KR980003736A - 액정표시장치의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액티브 매트리스형 액정표시장치의 제조방법에 관한 것으로, 더 상세히는 액정 표시장치에서 크로스 오버층의 스텝 커버리지를 개선하여 단차부에 의한 단선을 방지할 수 있는 액정표시장치의 제조방법에 관한 것으로, 투명유리기판에 제1금속층을 증착하고, 증착된 상기 제1금속층에 포토레지스트를 도포하고 마스크를 상기 포토레시스트를 노광 및 현상공정을 거친 후 상기 제1금속층을 애칭하여 소망하는 형태로 패터닝하고, 패터닝된 상기 제1금속층에 절연층을 형성하고, 상기 절연층위에 제2금속층을 형성하는 공정을 포함하는 액정표시장치의 제조방법에 있어서, 상기 제1금속층에 포토레지스트를 도포하고, 경계면의 일부가 최소한 노광기의 해상도 보다 작은 라인 앤드 스페이스 패턴을 갖는 마스크를 사용하여 상기 포토레시스트를 노광 및 현상공정을 거친 후, 상기 제1금속층을 에칭하고, 에칭된 상기제1금속층 상에 절연막을 형성하고, 상기 절연막상에 제2금속층을 형성하는 단계를 포함하고 있다.

Description

액정표시장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 액정표시장치를 회로도로 나타낸 도면이다.
제2a도는 박막트랜지스터 어레이를 갖춘 액정표시장치에서 액정표시소자의 일부를 나타내는 평면도이다.
제2b도는 제2a도 박막 트랜지스터 부분을 A-A′절단한 단면도를 나타내는 도면이다.

Claims (10)

  1. 제1층에 금속을 증착하여 제1금속층을 형성하고; 상기 제1금속층에 포토레시스트를 도포하고; 소망하는 패턴형태를 가지며, 그 경계면의 일부가 최소한 노광기의 해상도 보다 작은 라인 앤드 스페이스 부분을 갖는 마스트를 사용하여 상기 포토레시스트를 노광한 후 현상하고; 상기 제1금속층을 에칭하여 소망하는 형태의 패턴으로 만들고; 패터닝된 상기 제1금속층에 절연층을 형성하고; 상기 절연층위에 제2금속층을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 마스크의 라인 앤드 스페이스 형태에서, 라인간의 간격이 2㎛ 이하인 액정표시장치의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 마스크의 라인 앤드 스페이스 패턴은 마스크의 주 경게면으로부터 밖을 향해 돌출된 복수개의 라인부분과 라인과 라인 사이의 스페이스부분으로 이루어진 빗살형태인 액정표시장치의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 라인 앤드 스페이스패턴은 상기 마스크의 주 경계면의 안쪽에 형성되어 빗살형태인 액정표시장치의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1층은 투명유리기판, 패터닝된 상기 제1금속층은 게이트라인, 상기 제2금속층은 소스라인인 액정표시장치의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 패터닝된 상기 제1금속층은 소스전극 및 드레인전극이고 상기 제2금속층은 상기 드레인전극과 화소전극을 연결하는 금속층인 액정표시장치의 제조방법.
  7. 투명유리기판에 금속을 중착하여 제1금속층을 형성하고; 상기 제1금속층에 포토레시스트를 도포하고; 소망하는 패턴형태를 갖는 마스크를 사용하여 상기 포토레시스트를 노광한 후 현상하고; 상기 제1금속층을 에칭하여 게이트전극을 만들고; 상기 게이트전극위에 절연층을 형성하고; 상기 절연층위에 i형 반도체층을 형성하고; 상기 i형 반도체층위에 N+형 반도체층을 형성하고; 상기 N+형 반도체층위에 소스 및 드레인 전극이 되는제2금속층을 형성하고; 소망하는 패턴형태를 가지며, 경계면의 일부가 최소한 노광기의 해상도 보다 작은 라인 앤드 스페이스 부분을 갖는 마스크를 사용하여 상기 포토레시스트를 노광한 후 현상하고; 상기 제2금속층을 에칭하여 소스전극 및 드레인전극을 형성하고; 상기 소스 및 드레인 전극 위에 보호절연층을 형성하고; 상기보호절연층위에 콘택트를 형성하고 상기 보호절연층위에 제3금속층을 형성하여 상기 드레인전극과 화소전극을 전기적으로 연결하는 과정을 포함하는 액정표시장치에서의 박막트랜지스터 제조방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 마스크의 라인 앤드 스페이스 부분에서, 라인간의 간격이 2㎛ 이하인 액정표시장치의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 마스크의 라인 앤드 스페이스 부부는 마스크의 주 경계면으로부터 밖을 향해 돌출된 복수개의 라인부분과 라인과 라인 사이의 스페이스부분으로 이루어진 빗살형태인 액정표시장치의 제조방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 라인 앤드 스페이스 부분이 상기 마스크의 주 경계면을 따라 복수개 형성되어 있는 액정표시장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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US08/799,416 US6043000A (en) 1996-06-12 1997-02-12 Method for manufacturing a semiconductor device
JP14379397A JP4166300B2 (ja) 1996-06-12 1997-06-02 液晶表示装置の製造方法
GB9711349A GB2314209B (en) 1996-06-12 1997-06-02 Liquid crystal displays
FR9706862A FR2750797B1 (fr) 1996-06-12 1997-06-04 Procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteur notamment d'un dispositif d'affichage a cristal liquide
DE19724245A DE19724245B4 (de) 1996-06-12 1997-06-09 Flüssigkristallanzeige und Herstellungsverfahren dafür
US09/482,855 US6395457B1 (en) 1996-06-12 2000-01-14 Method for manufacturing a semiconductor device

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100595416B1 (ko) * 1998-09-11 2006-09-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 회절노광을 이용한 액정 표시 장치 제조 방법

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100229611B1 (ko) * 1996-06-12 1999-11-15 구자홍 액정표시장치의 제조방법
KR100288150B1 (ko) * 1997-11-27 2001-05-02 구본준 액정표시장치의 제조방법
US7083900B2 (en) * 1997-11-27 2006-08-01 Lg Electronics Inc. Method for manufacturing a liquid crystal display device
US6206848B1 (en) * 1998-06-04 2001-03-27 Alcon Laboratories, Inc. Liquefracture handpiece
US6161923A (en) * 1998-07-22 2000-12-19 Hewlett-Packard Company Fine detail photoresist barrier
KR100364832B1 (ko) * 2000-05-18 2002-12-16 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시장치 제조방법
KR100494683B1 (ko) * 2000-05-31 2005-06-13 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 4-마스크를 이용한 박막 트랜지스터 액정표시장치의제조시에 사용하는 할프톤 노광 공정용 포토 마스크
US6960510B2 (en) * 2002-07-01 2005-11-01 International Business Machines Corporation Method of making sub-lithographic features
TWI296059B (en) * 2004-05-14 2008-04-21 Innolux Display Corp Photo mask and method of manufacturing slant reflected bumps using same
KR100873275B1 (ko) * 2007-03-19 2008-12-11 매그나칩 반도체 유한회사 이미지센서의 제조 방법
KR101143837B1 (ko) * 2007-10-15 2012-07-12 삼성테크윈 주식회사 전자 소자를 내장하는 회로기판 및 회로기판의 제조 방법
EP2426551A4 (en) * 2009-04-30 2013-01-09 Sharp Kk METHOD FOR PRODUCING A LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL, GLASS SUBSTRATE FOR A LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL THEREWITH
KR101958355B1 (ko) * 2012-05-22 2019-07-03 삼성디스플레이 주식회사 어시스트 패턴을 포함하는 마스크
WO2014014039A1 (en) 2012-07-20 2014-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device including the display device
KR102319094B1 (ko) * 2014-10-15 2021-11-01 삼성디스플레이 주식회사 마스크, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 표시 패널의 제조 방법
CN205880497U (zh) * 2016-05-30 2017-01-11 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 一种掩膜板

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3823463C1 (ko) * 1988-07-11 1990-02-01 Du Pont De Nemours (Deutschland) Gmbh, 4000 Duesseldorf, De
JPH0224631A (ja) 1988-07-13 1990-01-26 Seikosha Co Ltd 薄膜トランジスタアレイ
JPH0440457A (ja) * 1990-06-06 1992-02-10 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法
KR920015482A (ko) * 1991-01-30 1992-08-27 김광호 광리소그라피의 한계해상도 이하의 미세패턴 형성방법
JPH04257826A (ja) 1991-02-13 1992-09-14 Sharp Corp アクティブマトリクス基板の製造方法
EP0500456B1 (en) * 1991-02-19 1998-05-06 Fujitsu Limited Projection exposure method and an optical mask for use in projection exposure
US5324600A (en) * 1991-07-12 1994-06-28 Oki Electric Industry Co., Ltd. Method of forming resist pattern and photomask therefor
JP3087364B2 (ja) * 1991-08-27 2000-09-11 株式会社日立製作所 マスクの製造方法
US5242770A (en) * 1992-01-16 1993-09-07 Microunity Systems Engineering, Inc. Mask for photolithography
JPH06260383A (ja) * 1993-03-03 1994-09-16 Nikon Corp 露光方法
JPH0728074A (ja) * 1993-07-09 1995-01-31 Sharp Corp 表示装置及びその製造方法
KR100208441B1 (ko) * 1995-06-15 1999-07-15 김영환 포토마스크의 패턴 구조
KR100229611B1 (ko) 1996-06-12 1999-11-15 구자홍 액정표시장치의 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100595416B1 (ko) * 1998-09-11 2006-09-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 회절노광을 이용한 액정 표시 장치 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP4166300B2 (ja) 2008-10-15
GB2314209B (en) 1999-01-27
KR100229611B1 (ko) 1999-11-15
GB2314209A (en) 1997-12-17
DE19724245A1 (de) 1997-12-18
DE19724245B4 (de) 2009-09-10
FR2750797A1 (fr) 1998-01-09
JPH1062818A (ja) 1998-03-06
FR2750797B1 (fr) 2003-09-19
GB9711349D0 (en) 1997-07-30
US6395457B1 (en) 2002-05-28
US6043000A (en) 2000-03-28

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