KR20020037417A - 수직형 박막 트랜지스터의 액정표시소자 제조방법 - Google Patents
수직형 박막 트랜지스터의 액정표시소자 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (4)
- 유리기판 상부에 ITO막, 소오스 전극용 금속막을 차례로 증착하는 단계;상기 결과물 상부에 픽셀 영역 및 소오스 전극 영역을 한정하도록, 픽셀 영역을 한정하는 제1 감광막 패턴의 두께보다 소오스 전극 영역을 한정하는 제2 감광막 패턴의 두께를 두껍게 하면서, 하나의 마스크를 사용하여 동시에 제1 및 제2 감광막 패턴을 형성하는 단계;상기 제1 감광막 패턴을 식각 장벽으로 하여 상기 소오스 전극용 금속막 및 ITO막을 제1 식각하여 픽셀 영역을 형성하는 단계;상기 제1 감광막 패턴을 제거하고, 연속해서 제2 감광막 패턴을 식각 장벽으로 하여 소오스 전극용 금속막을 제2 식각하여 소오스 전극을 형성하는 단계;상기 소오스 전극 상부에 오믹 콘택층과 드레인 전극을 동시에 형성하는 단계;상기 드레인 전극과 픽셀 영역의 소정부분에 채널층 및 절연막을 동시에 형성하는 단계; 및상기 절연막 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성하는 것을 특징으로 하는 수직형 박막 트랜지스터의 액정표시소자의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 제1 감광막 패턴 및 제2 감광막 패턴은 하프-톤 방식을 이용한 하나의 마스크 공정으로 수행하는 것을 특징으로 하는 수직형 박막 트랜지스터의 액정표시소자의 제조방법.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 소오스 전극, 오믹 콘택층 및 드레인 전극을 제2 감광막 패턴을 이용하여 동시에 식각하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 박막 트랜지스터의 액정표시소자의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 제1 감광막 패턴은 바람직하게 3000 ~ 8000Å의 두께로 형성하고, 제2 감광막 패턴은 바람직하게 2㎛ 두께 이상으로 형성하는 것을 특징으로 하는 수직형 박막 트랜지스터의 액정표시소자의 제조방법.
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