KR970063785A - 액정표시장치의 박막트랜지스터 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 박막트랜지스터는 ITO나 게이트절연막 위에 이온샤우워도핑에 의해 도판트를 도핑한 후, 비정질실리콘으로 이루어진 반도체층을 성막하여 레이저를 1회 조사함으로써 형성된다. 레이저 조사에 의해 ITO나 게이트절연막 위에 도핑된 도판트가 반도체층으로 확산됨과 동시에 활성화되어, 반도체층이 N형 또는 P형 다결정실리콘으로 이루어진 오우믹층과 진성 다결정실리콘으로 이루어진 채널층으로 구성된다. 게이트전극 측면에 금속막과 ITO를 차례로 성막한 후, 이온샤우워도핑과 레이저의 조사에 의해 박막트랜지스터를 형성하면, 금속막이 리던던시의 작용을 하여 신호선의 단선을 방지할 수 있게 된다.

Description

액정표시장치의 박막트랜지스터 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 일실시예에 따른 박막트랜지스터 제조방법을 나타내는 도면.

Claims (14)

  1. 기판 위에 게이트전극을 형성하는 단계와, 게이트전극이 형성된 상기한 기판 전체에 걸쳐서 게이트 절연막을 성막한 후 일정한 폭의 금속막을 성막하여 신호선을 형성하는 단계와, 상기한 게이트절연막 및 신호선 위에 ITO를 성막하고 패터닝하는 단계와, ITO가 성막된 상기한 기판에 도판트를 도핑하는 단계와, 도판트가 도핑된 상기한 기판에 비정질실리콘으로 이루어진 반도체층을 성막하는 단계와, 상기한 반도체층에 레이저를 조사하여 도판트를 활성화하는 동시에 비정질실리콘을 결정화하는 단계와, 상기한 반도체층을 패터닝하여 채널층과 오우믹층을 형성하는 단계와, 채널층과 오우믹층이 형성된 상기한 기판 전체에 걸쳐서 보호막을 성막하는 단계로 구성된 액정표시장치의 박막트랜지스터 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기한 게이트전극이 테이퍼형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 박막트랜지스터 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기한 도판트의 도핑이 이온샤우워도핑에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 박막트랜지스터 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기한 도판트의 도핑시 상기한 게이트전극을 블로킹하기 위해 포토레지스트를 성막하고 패터닝하는 단계가 추가로 구성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 박막트랜지스터 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기한 포토레지스트의 패터닝이 게이트전극을 마스크로 사용하여 배면노광에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 박막트랜지스터 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기한 신호선 위에 형성되는 ITO가 상기한 신호선과 동일한 폭으로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 박막트랜지스터 제조방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기한 레이저의 조사가 1회 실시되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 박막트랜지스터 제조방법.
  8. 기판 위에 게이트전극을 형성하는 단계와, 게이트전극이 형성된 상기한 기판 전체에 걸쳐서 게이트절연막을 형성하는 단계와, 상기한 게이트절연막에 도판트를 도핑하는 단계와, 도판트가 도핑된 상기한 게이트절연막위에 비정질실리콘으로 이루어진 반도체층을 성막하는 단계와, 상기한 반도체층에 레이저를 조사하여 도판트를 활성화시킴과 동시에 비정질 실리콘을 결정화하는 단계와, 상기한 반도체층을 패터닝하여 채널층과 오우믹층을 형성하는 단계와,상기한 오우믹층 위에 ITO를 성막한 후, 금속막을 성막하고 패터닝하여 상기한 ITO위에 소스/드레인전극 및 신호선을 형성하는 단계와, 상기한 기판 전체에 걸쳐서 보호막을 성막하는단계로 구성된 액정표시장치의 박막트랜지스터 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기한 게이트전극이 테이퍼형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 박막트랜지스터 제조방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기한 도판트의 도핑이 이온샤우워도핑에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 박막트랜지스터 제조방법.
  11. 제8항에 있어서, 상기한 도판트의 도핑시 상기한 게이트전극을 블로킹하기 위해 포토레지스트를 성막한 후 패터닝하는 단계가 추가로 구성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 박막트랜지스터 제조방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기한 포토레지스트의 패터닝이 상기한 게이트전극을 마스크로 하여 배면노광에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 박막트랜지스터 제조방법.
  13. 제8항에 있어서, 상기한 레이저의 조사가 1회 실시되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 박막트랜지스터 제조방법.
  14. 제8항에 있어서, 상기한 오우믹층과 ITO 및 소스/드레인전극이 동일한 폭으로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 박막트랜지스터 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960003288A 1996-02-12 1996-02-12 액정표시장치의 박막트랜지스터 제조방법 KR100193348B1 (ko)

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