KR970011963A - 액정표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents

액정표시장치 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970011963A
KR970011963A KR1019950025538A KR19950025538A KR970011963A KR 970011963 A KR970011963 A KR 970011963A KR 1019950025538 A KR1019950025538 A KR 1019950025538A KR 19950025538 A KR19950025538 A KR 19950025538A KR 970011963 A KR970011963 A KR 970011963A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
conductive layer
contact hole
layer
substrate
forming
Prior art date
Application number
KR1019950025538A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100338480B1 (ko
Inventor
신우섭
Original Assignee
구자흥
Lg 전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=19423806&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR970011963(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 구자흥, Lg 전자주식회사 filed Critical 구자흥
Priority to KR1019950025538A priority Critical patent/KR100338480B1/ko
Priority to FR9604605A priority patent/FR2737938B1/fr
Priority to DE19624916A priority patent/DE19624916C2/de
Priority to GB9908919A priority patent/GB2333393B/en
Priority to GB9617241A priority patent/GB2307087B/en
Priority to JP21642796A priority patent/JP3734891B2/ja
Priority to US08/781,188 priority patent/US5825449A/en
Publication of KR970011963A publication Critical patent/KR970011963A/ko
Priority to US08/944,967 priority patent/US5828433A/en
Publication of KR100338480B1 publication Critical patent/KR100338480B1/ko
Application granted granted Critical
Priority to JP2004218582A priority patent/JP2004341550A/ja
Priority to JP2005069232A priority patent/JP4180575B2/ja

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13458Terminal pads
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/417Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/41725Source or drain electrodes for field effect devices
    • H01L29/41733Source or drain electrodes for field effect devices for thin film transistors with insulated gate

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)

Abstract

본 발명은 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 단순화된 공정을 통해 불량을 방지하고 수율을 증가시키기 위한 것이다.
본 발명은 기판과 상기 기판상에 제1도전층으로 형성된 게이트전극과, 게이트패드와 소오스패드와 상기 기판전면에 형성된 게이트절연막과 상기 게이트전극상의 게이트절연막상에 형성된 반도체층과 불순물이 포함된 반도체층과 상기 반도체 층상에 형성된 소오스전극 및 드레인전극과 기판 전면에 형성한 보호층과 상기 보호층과 상기 게이트절연막을 식각하여 상기 소오스패드를 노출시키는 제1콘택홀과 상기 드레인전극의 일부를 노출시키는 제2콘택홀과 상기 게이트패드 부분을 노출시키는 제3콘택홀과 상기 소오스전극을 노출시키는 제4콘택홀과 상기 제2콘택홀을 통해 상기 드레인전극과 접속된 화소전극과 상기 제1콘택홀과 상기 제4콘택홀을 통해 상기 소오스패드와 상기 소오스전극을 연결하는 투명도전층을 가지는 것을 특징으로 한다.

Description

액정표시장치 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 액정표시장치 제조방법을 도시한 공정순서도,
제3도는 본 발명의 다른 실시예에 의한 액정표시장치의 제조방법을 도시한 공정순서도,
제4도는 액정표시장치에서 게이트물질과 소오스물질이 연결되는 일예의 회로도.

Claims (7)

  1. 기판과 상기 기판상에 제1도전층으로 형성된 게이트전극과, 게이트패드와 소오스패드와 상기 기판전면에 형성된 게이트절연막과 상기 게이트전극상의 게이트절연막상에 형성된 반도체층과 불순물이 포함된 반도체층과 상기 반도체층상에 형성된 소오스전극 및 드레인 전극과 기판 전면에 형성한 보호층과 상기 보호층과 상기 게이트절연막을 식각하여 상기 소오스패드를 노출시키는 제1콘택홀과 상기 드레인전극의 일부를 노출시키는 제2콘택홀과 상기 게이트패드 부분을 노출시키는 제3콘택홀과 상기 소오스전극을 노출시키는 제4콘택홀과 상기 제2콘택홀을 통해 상기 드레인전극과 접속된 화소전극과 상기 제1콘택홀과 상기 제4콘택홀을 통해 상기 소오스패드와 상기 소오스전극을 연결하는 투명도전층을 가지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  2. 기판상에 제1도전층을 형성하는 단계, 상기 제1도전층을 패터닝하여 게이트 전극과 게이트패드를 각각 형성하는 단계, 기판 전면에 절연막과 반도체층 및 불순물이 포함된 반도체층을 연속적으로 형성하는 단계, 상기 불순물이 포함된 반도체층 및 반도체층을 게이트전극상의 게이트 절연막상에 패터닝하는 단계, 기판 전면에 제2도전층을 형성하는 단계, 상기 제2도전층을 패터닝하여 소오스 전극 및 이에 연결된 소오스패드와 드레인 전극을 형성하는 단계, 기판 전면에 보호막을 형성하는 단계, 상기 보호막 및 상기 절연막을 선택적으로 식각하여 상기 소오스패드를 노출시키는 제1콘택홀과 상기 드레인전극의 일부를 노출시키는 제2콘택홀 및 상기 게이트패드를 노출시키는 제3콘택홀을 각각 형성하는 단계, 기판 전면에 투명도전층을 형성하는 단계, 상기 투명도전층을 패터닝하여 상기 제1콘택홀을 통해 상기 소오스패드와 접속되는 투명도전층 패턴과 상기 제2콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접속되는 화소전극과 상기 제3콘택홀을 통해 상기 게이트패드와 접속되는 투명도전층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  3. 기판상에 제1도전층을 형성하는 단계, 상기 제1도전층을 패터닝하여 게이트 전극과 게이트패드 및 소오스패드를 각각 형성하는 단계, 기판 전면에 절연막과 반도체층 및 불순물이 포함된 반도체층을 연속적으로 형성하는 단계, 상기 불순물이 포함된 반도체층 및 반도체층을 활성층패턴으로 패터닝하는 단계, 기판 전면에 제2도전층을 형성하는 단계, 상기 제2도전층을 패터닝하여 소오스전극 및 드레인전극을 형성하는 단계, 기판 전면에 보호막을 형성하는 단계, 상기 보호막 및 상기 절연막을 선택적으로 식각하여 상기 소오스패드를 노출시키는 제1콘택홀과 상기 드레인전극의 일부를 노출시키는 제2콘택홀, 상기 게이트패드부분을 노출시키는 제3콘택홀 및 상기 소오스전극의 일부를 노출시키는 제4콘택홀을 각각 형성하는 단계, 기판 전면에 투명도전층을 형성하는 단계, 상기 제2콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접속되는 화소전극, 상기 제3콘택홀을 통해 상기 게이트패드와 접속되는 투명도전층과 상기 제1콘택홀과 제4콘택홀을 통해 상기 소오스패드와 상기 소오스전극을 연결하는 투명도전층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
  4. 기판과, 상기 기판상의 소정영역에 형성된 제1도전층, 상기 제1도전층이 형성된 기판 전면에 형성되며, 상기 제1도전층의 소정부분을 노출시키는 제1콘택홀을 갖는 제1절연층, 상기 제1절연층상의 소정영역에 형성된 제2도전층, 상기 제2도전층이 형성된 기판 전면에 형성되며, 상기 제2도전층의 소정 부분 및 상기 제1콘택홀 영역을 노출시키는 제2콘택홀을 갖는 제2절연층, 상기 제2절연층상에 형성되어 상기 제1 및 제2콘택홀을 통해 상기 제1도전층 및 제2도전층과 전기적으로 연결되는 제3도전층을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1도전층은 게이트이고, 제2도전층은 소오스임을 특징으로 하는 액정표시장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 제1도전층은 화소전극 물질로 형성됨을 특징으로 하는 액정표시장치.
  7. 기판상에 제1도전층 패턴을 형성하는 공정과, 기판 전면에 제1절연층을 형성하는 공정, 상기 제1절연층상에 제2도전층패턴을 형성하는 공정, 기판 전면에 제2절연층을 형성하는 공정, 상기 제1절연층 및 제2절연층을 선택적으로 식각하여 상기 제1도전층패턴과 제2도전층패턴을 각각 노출시키는 제1콘택홀 및 제2콘택홀을 형성하는 공정, 및 상기 제2절연층상에 상기 제1 및 제2콘택홀을 통해 상기 제1 및 제2도전층패턴과 전기적으로 연결되는 제3도전층을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950025538A 1995-08-19 1995-08-19 액정표시장치및그제조방법 KR100338480B1 (ko)

Priority Applications (10)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950025538A KR100338480B1 (ko) 1995-08-19 1995-08-19 액정표시장치및그제조방법
FR9604605A FR2737938B1 (fr) 1995-08-19 1996-04-12 Dispositif d'affichage a cristaux liquides et un procede de fabrication d'un tel dispositif
DE19624916A DE19624916C2 (de) 1995-08-19 1996-06-21 Flüssigkristallanzeigevorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
GB9617241A GB2307087B (en) 1995-08-19 1996-08-16 Liquid crystal display device and a method of manufacturing the same
GB9908919A GB2333393B (en) 1995-08-19 1996-08-16 Wiring structure for a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same.
JP21642796A JP3734891B2 (ja) 1995-08-19 1996-08-16 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法
US08/781,188 US5825449A (en) 1995-08-19 1997-01-10 Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
US08/944,967 US5828433A (en) 1995-08-19 1997-10-07 Liquid crystal display device and a method of manufacturing the same
JP2004218582A JP2004341550A (ja) 1995-08-19 2004-07-27 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法
JP2005069232A JP4180575B2 (ja) 1995-08-19 2005-03-11 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950025538A KR100338480B1 (ko) 1995-08-19 1995-08-19 액정표시장치및그제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970011963A true KR970011963A (ko) 1997-03-29
KR100338480B1 KR100338480B1 (ko) 2003-01-24

Family

ID=19423806

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950025538A KR100338480B1 (ko) 1995-08-19 1995-08-19 액정표시장치및그제조방법

Country Status (6)

Country Link
US (2) US5825449A (ko)
JP (3) JP3734891B2 (ko)
KR (1) KR100338480B1 (ko)
DE (1) DE19624916C2 (ko)
FR (1) FR2737938B1 (ko)
GB (1) GB2307087B (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100289510B1 (ko) * 1997-05-26 2001-05-02 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시 티에프티어레이기판및그것을이용한액정표시장치
KR100555309B1 (ko) * 2003-11-04 2006-03-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 표시 소자용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR100687330B1 (ko) * 2000-12-29 2007-02-27 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 박막트랜지스터의 제조방법과 이를 실시하기 위한 공정챔버
KR102258925B1 (ko) * 2020-07-29 2021-06-01 (주)동진테크 유체 이물질 확인용 점검장치

Families Citing this family (85)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100204071B1 (ko) * 1995-08-29 1999-06-15 구자홍 박막트랜지스터-액정표시장치 및 제조방법
CN103956361A (zh) * 1995-10-03 2014-07-30 精工爱普生株式会社 有源矩阵基板的制造方法和薄膜元件的制造方法
JP3527009B2 (ja) * 1996-03-21 2004-05-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
KR100223153B1 (ko) * 1996-05-23 1999-10-15 구자홍 액티브 매트릭스 액정표시장치의 제조방법 및 액티브매트릭스액정표시장치
KR100255591B1 (ko) 1997-03-06 2000-05-01 구본준 박막 트랜지스터 어레이의 배선 연결 구조 및 그 제조 방법
KR100255592B1 (ko) * 1997-03-19 2000-05-01 구본준 액정 표시 장치 구조 및 그 제조 방법
JP3883641B2 (ja) * 1997-03-27 2007-02-21 株式会社半導体エネルギー研究所 コンタクト構造およびアクティブマトリクス型表示装置
JP3856901B2 (ja) 1997-04-15 2006-12-13 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR100269520B1 (ko) * 1997-07-29 2000-10-16 구본준 박막트랜지스터, 액정표시장치와 그 제조방법
KR100243914B1 (ko) * 1997-07-29 2000-02-01 구본준 액정표시패널의 탭패드부 구조 및 그 제조방법
JP5043072B2 (ja) * 1997-10-14 2012-10-10 三星電子株式会社 液晶表示装置用基板、液晶表示装置及びその製造方法
TW413955B (en) * 1997-10-18 2000-12-01 Samsung Electronics Co Ltd Liquid crystal displays and manufacturing methods thereof
JP3102392B2 (ja) * 1997-10-28 2000-10-23 日本電気株式会社 半導体デバイスおよびその製造方法
KR100322965B1 (ko) * 1998-03-27 2002-06-20 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 액정표시소자의 제조방법
US6049365A (en) * 1998-05-07 2000-04-11 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Liquid crystal displaying apparatus with a converter not exposed to liquid crystal
KR100556345B1 (ko) * 1998-11-24 2006-04-21 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계방식 액정표시소자의 제조방법
TW413949B (en) * 1998-12-12 2000-12-01 Samsung Electronics Co Ltd Thin film transistor array panels for liquid crystal displays and methods of manufacturing the same
US6287899B1 (en) 1998-12-31 2001-09-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panels for a liquid crystal display and a method for manufacturing the same
KR100580825B1 (ko) * 1999-01-29 2006-05-16 삼성전자주식회사 액티브 메트릭스 기판 제조방법 및 이에 의해 제조되는 게이트
KR100312259B1 (ko) * 1999-02-05 2001-11-03 구본준, 론 위라하디락사 액정표시장치의 불량패턴 제거방법 및 액정표시장치 구조
US7339568B2 (en) * 1999-04-16 2008-03-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Signal transmission film and a liquid crystal display panel having the same
KR100304261B1 (ko) * 1999-04-16 2001-09-26 윤종용 테이프 캐리어 패키지, 그를 포함한 액정표시패널 어셈블리,그를 채용한 액정표시장치 및 이들의 조립 방법
KR100301667B1 (ko) * 1999-05-21 2001-09-26 구본준, 론 위라하디락사 액정표시소자와 그 제조 방법
JP2001053283A (ja) 1999-08-12 2001-02-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
KR100299537B1 (ko) * 1999-08-31 2001-11-01 남상희 엑스-선 검출용 박막트랜지스터 기판 제조방법
KR100348995B1 (ko) * 1999-09-08 2002-08-17 엘지.필립스 엘시디 주식회사 4 마스크를 이용한 액정표시소자의 제조방법 및 그에 따른 액정표시소자
CN1195243C (zh) * 1999-09-30 2005-03-30 三星电子株式会社 用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列屏板及其制造方法
JP4190118B2 (ja) * 1999-12-17 2008-12-03 三菱電機株式会社 半導体装置、液晶表示装置および半導体装置の製造方法
JP5408829B2 (ja) 1999-12-28 2014-02-05 ゲットナー・ファンデーション・エルエルシー アクティブマトリックス基板の製造方法
KR100673331B1 (ko) * 2000-02-19 2007-01-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 따른액정표시장치
KR100658978B1 (ko) * 2000-02-21 2006-12-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 엑스레이 디텍터용 어레이기판 제조방법
JP4118484B2 (ja) 2000-03-06 2008-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2001257350A (ja) 2000-03-08 2001-09-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP4118485B2 (ja) 2000-03-13 2008-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4700160B2 (ja) 2000-03-13 2011-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP4683688B2 (ja) 2000-03-16 2011-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
JP4393662B2 (ja) * 2000-03-17 2010-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
JP4785229B2 (ja) * 2000-05-09 2011-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI253538B (en) * 2000-09-30 2006-04-21 Au Optronics Corp Thin film transistor flat display and its manufacturing method
US6757031B2 (en) * 2001-02-09 2004-06-29 Prime View International Co., Ltd. Metal contact structure and method for thin film transistor array in liquid crystal display
KR100704510B1 (ko) * 2001-02-12 2007-04-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계형 액정표시장치용 하부 기판 및 그의 제조방법
JP4646420B2 (ja) * 2001-02-28 2011-03-09 三菱電機株式会社 薄膜トランジスタアレイ基板およびそれを用いた表示装置
US7071037B2 (en) 2001-03-06 2006-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR100731037B1 (ko) * 2001-05-07 2007-06-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100796749B1 (ko) 2001-05-16 2008-01-22 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판
KR100792466B1 (ko) * 2001-05-21 2008-01-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판 및 그의 제조방법
KR100776768B1 (ko) * 2001-07-21 2007-11-16 삼성전자주식회사 액정표시패널용 기판 및 그 제조방법
KR100483358B1 (ko) * 2001-09-07 2005-04-14 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
US7045373B2 (en) * 2001-09-25 2006-05-16 Hannstar Display Corp. Manufacturing method for in-plane switching mode LCD unit with fewer masking process
JP2003255381A (ja) * 2001-12-28 2003-09-10 Advanced Display Inc 画像表示装置およびその製造方法
TW594193B (en) * 2002-02-06 2004-06-21 Au Optronics Corp Pixel structure and method for repairing the same
JP4604440B2 (ja) * 2002-02-22 2011-01-05 日本電気株式会社 チャネルエッチ型薄膜トランジスタ
JP4216092B2 (ja) * 2002-03-08 2009-01-28 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP3989763B2 (ja) * 2002-04-15 2007-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体表示装置
JP3872377B2 (ja) 2002-04-30 2007-01-24 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 画像表示素子および画像表示装置
US6897099B2 (en) * 2002-07-23 2005-05-24 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Method for fabricating liquid crystal display panel
KR100905409B1 (ko) * 2002-12-26 2009-07-02 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100926433B1 (ko) * 2002-12-31 2009-11-12 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2004212933A (ja) * 2002-12-31 2004-07-29 Lg Phillips Lcd Co Ltd 液晶表示装置及びアレイ基板の製造方法
TW594337B (en) * 2003-02-14 2004-06-21 Quanta Display Inc Method of forming a liquid crystal display panel
JP3770240B2 (ja) * 2003-02-20 2006-04-26 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
KR100598737B1 (ko) 2003-05-06 2006-07-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법
KR100675632B1 (ko) * 2003-09-08 2007-02-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 패턴형성방법 및 이를 이용한 액정표시장치의 제조방법
KR100560399B1 (ko) * 2003-11-04 2006-03-14 엘지.필립스 엘시디 주식회사 수평 전계 인가형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101006438B1 (ko) * 2003-11-12 2011-01-06 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
KR100615211B1 (ko) 2004-02-26 2006-08-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법
KR101023978B1 (ko) * 2004-03-18 2011-03-28 삼성전자주식회사 반투과 액정표시장치의 제조방법과 이에 의한 액정표시장치
KR101043992B1 (ko) * 2004-08-12 2011-06-24 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
KR100654569B1 (ko) * 2004-12-30 2006-12-05 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법
JP2008020772A (ja) * 2006-07-14 2008-01-31 Epson Imaging Devices Corp 液晶表示パネル
KR100805124B1 (ko) 2007-03-05 2008-02-21 삼성에스디아이 주식회사 표시 장치의 제조 방법 및 표시 장치
US20100271564A1 (en) * 2007-12-20 2010-10-28 Yukinobu Nakata Active matrix substrate, liquid crystal display device having the substrate, and manufacturing method for the active matrix substrate
KR20110056542A (ko) * 2008-09-12 2011-05-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
JP4752967B2 (ja) 2009-01-27 2011-08-17 カシオ計算機株式会社 多層膜の形成方法及び表示パネルの製造方法
JP5146477B2 (ja) 2010-03-12 2013-02-20 カシオ計算機株式会社 トランジスタアレイ基板及びその製造方法
KR101701229B1 (ko) 2010-04-19 2017-02-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 이의 제조 방법
CN101840120B (zh) * 2010-04-23 2012-02-22 昆山龙腾光电有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法和液晶显示装置
EP2587472B1 (en) * 2010-06-24 2020-11-11 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device and process for production thereof
CN102156369B (zh) * 2011-01-18 2013-09-04 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管液晶显示阵列基板及其制造方法
JP6028332B2 (ja) * 2012-01-12 2016-11-16 セイコーエプソン株式会社 液晶装置、及び電子機器
KR101466556B1 (ko) * 2012-03-29 2014-11-28 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20140020565A (ko) * 2012-08-09 2014-02-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조방법
TWI471949B (zh) 2012-11-16 2015-02-01 Innocom Tech Shenzhen Co Ltd 薄膜電晶體基板與顯示器
KR101844284B1 (ko) * 2013-10-07 2018-04-02 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 그의 제조방법
US10210760B2 (en) 2016-09-21 2019-02-19 Dura Operating, Llc System and method for autonomous parking of a vehicle

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3902790A (en) * 1974-01-14 1975-09-02 Hughes Aircraft Co Liquid crystal display pattern
GB2118346B (en) * 1982-04-01 1985-07-24 Standard Telephones Cables Ltd Scanning liquid crystal display cells
US6294796B1 (en) * 1982-04-13 2001-09-25 Seiko Epson Corporation Thin film transistors and active matrices including same
JP2620240B2 (ja) * 1987-06-10 1997-06-11 株式会社日立製作所 液晶表示装置
US5327001A (en) * 1987-09-09 1994-07-05 Casio Computer Co., Ltd. Thin film transistor array having single light shield layer over transistors and gate and drain lines
US5229644A (en) * 1987-09-09 1993-07-20 Casio Computer Co., Ltd. Thin film transistor having a transparent electrode and substrate
JP2786628B2 (ja) * 1987-10-15 1998-08-13 シャープ株式会社 液晶パネルの電極構造
US5187604A (en) * 1989-01-18 1993-02-16 Hitachi, Ltd. Multi-layer external terminals of liquid crystal displays with thin-film transistors
US5162901A (en) * 1989-05-26 1992-11-10 Sharp Kabushiki Kaisha Active-matrix display device with added capacitance electrode wire and secondary wire connected thereto
JPH06208132A (ja) * 1990-03-24 1994-07-26 Sony Corp 液晶表示装置
US5162933A (en) * 1990-05-16 1992-11-10 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Active matrix structure for liquid crystal display elements wherein each of the gate/data lines includes at least a molybdenum-base alloy layer containing 0.5 to 10 wt. % of chromium
JP3024661B2 (ja) * 1990-11-09 2000-03-21 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板及びその製造方法
KR960010723B1 (ko) * 1990-12-20 1996-08-07 가부시끼가이샤 한도오따이 에네루기 겐큐쇼 전기광학장치
KR940000504B1 (ko) * 1991-03-20 1994-01-21 삼성전자 주식회사 반도체장치의 층간콘택구조 및 그 제조방법
EP0530834B1 (en) * 1991-09-05 1996-12-04 Casio Computer Company Limited Thin-film transistor and method of manufacturing the same
JPH05249478A (ja) * 1991-12-25 1993-09-28 Toshiba Corp 液晶表示装置
US5233448A (en) * 1992-05-04 1993-08-03 Industrial Technology Research Institute Method of manufacturing a liquid crystal display panel including photoconductive electrostatic protection
US5317192A (en) * 1992-05-06 1994-05-31 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Semiconductor contact via structure having amorphous silicon side walls
JP3200639B2 (ja) * 1992-05-19 2001-08-20 カシオ計算機株式会社 薄膜トランジスタパネルの製造方法
KR950008931B1 (ko) * 1992-07-22 1995-08-09 삼성전자주식회사 표시패널의 제조방법
US5737272A (en) * 1992-09-08 1998-04-07 Seiko Epson Corporation Liquid crystal display apparatus, structure for mounting semiconductor device, method of mounting semiconductor device, electronic optical apparatus and electronic printing apparatus
JP2895700B2 (ja) * 1993-01-20 1999-05-24 シャープ株式会社 アクティブマトリクス表示素子
JP2915732B2 (ja) * 1993-02-01 1999-07-05 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板
FR2704074B1 (fr) * 1993-04-15 1995-06-02 France Telecom Procédé de réalisation d'une cellule d'affichage avec reprise de contre-électrode.
JPH06313899A (ja) * 1993-04-30 1994-11-08 Sharp Corp 液晶表示装置
JPH06347827A (ja) * 1993-06-07 1994-12-22 Hitachi Ltd 液晶表示装置およびその製造方法
JPH07146481A (ja) * 1993-11-25 1995-06-06 Hitachi Ltd 液晶表示基板
KR970010774B1 (ko) * 1993-12-22 1997-06-30 엘지전자 주식회사 액정표시장치용 박막트랜지스터 및 이의 결함제거방법
US5650636A (en) * 1994-06-02 1997-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix display and electrooptical device
US5486082A (en) * 1994-07-07 1996-01-23 Feldman; Zeiylik Y. Remotely controlled extendable lift apparatus for a van
KR970011972A (ko) * 1995-08-11 1997-03-29 쯔지 하루오 투과형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100192507B1 (ko) * 1996-01-18 1999-06-15 구자홍 티에프티-엘씨디의 구조 및 제조방법
KR100194679B1 (ko) * 1996-05-21 1999-07-01 윤종용 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100289510B1 (ko) * 1997-05-26 2001-05-02 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시 티에프티어레이기판및그것을이용한액정표시장치
KR100687330B1 (ko) * 2000-12-29 2007-02-27 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 박막트랜지스터의 제조방법과 이를 실시하기 위한 공정챔버
KR100555309B1 (ko) * 2003-11-04 2006-03-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 표시 소자용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR102258925B1 (ko) * 2020-07-29 2021-06-01 (주)동진테크 유체 이물질 확인용 점검장치

Also Published As

Publication number Publication date
GB2307087A (en) 1997-05-14
DE19624916C2 (de) 2003-05-22
JPH09120083A (ja) 1997-05-06
JP3734891B2 (ja) 2006-01-11
FR2737938B1 (fr) 1999-05-07
FR2737938A1 (fr) 1997-02-21
GB9617241D0 (en) 1996-09-25
JP2004341550A (ja) 2004-12-02
KR100338480B1 (ko) 2003-01-24
GB2307087B (en) 2000-03-22
JP2005242372A (ja) 2005-09-08
DE19624916A1 (de) 1997-02-20
JP4180575B2 (ja) 2008-11-12
US5828433A (en) 1998-10-27
US5825449A (en) 1998-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970011963A (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR970022459A (ko) 액정표시장치
KR950019870A (ko) 신호 라인과 픽셀 전극 사이의 단락 회로를 방지할 수 있는 액정표시(lcd) 장치 및 이의 제조 방법
KR970011965A (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR960029834A (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR890011099A (ko) 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법
KR970076033A (ko) 액정표시장치의 제조방법
KR970022414A (ko) 액정표시 소자의 제조방법
KR970066689A (ko) 액정표시장치의 구조 및 제조방법
KR960001843A (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR970022448A (ko) 액정표시장치의 구조 및 제조방법
KR980003736A (ko) 액정표시장치의 제조방법
KR970028767A (ko) 액정표시장치의 구조 및 그 제조 방법
KR970028753A (ko) 액정 표시 소자의 제조 방법
KR960001841A (ko) 액정표시장치의 제조방법
KR970054526A (ko) 박막트랜지스터-액정표시장치 및 그 제조방법
KR100646780B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR970075984A (ko) 액티브매트릭스기판의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조되는 액티브매트릭스기판
KR100490057B1 (ko) 액정표시장치및그제조방법
KR100516058B1 (ko) 액정표시장치
KR970048854A (ko) 액정표시장치의 제조방법
KR960024590A (ko) 배선간 쇼트 회로 방지 기능을 갖는 액정 디스플레이 및 그 제조 방법
KR970016714A (ko) 액정표시장치의 제조방법
KR960042173A (ko) 박막트랜지스터-액정표시장치 제조방법
KR960001840A (ko) 액정표시장치 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment
FPAY Annual fee payment
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150429

Year of fee payment: 14

EXPY Expiration of term