KR100731037B1 - 액정표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
즉, 상기 박막트랜지스터의 소스 전극(106)은 상기 데이터 라인(111)에 연결되고 상기 박막트랜지스터의 게이트 전극(102)은 상기 게이트 라인(112)에 연결되어 있으며, 상기 화소전극(109)은 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극(107)에 전기적으로 연결되어 있다.
상기와 같은 구성을 갖는 종래의 액정표시장치에서 박막트랜지스터와 화소전극의 단면 구조를 살펴보면 다음과 같다.
그리고 도면에는 도시되지 않았지만, 상부 절연기판에는 상기 화소영역을 제외한 부분에 빛이 투과되지 못하도록 하기 위하여 박막트랜지스터 및 게이트 라인 및 데이터 라인에 상응하는 부분에 블랙매트릭스가 형성되고 상기 화소영역에 해당되는 부분에는 칼라필터층이 형성된다.
이때, 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극(207)은 상기 화소 전극(209)의 소정 영역까지 길게 연장되지 않았고, 상기 드레인 전극(207)의 소정 부위와 화소 영역의 소정부위에 걸쳐 콘택홀(210)이 형성되어 이 콘택홀(210)을 통해 상기 화소 전극(209)과 상기 드레인 전극(207)이 연결된다.
이와 같은 구성을 갖는 본 발명에 따른 액정표시장치에서 박막트랜지스터와 화소 전극의 단면 구조를 살펴보면 다음과 같다.
또한, 상기 게이트 절연막(203)상의 데이터 라인 형성 영역 및 박막트랜지스터가 형성될 상기 게이트 전극(212) 상측에 반도체층(204)이 형성되고, 상기 반도체층(204)상에 도전성 금속으로 이루어진 박막트랜지스터의 소오스 전극(206)을 구비한 데이터 라인(211) 및 상기 소오스 전극(206)에 대향된 부분에 박막트랜지스터의 드레인 전극(207)이 형성된다. 그리고, 상기 반도체층(204)과 상기 소오스 및 드레인 전극(206, 207) 사이에 오믹 콘택층(Ohmic contact layer)(205)이 형성되고, 상기 소오스/드레인 전극(206, 207)을 포함한 기판 전면에 실리콘 질화물(SiNx) 재질의 보호막(208)이 형성되어 있다. 상기 드레인 전극(207)은 화소 영역에 길게 연장되지 않도록 형성되고, 상기 드레인 전극(207)의 일측 및 화소 영역에 걸쳐 상기 보호막(208)내에 상기 드레인 전극(207)과 화소 전극(209)을 연결하기 위한 콘택홀(210)이 형성된다. 그리고, 상기 보호막 상의 화소 영역에 상기 콘택홀(210)을 통해 상기 드레인 전극(107)에 전기적으로 연결되도록 ITO(Indium Tin Oxide) 등의 화소전극(209)이 형성된다.
여기서, 상기 콘택홀(210)은 드레인 전극의 일부가 노출되고 상기 드레인 전극(207)에 인접한 화소 영역의 절연기판(201)이 노출되도록 보호막(209) 및 게이트 절연막(203)이 제거되어 형성될 수 있으며, 상기 반도체층(204)은 박막트랜지스터 형성 영역에만 섬 모양으로 형성되어도 무방하다.
즉, 종래 기술에 따른 액정표시장치에서는, 드레인 전극 상측의 보호막을 선택적으로 제거하여 드레인 전극의 소정부위가 드러나도록 콘택홀을 형성한 후 상기 드레인 전극과 화소전극을 연결하였다. 따라서 상기 콘택홀은 액정표시장치의 평면도를 기준으로 도시하게 되면 일정 면적을 갖는 드레인 전극의 내부에 위치하게 된다(도 1a 참조).
그러나, 본 발명에 따른 액정표시장치는 상기 드레인 전극(207)을 짧게 형성하면서 상기 콘택홀(210)을 상기 드레인 전극(207)의 에지 부위와 상기 드레인 전극(207)에 인접한 화소영역에 걸쳐 형성되도록 상기 보호막(208)을 선택적으로 제거하여 형성한다. 따라서, 상기 콘택홀(210)에 의해 드러나는 부위는 드레인 전극(207)의 일부(에지 부위)와 화소영역의 절연기판(201)의 일부(에지 부위)가 된다.
그리고 도면에는 도시되지 않았지만, 상부의 절연기판의 상기 화소영역을 제외한 부분에는 빛이 투과되지 못하도록 하기 위하여 상기 박막트랜지스터 및 게이트 라인 및 데이터 라인에 상응하는 부분에 블랙매트릭슥 형성되고, 상기 화소영역에 해당되는 부분에는 칼라필터층이 형성된다. 이와 같은 상 하부의 절연기판이 일정한 간격을 갖고 합착되고 그 사이에 액정이 주입된다.
상기와 같은 본 발명의 특징에 따른 액정표시장치는 종래 기술에 비해, 콘택홀의 위치는 변경하지 않고 드레인 전극의 형성 면적을 줄인 것으로서 개구율 향상의 효과가 있다.
Claims (4)
- 화소영역을 정의하기 위하여 복수개의 게이트 라인 및 데이터 라인이 교차 배열되고 각 교차영역에 박막트랜지스터 및 화소전극이 형성된 액정표시장치에 있어서,상기 박막트랜지스터의 드레인 전극과 상기 화소영역의 화소전극이 전기적으로 연결되는 부위인 콘택홀이 상기 드레인 전극과 상기 화소영역에 걸쳐 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 박막트랜지스터 및 화소전극은,절연기판 상에 형성되어 있는 게이트 전극과,상기 게이트 전극을 포함한 기판 전면에 형성되어 있는 게이트 절연막과,상기 게이트 절연막 상에 차례로 적층, 형성되어 있는 반도체층, 오믹콘택층과,상기 오믹 콘택층 상의 좌우에 형성되어 있는 소스/드레인 전극과,상기 소스/드레인 전극을 포함한 기판 전면에 형성되어 있는 보호막과,상기 드레인 전극과 향후 화소전극이 형성될 영역의 상기 절연기판이 드러나도록 상기 보호막을 식각하여 형성된 콘택홀과,상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 연결되도록 형성되어 있는 화소전극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 화소영역을 정의하기 위하여 복수개의 게이트 라인 및 데이터 라인이 교차 배열되고 각 교차영역에 박막트랜지스터 및 화소전극이 형성된 액정표시장치의 제조에 있어서,절연기판 상에 게이트전극을 형성하는 공정;상기 게이트전극을 포함한 기판 전면에 게이트 절연막을 형성하는 공정;상기 게이트절연막 상에 오믹콘택층과 반도체층을 차례로 형성하는 공정;상기 반도체층 상의 좌우에 각각 소스/드레인 전극을 형성하는 공정;상기 소스/드레인 전극을 포함한 기판 전면에 보호막을 형성하는 공정;상기 드레인 전극과 향후 화소전극이 형성될 영역의 상기 절연기판이 드러나도록 상기 보호막을 식각하여 콘택홀을 형성하는 공정;상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 화소전극을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
- 제 3 항에 있어서, 상기 콘택홀은 상기 드레인 전극의 모서리부분과 상기 모서리부분에 인접한 화소영역에 걸쳐 형성됨을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
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