005872 A KR 1019940005872A KR 19940005872 A KR19940005872 A KR 19940005872A KR 950028168 A KR950028168 A KR 950028168A
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KR
South Korea
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forming
layer
substrate
intrinsic
image sensor
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Application number
KR1019940005872A
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English (en)
Inventor
전대진
Original Assignee
이헌조
엘지전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 밀착형 이미지센서 제조방법에 관한 것으로, 스위칭소자로 사용되는 비정질실리콘 박막트랜지스터의 제조공정을 개선하여 밀착형 이미지센서의 제조를 용이하게 할 수 있도록 한 것이다.
본 발명은 기판상에 게이트전극을 형성하는 공정과, 상기 기판 전면에 게이트 절연막을 형성하는 공정, 상기 게이트절연막상에 a-Si : H 및 a-SiNx을 연속으로 증착하는 공정, 상기 a-SiNx층을 소정패턴으로 패터닝하여 에치스토퍼를 형성하는 공정, 상기 기판전면에 n+a-SiLH를 증착하여 콘택층을 형성하는 공정, 상기 콘택층상부에 오소스 및 드레인전극을 형성하는 공정, 상기 기판 전면에 인트린직 a-Si : H 와 투명도전층을 연속으로 증착하는 공정, 상기 투명도전층 및 인트린직 a-Si : H 층을 선택적으로 식각하여 소자별로 개별화시키는 공정, 상기 기판 전면에 보호막을 형성하는 공정, 상기 보호막을 선택적으로 식각하여 쓰루홀을 형성하는 공정, 및 상기 보호막 상부 소정영역에 상부전극을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 밀착형 이미지센서 제조방법을 제공한다.

Description

밀착형 이미지센서의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 밀착형 이미지센서 제조방법을 도시한 공정순서도.

Claims (3)

  1. 기판상에 게이트전극을 형성하는 공정과, 상기 기판 전면에 게이트 절연막을 형성하는 공정, 상기 게이트절연막상에 a-Si : H 및 a-SiNx을 연속으로 증착하는 공정, 상기 a-SiNx층을 소정패턴으로 패터닝하여 에치스토퍼를 형성하는 공정, 상기 기판전면에 n+a-SiLH를 증착하여 콘택층을 형성하는 공정, 상기 콘택층상부에 소오스 및 드레인전극을 형성하는 공정, 상기 기판 전면에 인트린직 a-Si : H 와 투명 도전층을 연속으로 증착하는 공정, 상기 투명전도층 및 인트린직 a-Si : H 층을 선택적으로 식각하여 소자별로 개별화시키는 공정, 상기 기판전면에 보호막을 형성하는 공정, 상기 보호막을 선택적으로 식각하여 쓰루홀을 형성하는 공정, 및 상기 보호막 상부 소정영역에 상부전극을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 밀착형 이미지센서 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 투명전도층 및 인트린직 a-Si : H 층을 선택적으로 식각하는 공정시 식각가스로 CCl2F2를 사용하는 것을 특징으로 하는 밀착형 이미지센서 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 투명전도층 및 인트린직 a-Si : H 층을 개별화시키는 공정시 인트린직 a-Si : H 층의 식각이 다 이루어지고 난 다음에 상기 에치스토퍼가 형성된 영역이외의 영역의 상기 n+a-Si:H층이 식각되는 것을 특징으로 하는 밀착형 이미지센서 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940005872A 1994-03-23 1994-03-23 밀착형 이미지센서의 제조방법 KR950028168A (ko)

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