KR100707023B1 - 액정표시장치 제조시의 식각정지막 자기정렬방법 - Google Patents
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Abstract
Description
이때, 상기 식각정지막(19)은 게이트전극(13) 상에서 정확한 위치에 형성하는 것이 필수적이며, 이를 위해, 종래에는 게이트전극(13)을 노광마스크로 이용하는 후면 노광(back exposure)에 의한 자기정렬방법을 사용해서 형성한다.
도 2b를 참조하면, 전면 노광이 수행된 레지스트막에 대해 현상 공정을 거쳐 선택적으로 패터닝하여 레지스트막패턴(39a)을 형성한다.
이때, 상기 레티클(41)을 이용한 포토마스크 공정에서 전면 노광시 미스얼라인이 발생하더라도 상기 니플 모양의 돌기패턴(33a)에서 산란되어 반사되는 빛에 의해 상기 레이스트막패턴(39a)은 니플 모양의 돌기패턴(33a) 안쪽으로 자기정렬된다.
Claims (5)
- 투명성절연기판 상에 게이트물질층을 형성하는 단계;상기 게이트물질층을 선택적으로 패터닝하여 가장자리부에 돌기패턴이 형성된 게이트전극을 형성하는 단계;상기 게이트전극을 포함한 전체 구조의 상면에 게이트절연막과 비정질실리콘활성층을 차례로 형성하는 단계; 및상기 비정질실리콘활성층 상에 레지스트막을 도포한 후 레티클을 통해 광을 조사하고 이어 현상공정을 거쳐 이를 패터닝하여 레지스트막패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로하는 액정표시장치 제조시의 식각정지막 자기정렬방법.
- 제1항에 있어서, 상기 게이트물질층 패터닝시에 하프톤마스크를 사용하는 것을 특징으로하는 액정표시장치 제조시의 식각정지막 자기정렬방법.
- 제1항에 있어서, 상기 레지스트막패턴은 식각정지막으로 사용하는 것을 특징 으로하는 액정표시장치 제조시의 식각정지막 자기정렬방법.
- 제1항에 있어서, 상기 레지스트막패턴의 폭은 상기 게이트전극상의 양측 가장자리의 니플패턴의 폭보다 작은 것을 특징으로하는 액정표시장치 제조시의 식각 정지막 자기정렬방법.
- 제1항에 있어서, 상기 돌기패턴은 니플형상의 패턴인 것을 특징으로하는 액정표시장치 제조시의 식각정지막 자기정렬방법.
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KR (1) | KR100707023B1 (ko) |
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2003
- 2003-06-20 KR KR1020030040254A patent/KR100707023B1/ko active IP Right Grant
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