JPH0440457A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0440457A JPH0440457A JP2148062A JP14806290A JPH0440457A JP H0440457 A JPH0440457 A JP H0440457A JP 2148062 A JP2148062 A JP 2148062A JP 14806290 A JP14806290 A JP 14806290A JP H0440457 A JPH0440457 A JP H0440457A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- resist
- pattern
- diffusion layer
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
半導体装置の製造方法に関する。
[従来の技術]
従来の半導体装置の製造方法は、−度の露光にて作り出
されるレジストのパターンは、平面的にも、立体的にも
ただ一種類のみであり、異ったレジストパターンを作り
出す為には、複数回の露光作業を繰り返すことが必要で
あった。
されるレジストのパターンは、平面的にも、立体的にも
ただ一種類のみであり、異ったレジストパターンを作り
出す為には、複数回の露光作業を繰り返すことが必要で
あった。
[発明が解決しようとする課題]
しかし、従来の複数回の露光を用いる技術では工程の増
加や、合せズレの問題、露光マスクの増加といったさま
ざまな問題があるために、なるべく露光作業を減らした
加工技術が望ましいと考えられた。本発明においては、
この露光作業の回数を減らすことを課題としている。
加や、合せズレの問題、露光マスクの増加といったさま
ざまな問題があるために、なるべく露光作業を減らした
加工技術が望ましいと考えられた。本発明においては、
この露光作業の回数を減らすことを課題としている。
[課題を解決するための手段]
このため、本発明では、フォトマスク上に光学的回折と
干渉を利用するための本来目的とするパターン以外の、
微細なパターンをもうけ、これによって、レジストの立
体的形状をコントロールしたり、半ば露光した状態のレ
ジストを一度の露光で作り出すことができる。
干渉を利用するための本来目的とするパターン以外の、
微細なパターンをもうけ、これによって、レジストの立
体的形状をコントロールしたり、半ば露光した状態のレ
ジストを一度の露光で作り出すことができる。
[実 施 例]
本発明の実施例を図面と共に説明する。第1図(a)は
、露光装置に用いられるフォトマスクのの例である。こ
こで101が本来のパターンであリ、102が解像限界
以下の微細パターンである。このフォトマスクで露光し
たポジレジストのレジストパターンの断面構造は、第1
図(a)のA−A’ では第1図の(b)の様ななだら
かな形状となり、第1図(a)のB−B′では第1図(
C)のような角の立った形状となる。これは、解像限界
以下の微細パターンによって、第1図(a)のA−A′
の本パターンのコントラストが低下するためである。以
下、本発明による半導体装置の製造例を説明する。レジ
スト塗布を行う(第2図(a))。解像限界以下の微細
パターンをもつ露光装置にて露光を行い、現像をする(
第2図(b))。
、露光装置に用いられるフォトマスクのの例である。こ
こで101が本来のパターンであリ、102が解像限界
以下の微細パターンである。このフォトマスクで露光し
たポジレジストのレジストパターンの断面構造は、第1
図(a)のA−A’ では第1図の(b)の様ななだら
かな形状となり、第1図(a)のB−B′では第1図(
C)のような角の立った形状となる。これは、解像限界
以下の微細パターンによって、第1図(a)のA−A′
の本パターンのコントラストが低下するためである。以
下、本発明による半導体装置の製造例を説明する。レジ
スト塗布を行う(第2図(a))。解像限界以下の微細
パターンをもつ露光装置にて露光を行い、現像をする(
第2図(b))。
レジスト、SiO□のエツチング速度差の少いドライエ
ツチング装置によって、エツチングを行う(第2図(C
))。必要な配線を行なう(第2図(d))。このよう
なテーパー形状をもったレジストパターンの形成は従来
技術では焦点をズラして何度か露光したり、レジストの
耐熱限界でのボストベークをしたりする以外にはなく、
本発明利用の一つの応用例である。
ツチング装置によって、エツチングを行う(第2図(C
))。必要な配線を行なう(第2図(d))。このよう
なテーパー形状をもったレジストパターンの形成は従来
技術では焦点をズラして何度か露光したり、レジストの
耐熱限界でのボストベークをしたりする以外にはなく、
本発明利用の一つの応用例である。
又、不純物導入においても、第3図(a)の様に拡散層
の深さをコントロールしたり、第3図(b)の様にレジ
ストを半ば露光して、厚さを変えることより二種類の拡
散層を、−度の露光、不純物導入によって、簡単に、又
位置精度よく得ることが可能である。
の深さをコントロールしたり、第3図(b)の様にレジ
ストを半ば露光して、厚さを変えることより二種類の拡
散層を、−度の露光、不純物導入によって、簡単に、又
位置精度よく得ることが可能である。
[発明の効果]
本発明によって、前記の様に、−度の露光作業によって
、レジストの立体構造を自由に作成でき、それによって
、従来の露光作業回数の短縮や、位置精度の向上、さら
にレジストの形状を用いた加工方法が可能になる。
、レジストの立体構造を自由に作成でき、それによって
、従来の露光作業回数の短縮や、位置精度の向上、さら
にレジストの形状を用いた加工方法が可能になる。
第1図(a)は、解像限界以下の微細パターンを用いた
マスクの図である。第1図(b)(c)は第1図(a)
のマスクによって露光したレジストの断面図であり、第
1図(b)が第1図(a)のA−A’力方向第1図(c
)が第1図(a)のB−B’力方向対応している。 第2図(a)〜(d)は本発明を用いた半導体装置の加
工例を示す図である。 第3図(a)、(b)はイオン打ち込みのマスクとして
利用した応用例を示す図である。 101 ・ 103 ・ 201 ・ 202 ・ 203 ・ 204 ・ 205 ・ ・本パターン ・解像限界以下の微細パターン ポジ型フォトレジスト ・ポジ型フォトレジスト ・層間絶縁膜 フィールドSiO□ ・Si基板 ・A℃配線 ・第2層へ℃配線 ・ポジ型フォトレジスト ・拡散層 以 上 B 第11カ (α) 箋 1幻 (C) (α) [77,1202 (C)
マスクの図である。第1図(b)(c)は第1図(a)
のマスクによって露光したレジストの断面図であり、第
1図(b)が第1図(a)のA−A’力方向第1図(c
)が第1図(a)のB−B’力方向対応している。 第2図(a)〜(d)は本発明を用いた半導体装置の加
工例を示す図である。 第3図(a)、(b)はイオン打ち込みのマスクとして
利用した応用例を示す図である。 101 ・ 103 ・ 201 ・ 202 ・ 203 ・ 204 ・ 205 ・ ・本パターン ・解像限界以下の微細パターン ポジ型フォトレジスト ・ポジ型フォトレジスト ・層間絶縁膜 フィールドSiO□ ・Si基板 ・A℃配線 ・第2層へ℃配線 ・ポジ型フォトレジスト ・拡散層 以 上 B 第11カ (α) 箋 1幻 (C) (α) [77,1202 (C)
Claims (1)
- 半導体基板上に塗布されたフォトレジストに、露光す
る際、本来目的とするパターンの周囲もしくは半ばレジ
ストを感光させたい部分に、光学的回折と干渉を利用し
たスリットもしくはドット状のパターンを用いたマスク
を利用することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2148062A JPH0440457A (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2148062A JPH0440457A (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0440457A true JPH0440457A (ja) | 1992-02-10 |
Family
ID=15444339
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2148062A Pending JPH0440457A (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0440457A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2750797A1 (fr) * | 1996-06-12 | 1998-01-09 | Lgelectronics | Procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteur notamment d'un dispositif d'affichage a cristal liquide |
-
1990
- 1990-06-06 JP JP2148062A patent/JPH0440457A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2750797A1 (fr) * | 1996-06-12 | 1998-01-09 | Lgelectronics | Procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteur notamment d'un dispositif d'affichage a cristal liquide |
US6043000A (en) * | 1996-06-12 | 2000-03-28 | Lg Electronics | Method for manufacturing a semiconductor device |
US6395457B1 (en) | 1996-06-12 | 2002-05-28 | Lg Electronics, Inc. | Method for manufacturing a semiconductor device |
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