KR100192447B1 - 액정표시장치의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로 특히 액정표시장치의 제조방법에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조방법은 기판을 준비하는 스텝과, 기판상의 일정영역에 섬모양의 반도체층들을 형성하고 반도체층을 포함한 기판 전면에 제1절연층을 형성하는 스텝과, 제1절연층상에 게이트전극물질을 형성하고 패터닝하여 반도체층들상에 일부가 중첩되고 일정간격을 갖는 복수개의 게이트라인들을 형성하는 스텝과, 게이트라인들을 마스크로 기판 전면에 불순물이온을 주입하여 반도체층들에 소오스 영역들과 드레인 영역들을 형성하는 스텝과, 게이트라인들을 포함한 기판 전면에 제2절연층을 형성하고 패터닝하여 게이트라인들의 일부분이 노출되도록 제1콘택홀들을 형성하는 스텝과, 제2절연층상에 투명도전층을 형성하고 패터닝하여 제1콘택홀들을 통해 게이트라인들에 연결되도록 스토리지전극을 형성하는 스텝과, 스토리지전극을 포함한 기판 전면에 제3절연층을 형성하고 패터닝하여 반도체층들의 드레인영역들이 노출되도록 제2콘텍홀들을 형성하는 스텝과, 제3절연층상에 투명도전층을 형성하고 패터닝하여 제2콘택홀들을 통해 드레인영역들에 연결되고 스토리지전극을 포함하도록 화소전극을 형성하는 스텝과, 화소전극을 포함한 기판 전면에 제4절연층을 형성하고 패터닝하여 반도체층들의 소오스영역들이 노출되도록 제3콘택홀들을 형성하는 스텝과, 그리고 제4절연층상에 금속층을 형성하고 패터닝하여 제3콘택홀들을 통해 소오스영역들에 연결되고 화소전극에 중첩되지 않으며 게이트라인들에 수직한 방향으로 일정간격을 갖는 복수개의 데이터라인들을 형성하는 스텝으로 이루어진다.

따라서, 본 발명은 다음과 같은 효과가 있다.

스토리지 커패시터를 형성하는 스토리지전극을 ITO와 같은 투명한 도전물질을 사용하여 형성함으로써 스토리지 커패시터가 차지하는 영역까지 빛이 투과되어 액정표시장치의 개구율이 크게 향상될 수 있다.

Description

액정표시장치의 제조방법

제1도는 종래에 따른 액정표시장치의 레이아웃도.

제2도(a) 내지 (e)는 제1도의 A-A'선에 따른 제조공정을 보여주는 공정단면도.

제3도는 본 발명에 따른 액정표시장치의 레이아웃도.

제4도(a) 내지 (e)는 제3도의 A-A'선에 따른 제조공정을 보여주는 공정단면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

20 : 기판 21 : 반도체층

22 : 제1절연층 23 : 게이트라인

24 : 제2절연층 25 : 스토리지전극

26 : 제3절연층 27 : 화소전극

28 : 제4절연층 29 : 데이터라인

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로 특히 액정표시장치의 제조방법에 관한 것이다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 종래에 따른 액정표시장치의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.

제1도는 종래에 따른 액정표시장치의 레이아웃도이다.

제1도에 도시된 바와 같이 일정간격을 갖고 일방향으로 복수개의 게이트라인(5)들이 형성되고 일정간격을 갖고 게이트라인(5)들에 수직한 방향으로 복수개의 데이터라인(8)들이 형성된다.

그리고 각각의 화소영역에 화소전극(10)들이 형성되고 화소전극(10)들과 데이터라인(8)들에 연결되도록 반도체층(2)들이 형성된다.

또한 게이트라인(5)들과 동일한 방향으로 반도체층(2)들을 따라 스토리지전극(6)들이 형성된다.

제2도(a) 내지 (e)는 제1도의 A-A'선에 따른 제조공정을 보여주는 공정단면도이다.

제2도(a)에 도시된 바와 같이 석영 또는 유리와 같은 절연성 투명기판(1)상에 반도체 물질을 증착하고 반도체물질을 패너닝하여 기판(1)의 일영역에 섬모양의 반도체층(2)을 형성한다.

그리고 반도체층(2)을 포함한 기판(1) 전면상에 제1절연막(3)을 증착한다.

제2도(b)에 도시된 바와 같이 기판(1) 전면에 감광막(4)을 도포하고 반도체층(2)의 스토리지전극영역이 노출되도록 감광막(4)을 패터닝한다.

그리고 감광막(4)을 마스크로 불순물이온을 주입하여 스토리지전극영역의 반도체층(2)에 불순물영역을 형성한다.

제2도(c)에 도시된 바와 같이 감광막(4)을 제거하고 제1절연막(3)상에 불투명한 제1도전물질을 증착하고 패터닝하여 반도체층(2)상에 게이트라인(5)과 스토리지전극(6)을 형성한다.

그리고 게이트라인(5)과 스토리지전극(6)을 마스크로 불순물이온을 주입하여 반도체층(2)에 소오스영역과 드레인영을 형성한다.

제2도(d)에 도시된 바와 같이 게이트라인(5) 및 스토리지전극(6)을 포함한 기판(1)전면에 제2절연막(7)을 증착하고 제1, 제2절연막(3, 7)을 패터닝하여 반도체층(2)의 소오스영역이 노출되도록 제1콘택홀을 형성한다.

그리고 제2절연막(7)상에 불투명한 제2도전물질을 증착하고 패터닝하여 제1콘택홀을 통해 반도체층(2)과 연결되도록 데이터라인(8)을 형성한다.

제2도(e)에 도시된 바와 같이 데이터라인(8)을 포함한 기판(1)전면에 제3절연막(9)을 증착하고 제1, 제2, 제3절연막(3,7,9)을 패터닝하여 반도체층(2)의 드레인영역이 노출되도록 제2콘택홀을 형성한다.

그리고 제3절연막(9)상에 ITO와 같은 투명한 도전물질을 증착하고 패터닝하여 제2콘택홀을 통해 반도체층(2)과 연결되도록 화소전극(10)을 형성한다,

그러나 이와 같은 종래에 따른 액정표시장치의 제조방법에 있어서는 다음과 같은 문제점이 있었다.

스토리지전극을 불투명한 전극물질로 형성함으로써 액정표시장치의 개구율이 저하된다. 본 발명은 이와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로 개구율이 향상된 액정표시장치를 제공하는데 그 목적이 있다.

이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조방법은 기판을 준비하는 스텝과, 기판상의 일정영역에 섬모양의 반도체층들을 형성하고 반도체층을 포함한 기판 전면에 제1절연층을 형성하는 스텝과, 제1절연층상에 게이트전극물질을 형성하고 패터닝하여 반도체층들상에 일부가 중첩되고 일정간격을 갖는 복수개의 게이트라인들을 형성하는 스텝과, 게이트라인들을 마스크로 기판 전면에 불순물이온을 주입하여 반도체층들에 소오스영역들과 드레인영역들을 형성하는 스텝과, 게이트라인들을 포함하는 기판 전면에 제2절연층을 형성하고 패터닝하여 게이트라인들의 일부분이 노출되도록 제1콘텍홀들을 형성하는 스텝과, 제2절연층상에 투명도전층을 형성하고 패터닝하여 제1콘택홀들을 통해 게이트라인들에 연결되도록 스토리지전극을 형성하는 스텝과, 스토리지전극을 포함한 기판 전면에 제3절연층을 형성하고 패터닝하여 반도체층들의 드레인영역들이 노출되도록 제2콘택홀들을 형성하는 스텝과, 제3절연층상에 투명도전층을 형성하고 패터닝하여 제2콘택홀들을 통해 드레인영역들에 연결되고 스토리지전극을 포함하도록 화소전극을 형성하는 스텝과, 화소전극을 포함한 기판 전면에 제4절연층을 형성하고 패터닝하여 반도체층들의 소오스영역들이 노출되도록 제3콘텍홀들을 형성하는 스텝과, 그리고 제4절연층상에 금속층을 형성하고 패터닝하여 제3콘택홀들을 통해 소오스영역들에 연결되고 화소전극에 중첩되지 않으며 게이트라인들에 수직한 방향으로 일정간격을 갖는 복수개의 데이터라인들을 형성하는 스텝으로 이루어진다.

상기와 같은 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조방법을 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.

제3도는 본 발명에 따른 액정표시장치의 레이아웃도이다.

제3도에 도시된 바와 같이 기판의 일영역에 섬모양의 반도체층(21)들이 형성되고, 반도체층(21)들에 일부 중첩되며 일정간격을 갖고 일방향으로 복수개의 게이트라인(23)들이 형성된다.

그리고 반도체층(21)들에 연결되며 일정간격을 갖고 게이트라인(23)들에 수직한 방향으로 복수개의 데이터라인(29)들이 형성된다.

각각의 화소영역에는 반도체층(21)들에 연결되며 데이터라인(29)들에 중첩되지 않도록 화소전극(27)들이 형성되고, 게이트라인(23)들에 연결되며 화소전극(27)들에 중첩되어 스토리지전극(25)들이 형성된다.

제4도(a) 내지 (e)는 제3도의 A-A'선에 따른 제조공정을 보여주는 공정단면도이다.

제4도(a)에 도시된 바와 같이 석영 또는 유리와 같은 절연성 투명기판(20)상에 반도체 물질을 증착하고 반도체물질을 패터닝하여 기판(20)의 일영역에 섬모양의 반도체층(21)을 형성한다.

그리고 반도체층(21)을 포함한 기판(20) 전면상에 제1절연막(22)을 증착한다.

제4도(b)에 도시된 바와 같이 제1절연층(22)상에 게이트전극물질을 형성하고 게이트전극물질을 패터닝하여 반도체층(21)상에 일부가 중첩되고 일정간격을 갖도록 제1, 제2 게이트라인(23a, 23b)들을 형성한다.

그리고 제1, 제2 게이트라인(23a, 23b)들을 마스크로 기판(20) 전면에 불순물이온을 주입하여 반도체층(21)에 소오스영역과 드레인영역을 형성한다.

제4도(c)에 도시된 바와 같이 제1, 제2 게이트라인(23a, 23b)들을 포함한 기판(20) 전면에 제2절연층(24)을 형성하고 제2절연층(24)을 패터닝하여 제2게이트라인(23b)의 일부분이 노출되도록 제1콘택홀을 형성한다.

그리고 제2절연층(24)상에 ITO와 같은 제1투명도전층을 형성하고 제1투명도전층을 패터닝하여 제1콘택홀을 통해 제2게이트라인(23b)에 연결되도록 스토리지전극(25)을 형성한다.

제4도(d)에 도시된 바와 같이 스토리지전극(25)을 포함한 기판(20) 전면에 제3절연층(26)을 형성하고 제1, 제2, 제3절연층(22, 24, 26)을 패터닝하여 반도체층(21)의 드레인영역이 노출되도록 제2콘택홀을 형성한다.

그리고 제3절연층(26)상에 ITO와 같은 제2투명도전층을 형성하고 제2투명도전층을 패터닝하여 제2콘택홀을 통해 드레인영역에 연결되고 스토리지전극(25)을 포함하도록 중첩되는 화소전극(27)을 형성한다.

제4도(e)에 도시된 바와 같이 화소전극(27)을 포함한 기판(20) 전면에 제4절연층(28)을 형성하고 제1, 제2, 제3, 제4절연층(22, 24, 26, 28)을 패터닝하여 반도체층(21)의 소오스영역이 노출되도록 제3콘택홀을 형성한다.

그리고 제4절연층(28)상에 금속층을 형성하고 금속층을 패터닝하여 제3콘택홀을 통해 소오스영역에 연결되도록 데이터라인(29)을 형성한다.

이때, 데이터라인(29)은 게이트라인(23)들에 수직한 방향으로 일정간격을 갖고 형성된다.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조방법에 있어서는 다음과 같은 효과가 있다.

스토리지 커패시터를 형성하는 스토리지전극을 ITO와 같은 투명한 도전물질을 사용하여 형성함으로써 스토리지 커패시터가 차지하는 영역까지 빛이 투과되어 액정표시장치의 개구율이 크게 향상될 수 있다.

Claims (2)

1. 기판을 준비하는 스텝; 상기 기판상의 일정영역에 섬모양의 반도체층들을 형성하고 상기 반도체층을 포함한 기판 전면에 제1절연층을 형성하는 스텝; 상기 제1절연층상에 게이트전극물질을 형성하고 패터닝하여 상기 반도체층들상에 일부가 중첩되고 일정간격을 갖는 복수개의 게이트라인들을 형성하는 스텝; 상기 게이트라인들을 마스크로 기판 전면에 불순물이온을 주입하여 상기 반도체층들엔 소오스영역들과 드레인영역들을 형성하는 스텝; 상기 게이트라인들을 포함하는 기판 전면에 제2절연층을 형성하고 패터닝하여 상기 게이트라인들의 일부분이 노출되도록 제1콘텍홀들을 형성하는 스텝; 상기 제2절연층상에 투명도전층을 형성하고 패터닝하여 상기 제1콘택홀들을 통해 게이트라인들에 연결되도록 스토리지전극을 형성하는 스텝; 상기 스토리지전극을 포함한 기판 전면에 제3절연층을 형성하고 패터닝하여 상기 반도체층들의 드레인영역들이 노출되도록 제2콘택홀들을 형성하는 스텝; 상기 제3절연층상에 투명도전층을 형성하고 패터닝하여 상기 제2콘택홀들을 통해 상기 드레인영역들에 연결되고 상기 스토리지전극을 포함하도록 화소전극을 형성하는 스텝; 상기 화소전극을 포함한 기판 전면에 제4절연층을 형성하고 패터닝하여 상기 반도체층들의 소오스영역들이 노출되도록 제3콘텍홀들을 형성하는 스텝; 그리고 상기 제4절연층상에 금속층을 형성하고 패터닝하여 상기 제3콘택홀들을 통해 상기 소오스영역들에 연결되고 상기 화소전극에 중첩되지 않으며 상기 게이트라인들에 수직한 방향으로 일정간격을 갖는 복수개의 데이터라인들을 형성하는 스텝을 구비함을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
2. 제1항에 있어서, 투명도전층은 ITO로 형성함을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.