KR980003736A - 액정표시장치의 제조방법 - Google Patents

액정표시장치의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR980003736A
KR980003736A KR1019960021099A KR19960021099A KR980003736A KR 980003736 A KR980003736 A KR 980003736A KR 1019960021099 A KR1019960021099 A KR 1019960021099A KR 19960021099 A KR19960021099 A KR 19960021099A KR 980003736 A KR980003736 A KR 980003736A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
metal layer
line
forming
layer
mask
Prior art date
Application number
KR1019960021099A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100229611B1 (ko
Inventor
박용석
손종우
Original Assignee
구자홍
Lg 전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 구자홍, Lg 전자주식회사 filed Critical 구자홍
Priority to KR1019960021099A priority Critical patent/KR100229611B1/ko
Priority to US08/799,416 priority patent/US6043000A/en
Priority to JP14379397A priority patent/JP4166300B2/ja
Priority to GB9711349A priority patent/GB2314209B/en
Priority to FR9706862A priority patent/FR2750797B1/fr
Priority to DE19724245A priority patent/DE19724245B4/de
Publication of KR980003736A publication Critical patent/KR980003736A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100229611B1 publication Critical patent/KR100229611B1/ko
Priority to US09/482,855 priority patent/US6395457B1/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
    • H01L29/6675—Amorphous silicon or polysilicon transistors
    • H01L29/66765—Lateral single gate single channel transistors with inverted structure, i.e. the channel layer is formed after the gate
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32139—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer using masks

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

본 발명은 액티브 매트리스형 액정표시장치의 제조방법에 관한 것으로, 더 상세히는 액정 표시장치에서 크로스 오버층의 스텝 커버리지를 개선하여 단차부에 의한 단선을 방지할 수 있는 액정표시장치의 제조방법에 관한 것으로, 투명유리기판에 제1금속층을 증착하고, 증착된 상기 제1금속층에 포토레지스트를 도포하고 마스크를 상기 포토레시스트를 노광 및 현상공정을 거친 후 상기 제1금속층을 애칭하여 소망하는 형태로 패터닝하고, 패터닝된 상기 제1금속층에 절연층을 형성하고, 상기 절연층위에 제2금속층을 형성하는 공정을 포함하는 액정표시장치의 제조방법에 있어서, 상기 제1금속층에 포토레지스트를 도포하고, 경계면의 일부가 최소한 노광기의 해상도 보다 작은 라인 앤드 스페이스 패턴을 갖는 마스크를 사용하여 상기 포토레시스트를 노광 및 현상공정을 거친 후, 상기 제1금속층을 에칭하고, 에칭된 상기제1금속층 상에 절연막을 형성하고, 상기 절연막상에 제2금속층을 형성하는 단계를 포함하고 있다.

Description

액정표시장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 액정표시장치를 회로도로 나타낸 도면이다.
제2a도는 박막트랜지스터 어레이를 갖춘 액정표시장치에서 액정표시소자의 일부를 나타내는 평면도이다.
제2b도는 제2a도 박막 트랜지스터 부분을 A-A′절단한 단면도를 나타내는 도면이다.

Claims (10)

  1. 제1층에 금속을 증착하여 제1금속층을 형성하고; 상기 제1금속층에 포토레시스트를 도포하고; 소망하는 패턴형태를 가지며, 그 경계면의 일부가 최소한 노광기의 해상도 보다 작은 라인 앤드 스페이스 부분을 갖는 마스트를 사용하여 상기 포토레시스트를 노광한 후 현상하고; 상기 제1금속층을 에칭하여 소망하는 형태의 패턴으로 만들고; 패터닝된 상기 제1금속층에 절연층을 형성하고; 상기 절연층위에 제2금속층을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 마스크의 라인 앤드 스페이스 형태에서, 라인간의 간격이 2㎛ 이하인 액정표시장치의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 마스크의 라인 앤드 스페이스 패턴은 마스크의 주 경게면으로부터 밖을 향해 돌출된 복수개의 라인부분과 라인과 라인 사이의 스페이스부분으로 이루어진 빗살형태인 액정표시장치의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 라인 앤드 스페이스패턴은 상기 마스크의 주 경계면의 안쪽에 형성되어 빗살형태인 액정표시장치의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1층은 투명유리기판, 패터닝된 상기 제1금속층은 게이트라인, 상기 제2금속층은 소스라인인 액정표시장치의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 패터닝된 상기 제1금속층은 소스전극 및 드레인전극이고 상기 제2금속층은 상기 드레인전극과 화소전극을 연결하는 금속층인 액정표시장치의 제조방법.
  7. 투명유리기판에 금속을 중착하여 제1금속층을 형성하고; 상기 제1금속층에 포토레시스트를 도포하고; 소망하는 패턴형태를 갖는 마스크를 사용하여 상기 포토레시스트를 노광한 후 현상하고; 상기 제1금속층을 에칭하여 게이트전극을 만들고; 상기 게이트전극위에 절연층을 형성하고; 상기 절연층위에 i형 반도체층을 형성하고; 상기 i형 반도체층위에 N+형 반도체층을 형성하고; 상기 N+형 반도체층위에 소스 및 드레인 전극이 되는제2금속층을 형성하고; 소망하는 패턴형태를 가지며, 경계면의 일부가 최소한 노광기의 해상도 보다 작은 라인 앤드 스페이스 부분을 갖는 마스크를 사용하여 상기 포토레시스트를 노광한 후 현상하고; 상기 제2금속층을 에칭하여 소스전극 및 드레인전극을 형성하고; 상기 소스 및 드레인 전극 위에 보호절연층을 형성하고; 상기보호절연층위에 콘택트를 형성하고 상기 보호절연층위에 제3금속층을 형성하여 상기 드레인전극과 화소전극을 전기적으로 연결하는 과정을 포함하는 액정표시장치에서의 박막트랜지스터 제조방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 마스크의 라인 앤드 스페이스 부분에서, 라인간의 간격이 2㎛ 이하인 액정표시장치의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 마스크의 라인 앤드 스페이스 부부는 마스크의 주 경계면으로부터 밖을 향해 돌출된 복수개의 라인부분과 라인과 라인 사이의 스페이스부분으로 이루어진 빗살형태인 액정표시장치의 제조방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 라인 앤드 스페이스 부분이 상기 마스크의 주 경계면을 따라 복수개 형성되어 있는 액정표시장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960021099A 1996-06-12 1996-06-12 액정표시장치의 제조방법 KR100229611B1 (ko)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960021099A KR100229611B1 (ko) 1996-06-12 1996-06-12 액정표시장치의 제조방법
US08/799,416 US6043000A (en) 1996-06-12 1997-02-12 Method for manufacturing a semiconductor device
JP14379397A JP4166300B2 (ja) 1996-06-12 1997-06-02 液晶表示装置の製造方法
GB9711349A GB2314209B (en) 1996-06-12 1997-06-02 Liquid crystal displays
FR9706862A FR2750797B1 (fr) 1996-06-12 1997-06-04 Procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteur notamment d'un dispositif d'affichage a cristal liquide
DE19724245A DE19724245B4 (de) 1996-06-12 1997-06-09 Flüssigkristallanzeige und Herstellungsverfahren dafür
US09/482,855 US6395457B1 (en) 1996-06-12 2000-01-14 Method for manufacturing a semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960021099A KR100229611B1 (ko) 1996-06-12 1996-06-12 액정표시장치의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR980003736A true KR980003736A (ko) 1998-03-30
KR100229611B1 KR100229611B1 (ko) 1999-11-15

Family

ID=19461658

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960021099A KR100229611B1 (ko) 1996-06-12 1996-06-12 액정표시장치의 제조방법

Country Status (6)

Country Link
US (2) US6043000A (ko)
JP (1) JP4166300B2 (ko)
KR (1) KR100229611B1 (ko)
DE (1) DE19724245B4 (ko)
FR (1) FR2750797B1 (ko)
GB (1) GB2314209B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100595416B1 (ko) * 1998-09-11 2006-09-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 회절노광을 이용한 액정 표시 장치 제조 방법

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100229611B1 (ko) * 1996-06-12 1999-11-15 구자홍 액정표시장치의 제조방법
US7083900B2 (en) * 1997-11-27 2006-08-01 Lg Electronics Inc. Method for manufacturing a liquid crystal display device
KR100288150B1 (ko) * 1997-11-27 2001-05-02 구본준 액정표시장치의 제조방법
US6206848B1 (en) * 1998-06-04 2001-03-27 Alcon Laboratories, Inc. Liquefracture handpiece
US6161923A (en) * 1998-07-22 2000-12-19 Hewlett-Packard Company Fine detail photoresist barrier
KR100364832B1 (ko) * 2000-05-18 2002-12-16 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시장치 제조방법
KR100494683B1 (ko) * 2000-05-31 2005-06-13 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 4-마스크를 이용한 박막 트랜지스터 액정표시장치의제조시에 사용하는 할프톤 노광 공정용 포토 마스크
US6960510B2 (en) * 2002-07-01 2005-11-01 International Business Machines Corporation Method of making sub-lithographic features
TWI296059B (en) * 2004-05-14 2008-04-21 Innolux Display Corp Photo mask and method of manufacturing slant reflected bumps using same
KR100873275B1 (ko) * 2007-03-19 2008-12-11 매그나칩 반도체 유한회사 이미지센서의 제조 방법
KR101143837B1 (ko) * 2007-10-15 2012-07-12 삼성테크윈 주식회사 전자 소자를 내장하는 회로기판 및 회로기판의 제조 방법
RU2481608C1 (ru) * 2009-04-30 2013-05-10 Шарп Кабусики Кайся Способ изготовления жидкокристаллической панели, стеклянная подложка для жидкокристаллической панели и жидкокристаллическая панель, включающая в себя стеклянную подложку
KR101958355B1 (ko) * 2012-05-22 2019-07-03 삼성디스플레이 주식회사 어시스트 패턴을 포함하는 마스크
KR102282866B1 (ko) 2012-07-20 2021-07-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 및 표시 장치를 포함하는 전자 장치
KR102319094B1 (ko) * 2014-10-15 2021-11-01 삼성디스플레이 주식회사 마스크, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 표시 패널의 제조 방법
CN205880497U (zh) * 2016-05-30 2017-01-11 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 一种掩膜板

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3823463C1 (ko) * 1988-07-11 1990-02-01 Du Pont De Nemours (Deutschland) Gmbh, 4000 Duesseldorf, De
JPH0224631A (ja) 1988-07-13 1990-01-26 Seikosha Co Ltd 薄膜トランジスタアレイ
JPH0440457A (ja) * 1990-06-06 1992-02-10 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法
KR920015482A (ko) * 1991-01-30 1992-08-27 김광호 광리소그라피의 한계해상도 이하의 미세패턴 형성방법
JPH04257826A (ja) 1991-02-13 1992-09-14 Sharp Corp アクティブマトリクス基板の製造方法
DE69225347T2 (de) * 1991-02-19 1998-09-03 Fujitsu Ltd Projektionsbelichtungsmethode und optische Maske für die Projektionsbelichtung
KR100256619B1 (ko) * 1991-07-12 2000-06-01 사와무라 시코 포토마스크 및 그것을 사용한 레지시트 패턴 형성방법
JP3087364B2 (ja) * 1991-08-27 2000-09-11 株式会社日立製作所 マスクの製造方法
US5242770A (en) * 1992-01-16 1993-09-07 Microunity Systems Engineering, Inc. Mask for photolithography
JPH06260383A (ja) * 1993-03-03 1994-09-16 Nikon Corp 露光方法
JPH0728074A (ja) * 1993-07-09 1995-01-31 Sharp Corp 表示装置及びその製造方法
KR100208441B1 (ko) * 1995-06-15 1999-07-15 김영환 포토마스크의 패턴 구조
KR100229611B1 (ko) * 1996-06-12 1999-11-15 구자홍 액정표시장치의 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100595416B1 (ko) * 1998-09-11 2006-09-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 회절노광을 이용한 액정 표시 장치 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
DE19724245A1 (de) 1997-12-18
US6395457B1 (en) 2002-05-28
JP4166300B2 (ja) 2008-10-15
DE19724245B4 (de) 2009-09-10
FR2750797B1 (fr) 2003-09-19
US6043000A (en) 2000-03-28
GB9711349D0 (en) 1997-07-30
FR2750797A1 (fr) 1998-01-09
KR100229611B1 (ko) 1999-11-15
JPH1062818A (ja) 1998-03-06
GB2314209B (en) 1999-01-27
GB2314209A (en) 1997-12-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100223153B1 (ko) 액티브 매트릭스 액정표시장치의 제조방법 및 액티브매트릭스액정표시장치
KR980003736A (ko) 액정표시장치의 제조방법
KR100192447B1 (ko) 액정표시장치의 제조방법
KR970011963A (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR970048718A (ko) 액정표시장치의 제조방법
KR20020036023A (ko) 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조 방법
JPH11133455A (ja) 液晶表示装置の製造方法
KR970028767A (ko) 액정표시장치의 구조 및 그 제조 방법
KR20080105987A (ko) Ｔｆｔ 제조용 마스크, ｔｆｔ 및 그 제조 방법
KR100679516B1 (ko) 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR100288150B1 (ko) 액정표시장치의 제조방법
KR920022029A (ko) Mim형 소자 어레이 및 이러한 어레이를 형성하는 표시 소자 제조 방법 및 능동 메트릭스 어드레스드 표시 소자
KR970076042A (ko) 액정 표시 장치 및 제조 방법
KR20030083080A (ko) 자기정렬 전극을 가지는 액정표시소자의 제조방법
KR100764273B1 (ko) 박막트랜지스터 제조방법
KR100648214B1 (ko) 박막 트랜지스터 액정표시장치의 제조방법
KR100623981B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR960024574A (ko) 다색액정표시장치의 제조방법
KR101006474B1 (ko) 액정표시장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법
KR0161232B1 (ko) 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법
KR19990048366A (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
KR19980014881A (ko) 액정 표시 소자 및 그의 제조 방법
KR100218579B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조 방법
KR100707023B1 (ko) 액정표시장치 제조시의 식각정지막 자기정렬방법
KR100209619B1 (ko) 액정표시장치의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130619

Year of fee payment: 15

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140630

Year of fee payment: 16

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150728

Year of fee payment: 17

EXPY Expiration of term