KR20050003760A - 박막트랜지스터 액정표시장치의 어레이 기판 제조방법 - Google Patents
박막트랜지스터 액정표시장치의 어레이 기판 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
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- 유리기판 상에 게이트 전극을 포함한 게이트 라인을 형성하는 단계;상기 게이트 라인을 덮도록 기판 상에 게이트 절연막, a-Si막, n+ a-Si막 및 Mo막을 차례로 증착하는 단계;상기 Mo막 상에 소정 영역을 가리면서 채널 영역 상의 두께가 상대적으로 얇은 하프톤 마스크를 형성하는 단계;상기 하프톤 마스크를 이용한 건식식각 공정으로 상기 Mo막을 식각하여 데이터 라인을 형성하는 단계;상기 채널 영역 상의 하프톤 마스크 부분을 에슁 공정으로 제거하는 단계; 및상기 기판 결과물에 대해 SF6와 Cl2 가스를 이용한 건식식각 공정으로 상기 n+ a-Si막과 a-Si막을 식각하여 액티브층을 형성하고, 채널부의 Mo막 및 n+ a-Si막을 연속 식각해서 소오스/드레인 전극 및 채널을 형성하여, 박막트랜지스터를 구성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정표시장치의 어레이 기판 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 SF6와 Cl2 가스를 이용한 건식식각 공정은SF6 가스와 Cl2 가스의 조성을 5∼40% 및 60∼95%로 하여 수행하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정표시장치의 어레이 기판 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 SF6와 Cl2 가스를 이용한 건식식각 공정은 반응이온식각(Reactive Ion Etch) 공정으로 수행하는 것을 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정표시장치의 어레이 기판 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 박막트랜지스터를 구성하는 단계 후,상기 잔류된 하프톤 마스크를 제거하는 단계;상기 단계까지의 기판 결과물 상에 보호막을 증착하는 단계;상기 보호막을 식각하여 소오스/드레인 전극을 노출시키는 비아홀을 형성하는 단계;상기 비아홀을 포함한 보호막 상에 ITO 금속막을 증착하는 단계; 및상기 ITO 금속막을 패터닝하여 화소 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정표시장치의 어레이 기판 제조방법.
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