KR970011965A - 액정표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 폴리실리콘 박막트랜지스터에 있어서 오프셋(offset)영역을 마스크 없이 형성하고, 트랜지스터의 누설전류를 줄이기 위한 것이다.
본 발명은 절연기판과; 상기 절연기판상에 형성되며 소정영역에 고농도 불순물영역에 가진 활성층; 상기 활성층 상부에 형성된 게이트절연막; 상기 게이트절연막 상부에 차례로 형성되며 서로 다른 폭을 갖는 하부게이트전극과 상부게이트전극; 상기 활성츠으이 고농도 불순물영역을노출시키는 콘택홀을 가지면서, 콘택홀 이외의 전면에 형성된 층간절연막; 상기 콘택홀을 통해 상기 활성층의 곤오도 불순물영역에 각각 접속되는 소오스전극 및 드레인전극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

Description

액정표시장치 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 오프셋영역을 갖는 액정표시장치 단면구조도,
제4도는 본 발명의 오프셋영역을 갖는 액정표시장치 제조방법을 도시한 공정 순서도,
제5도는 본 발명의 액정표시장치의 스토리지전극 형성방법을 도시한 공정순서도.

Claims (7)

  1. 절연기판과; 상기 절연기판상에 형성되며 소정영역에 고농도 불순물영역을 가진 활성층; 상기 활성층 상부에 형성된 게이트절연막; 상기 게이트절연막 상부에 차례로 형성되며 서로 다른 폭을 갖는 하부게이트전극과 상부게이트전극; 상기 활성층의 고농도 불순물영역을 노출시키는 콘택홀을 가지면서, 콘택홀 이외의 전면에 형성된 층간절연막; 상기 콘택홀을 통해 상기 활성층의 고농도 불순물영역에 각각 접속되는 소오스전극 및 드레인전주를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 상부게이트전극은 상기 하부게이트전극보다 큰 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 상부게이트전극의 상측 양단부위에서 각각 일정거리 돌출되어 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  4. 절연기판상에 활성층을 형성하는 단계와; 상기 절연기판 전면에 게이트절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트절연막위에 제1도전층 및 제2도전층을 차례로 형성하는 단계; 상기 제2도전층 및 제2도전층을 선택적으로 식각하여 제1, 제2게이트패턴을 동시에 형성하는 단계; 상기 제2게이트패턴을 마스크로 이용하여 상기 제1도전층을 오버에칭하여 상기 제2게이트패턴으로 이루어진 상부게이트전극과 제1게이트패턴으로 이루어진 하부게이트전극을 형성하는 단계; 상기 상부게이트전극을 마스크로 사용하여 상기 게이트절연막 패턴을 형성하는 단계; 상기 활성층의 노출된 부위에 고농도 불순물영역을 형성하는 단계; 상기 절연기판 전면에 층간절연막을 형성하는 단계; 상기 층간절연막을 선택적으로 식각하여 상기 활성층의 고농도 불순물영역을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 층간절연막 전면에 금속층을 형성하는 단계; 및 상기 금속층을 패터닝하여 상기 콘택홀을 통해 상기 고농도 불순물영역에 각각 접속되는 소오스전극과 드레인전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1도전층/제2도전층은 각각 Al, TiSix, Cr, Ta, Mo 중에서 식각 선택성이 있는 물질을 적층하여 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 제1, 제2게이트패턴과 상기 게이트 절연막패턴은 게이트전극용 마스크를 이용하여 상기 제2도전층, 상기 제1도전층, 상기 게이트절연막을 연속적으로 식각하여 형성함을 특징으로 하는 액정표시장치.
  7. 절연기판상에 활성층을 형성하는 단계와; 상기 전면에 게이트절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트절연막 위에 제1도전층 및 제2도전층을 차례로 형성하는 단계; 상기 제2도전층 및 제1도전층을 선택적으로 식각하여 상부게이트전극과 하부게이트전극을 형성함과 동시에 제1, 제2스토리지전극을 형성하는 단계; 상기 활성층의 노출된 부위에 고농도 불순물영역을 형성하는 단계; 상기 전면에 층간절연막을 형성하는 단계; 상기 층간절연막을 선택적으로 식각하여 상기 활성층의 고농도 불순물영역을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 층간절연막 전면에 금속층을 형성하는 단계; 상기 금속층을 패터닝하여 상기 콘택홀을 통해 상기 고농도 불순물영역에 각각 접속되는 소오스전극과 드레인전극을 형성함과 동시에 상기 제1, 제2스토리지 전극 상부에 도전층을 형성하는 단계; 기판 전면에 보호막을 형성하는 단계; 상기 제2스토리지전극 상부의 상기 보호막과 상기 도전층의 소정 부분을 선택적으로 제거하는 단계; 및 상기 스토리지전극 부분을 포함하는 상기 보호막 상부영역에 화소전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100205388B1 (ko) * 1995-09-12 1999-07-01 구자홍 액정표시장치 및 그 제조방법
JPH10163501A (ja) * 1996-11-29 1998-06-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 絶縁ゲイト型トランジスタ
US6501094B1 (en) * 1997-06-11 2002-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a bottom gate type thin film transistor
KR100243297B1 (ko) * 1997-07-28 2000-02-01 윤종용 다결정실리콘 박막 트랜지스터-액정표시장치 및그 제조방법
JP3935246B2 (ja) * 1997-08-18 2007-06-20 エルジー フィリップス エルシーディー カンパニー リミテッド 液晶表示装置
US6104077A (en) * 1998-04-14 2000-08-15 Advanced Micro Devices, Inc. Semiconductor device having gate electrode with a sidewall air gap
US6396147B1 (en) 1998-05-16 2002-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with metal-oxide conductors
US6140162A (en) * 1998-06-19 2000-10-31 Lg Electronics Inc. Reduction of masking and doping steps in a method of fabricating a liquid crystal display
US6617644B1 (en) * 1998-11-09 2003-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
KR100288772B1 (ko) * 1998-11-12 2001-05-02 윤종용 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
US6518594B1 (en) * 1998-11-16 2003-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor devices
US6909114B1 (en) 1998-11-17 2005-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having LDD regions
US6277679B1 (en) 1998-11-25 2001-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing thin film transistor
US6365917B1 (en) * 1998-11-25 2002-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US7235810B1 (en) 1998-12-03 2007-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
KR100361467B1 (ko) * 2000-02-24 2002-11-21 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치의 박막트랜지스터 기판
US7525165B2 (en) * 2000-04-17 2009-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
KR100342306B1 (ko) * 2000-09-05 2002-07-02 윤종용 트랜지스터 및 이의 형성 방법
JP3520417B2 (ja) * 2000-12-14 2004-04-19 セイコーエプソン株式会社 電気光学パネルおよび電子機器
US6686605B2 (en) * 2001-07-27 2004-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and method of manufacturing the same
JP4101533B2 (ja) * 2002-03-01 2008-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半透過型の液晶表示装置の作製方法
KR100915233B1 (ko) * 2002-11-05 2009-09-02 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판
KR100532087B1 (ko) * 2003-06-20 2005-11-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치
US7105391B2 (en) * 2004-03-04 2006-09-12 International Business Machines Corporation Planar pedestal multi gate device
KR101043991B1 (ko) * 2004-07-28 2011-06-24 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
JP5906132B2 (ja) * 2012-05-09 2016-04-20 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP6063766B2 (ja) * 2013-02-20 2017-01-18 株式会社ジャパンディスプレイ 半導体装置
KR102285384B1 (ko) * 2014-09-15 2021-08-04 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판, 그 제조방법 및 표시 장치
CN104952934B (zh) * 2015-06-25 2018-05-01 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及制造方法、阵列基板、显示面板
CN113224172B (zh) * 2021-04-30 2022-11-08 合肥维信诺科技有限公司 薄膜晶体管及其制备方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5543646A (en) * 1988-09-08 1996-08-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Field effect transistor with a shaped gate electrode
JP3226223B2 (ja) * 1990-07-12 2001-11-05 株式会社東芝 薄膜トランジスタアレイ装置および液晶表示装置
JP2702338B2 (ja) * 1991-10-14 1998-01-21 三菱電機株式会社 半導体装置、及びその製造方法
KR100254924B1 (ko) * 1992-10-14 2000-05-01 구자홍 화상표시장치의 제조방법

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