KR970011964A - 액정표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 대면적 TFT LCD에 사용 가능한 신호지연이 적은 주사선 구조 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 복수개의 주사선과, 상기 복수개의 주사선과 직교하는 복수개의 신호선, 상기 복수개의 주사선과 복수개의 신호선이 직교하는 교차지점에 게이트, 소오스, 드레인전극으로 된 복수개의 박막트랜지스터와 상기 복수개의 박막트랜지스터의 드레인전극에 연결되어 있는 화소전극으로 구성된 액정표시소자에 있어서, 상기 신호선과 교차되는 주사선의 일부와 상기 박막트랜지스터의 게이트전극은 고융점 금속으로 형성되고, 상기 신호선과 상기 박막트랜지스터의 소오스전극 및 드레인전극과 상기 신호선과 교차되는 일부를 제외한 나머지 주사선부분은 저저항 금속으로 형성되며, 상기 주사선과 상기 신호선과 교차되는 주사선의 일부 및 상기 게이트전극과 주사선은 각각 소정의 접촉홀을 통해 연결된 구조로 된 것을 특징으로 하는 액정표시소자를 제공한다.

Description

액정표시장치 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 제1실시예에 의한 액정표시소자의 구조도,
제3도는 본 발명의 제1실시예에 의한 액정표시장치의 제조방법을 도시한 공정순서도,
제4도는 본 발명의 제2실시예에 의한 액정표시소자의 구조도.

Claims (22)

  1. 복수개의 주사선과, 상기 복수개의 주사선과 직교하는 복수개이 신호선, 상기 복수개의 주사선과 복수개의 신호선이 직교하는 교차지점에 게이트, 소오스, 드레인전극으로 된 복수개의 박막트랜지스터와 상기 복수개의 박막트랜지스터의 드레인전극에 연결되어 있는 화소전극으로 구성된 액정표시소자에 있어서, 상기 신호선과 교차되는 주사선의 일부와 상기 박막트랜지스터의 게이트전극은 고융점 금속으로 형성되고, 상기 신호선과 상기 박막트랜지스터의 소오스전극 및 드레인전극과 상기 신호선과 교차되는 일부를 제외한 나머지 주사선부분은 저저항 금속으로 형성되며, 상기 주사선과 상기 신호선과 교차되는 주사선의 일부 및 상기 게이트전극과 주사선은 각각 소정의 접촉홀을 통해 연결된 구조로 된 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  2. 복수개의 주사선과, 상기 복수개의 주사선과 직교하는 복수개의 신호선, 상기 복수개의 주사선과 복수개의 신호선의 직교하는 교차지점에 게이트, 소오스, 드레인전극으로 된 복수개의 박막트랜지스터와 상기 박막트랜지스터의 드레인전극에 연결되어 있는 화소전극으로 구성된 액정표시소자에 있어서, 상기 신호선과 교차되는 주사선의 일부와 상기 박막트랜지스터의 게이트전극은 고융점 금속 또는 불순물이 고농도로 도핑된 폴리실리콘으로 형성하고, 상기 신호선과 상기 박막트랜지스터의 소오스전극 및 드레인전극과 상기 신호선과 교차되는 주사선의 일부를 제외한 나머지 주사선부분은 저저항 금속으로 형성되며, 상기 신호선과 교차되는 주사선의 일부를 제외한 나머지 주사선과 상기 신호선과 교차되는 주사선의 일부는 제1접촉홀과 상기 게이트전극과 상기 신호선과 교차되는 주사선의 일부를 제외한 나머지 주사선은 제2접촉홀을 통해 연결되며, 상기 소오스전극 및 드레인전극은 제3접촉홀을 통해 상기 박막트랜지스터의 활성층의 소오스 및 드레인영역에 각각 연결된 구조로 된 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  3. 투명절연기판위에 고융점 금속층을 형성하는 공정과; 상기 고융점 금속층을 선택적으로 패터닝하여 게이트전극과 소정의 금속층패턴을 형성하는 공정; 기판 전면에 게이트절연막을 형성하는 공정; 상기 전면 반도체층 및 불순물이 도핑된 반도체층을 차례로 형성하는 공정; 상기 불순물이 도핑된 반도체층 및 반도체층을 선택적으로 패터닝하여 박막트랜지스터의 활성층과 오믹콘택층을 형성하는 공정; 상기 제이트절연막상에 선택적으로 화소전극을 형성하는 공정; 상기 게이트절연막을 선택적으로 식각하여 상기 금속층 패턴을 선택적으로 노출시키는 제1접촉홀 및 상기 게이트전극을 선택적으로 노출시키는 제2접촉홀을 형성하는 공정; 기판 전면에 저저항 금속층을 형성하는 공정; 및 상기 저저항 금속층을 선택적으로 패터닝하여 신호선과, 상기 제1접촉홀과 제2접촉홀을 통해 상기 금속층패턴과 게이트전극에 각각 접속되는 주사선과 신호선 및 소오스전극/드레인전극을 동시에 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 접촉홀 및 제2접촉홀은 각각 1×1∼10×10㎡의 크기를 갖는 다수개이 접촉홀로 구성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 고융점금속층은 Cr, Ta, W, Ti 중에서 선택한 어느 하나를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  6. 제3항에 있어서, 상기 금속층패턴은 상기 신호선과 교차되는 주사선 영역에 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  7. 제3항에 있어서, 상기 제1접촉홀은 상기 신호선 양측의 상기 금속층패턴 부분에 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  8. 제3항에 있어서, 상기 화소전극 형성은 상기 주사선과 신호선 및 소오스전극과 드레인전극을 동시에 형성하는 공정후에 기판 전면에 층간절연막을 형성하는 공정과, 상기 층간절연막에 상기 드레인전극의 일부를 노출시키는 접촉홀을 형성하는 공정, 및 상기 접촉홀을 통해 상기 드레인전극에 젭속되는 화소전극을 형성하는 공정과, 상기 전면에 보호막을 형성한 후, 평탄화하는 공정이 더 포함되는 것을 액정표시소자의 제조방법.
  9. 제3항에 있어서, 상기 화소전극 형성은 상기 주사선과 신호선 및 소오스전극과 드레인전극을 동시에 형성하는 공정후에 기판 전면에 보호막을 형성한 후 평탄화하는 공정과, 상기 보호막에 상기 드레인전극의 일부를 노출시키는 접촉홀을 형성하는 공정, 및 상기 접촉홀을 통해 상기 드레인전극에 접속되는 화소전극을 형성하는 공정이 더 포함되는 것을 액정표시소자의 제조방법.
  10. 투명절연기판위에 버퍼층을 형성하는 공정과; 상기 버퍼층상에 반도체층을 형성하는 공정; 상기 반도체층을 패터닝하여 박막트랜지스터의 활성층을 형성하는 공정; 기판 전면에 게이트절연막을 형성하는 공정; 상기 게이트절연막에 고융점 도전막을 형성하는 공정; 상기 고융점 도전막을 패터닝하여 선택적으로 금속층패턴과 게이트전극을 형성하는 공정; 고농도 불순물의 도핑에 의해 상기 활성층의 양단부위에 소오스 및 드레인영역을 형성하는 공정; 기판 전면에 층간절연막을 형성하는 공정; 상기 층간절연막 및 게이트절연막을 선택적으로 식각하여 상기 금속층패턴의 소정부분을 노출시키는 제1콘택홀과 상기 게이트전극의 소정부분을 노출시키는 제2콘택홀 및 상기 활성층의 소오스 및 드레인영역을 각각 노출시키는 제3콘택홀을 형성하는 공정; 상기 층간절연막상에 선택적으로 화소전극을 형성하는 공정; 기판 전면에 저저항금속층을 형성하는 공정; 상기 저저항 금속층을 패터닝하여 상기 제1접촉홀과 제2접촉홀을 통해 상기 금속층패턴과 게이트전극에 각각 접속되는 주사선과 신호선 및, 소오스전극/드레인전극을 동시에 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 액정표시소자의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제1접촉홀과 제2접촉홀 및 제3접촉홀은 각각 1×1∼10×10㎛2의 크기를 갖는 다수개의 접촉홀로 구성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 고융점전도막은 고융점 금속 또는 금속 실리사이드 또는 불순물이 고농도로 도핑된 폴리실리콘 중에서 선택한 하나를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 고융점 금속층은 Cr, Ta, W, Ti 중에서 선택한 어느 하나를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  14. 제10항에 있어서, 상기 금속층 패턴은 상기 신호선과 교차되는 주사선 영역에 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  15. 제10항에 있어서, 상기 제1접촉홀은 상기 신호선 양측의 상기 금속층패턴 부분에 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  16. 제10항에 있어서, 상기 금속층패턴과 게이트전극 형성공정후에 고농도 불순물의 도핑에 의해 소오스 및 드레인 영역을 형성하기 전에 저농도 불순물을 이온 주입하여 LDD 영역을 형성하는 공정이 더 포함되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  17. 제10항에 있어서, 상기 금속층패턴과 게이트전극 형성공정후에 고농도 불순물의 도핑에 의해 소오스 및 드레인영역을 형성하기 전에 게이트와 소오스/드레인 영역 사이에 불순물이 주입되지 않은 오프셋영역을 형성하는 공정이 더 포함되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  18. 트명절연기판 위에 고융점 금속층을 형성하는 공정과; 상기 고융점 금속층을 패터닝하여 게이트전극과 소정의 금속층패턴을 동시에 형성하는 공정; 기판 전면에 게이트절연막을 형성하는 공정; 상기 전면에 반도체층과 절연층을 차례로 형성하는공정; 상기 절연층을 선택적으로 패터닝하여 에치스토퍼를 형성하는 공정; 기판상에 불순물이 도핑된 반도체층을 형성하는 공정; 상기 반도체층 및 불순물이 도핑된 반도체층을 박막트랜지스터 활성층 패턴으로 패터닝하는 공정; 상기 게이트절연막 상부에 선택적으로 화소전극을 형성하는 공정; 상기 게이트절연막을 선택적으로 식각하여 상기 금속층을 선택적으로 노출시키는 제1접촉홀과, 상기 게이트전극을 선택적으로 노출시키는 제2접촉홀을 형성하는 공정; 기판 전면에 저저항 금속층을 형성하는 공정; 및 상기 저저항 금속층을 패터닝하여 상기 제1접촉홀과 제2접촉홀을 통해 상기 금속층패턴과 게이트전극에 각각 접속되는 주사선과, 신호선과 그리고 소오스전극 및 드레인전극을 동시에 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 제1접촉홀과 제2접촉홀을 각각 1×1∼10×10㎛2의 크기를 갖는 다수개의 접촉홀로 구성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  20. 제18항에 있어서, 상기 고융점금속층은 Cr, Ta, W, Ti 중에서 선택한 어느 하나를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  21. 제18항에 있어서, 상기 금속층패턴은 상기 신호선과 교차되는 주사선 영역에 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  22. 제18항에 있어서, 상기 제1접촉홀은 상기 신호선 양측의 상기 금속층패턴 부분에 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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