KR20030058511A - 박막트랜지스터 액정표시장치의 제조방법 - Google Patents

박막트랜지스터 액정표시장치의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 마스크 공정을 줄일 수 있는 박막 트랜지스터 액정표시장치의 제조방법에 관한 것으로, 절연 기판상에 제 1 마스크를 이용하여 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극을 포함한 전면에 게이트 절연막, 활성층, 채널층. 소오스/드레인 전극용 금속층을 차례로 증착하는 단계와, 상기 활성층, 채널층, 소오스/드레인 전극용 금속층을 차례로 제 2 마스크을 이용하여 식각하고, 상기 소오스/드레인 전극용 금속층 표면이 선택적으로 노출되도록 제 2 마스크를 에싱하는 단계와, 상기 에싱된 제 2 마스크를 이용하여 소오스/드레인 전극용 금속층과 채널층을 식각하는 단계와, 상기 결과물 상부에 보호막을 형성하는 단계와, 상기 보호막상에 선택적으로 풀-톤, 제로-톤, 하프-톤 영역을 갖는 제 3 마스크를 형성하는 단계와, 상기 제로-톤 영역의 제 3 마스크로 이용하여 상기 보호층을 식각하는 단계와, 상기 하프-톤 영역의 제 3 마스크를 에싱공정을 이용하여 제거하는 단계와, 상기 풀-톤 제 3 마스크를 포함한 전면에 ITO 물질을 증착하고, 리프트-오프 레지스트 공정을 이용하여 상기 제 3 마스크를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

박막트랜지스터 액정표시장치의 제조방법{A METHOD FOR MANUFACTURING OF THIN FILM TRANSISTOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY}
본 발명은 박막 트랜지스터-액정 표시 장치의 제조방법에 관한 것으로, 특히 마스크 공정을 줄일 수 있는 박막 트랜지스터 액정표시장치의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 평판표시장치(Flat Panel Display)의 일종인 LCD(Liquid Crystal Display)는 액체의 유동성과 결정의 광학적 성질을 겸비하는 액정에 전계를 인가하여 광학적 이방성을 변화시켜 얻어지는 명암의 차이로 화상을 얻는 장치이다.
그리고 사용되는 액정의 종류에 따라 TN(Twisted Nematic), STN(Super TN), 강유전성(Ferro electric) LCD 등으로 나누어지고, 화소의 스위칭 소자인 TFT를 각 화소마다 내장하는 TFT LCD 등이 사용되고 있다.
또한, 화면을 수만에서 수십만개로 분할하여 각 화소에 구동소자를 제작하고 스위칭 특성을 이용하여 화소의 동작을 제어하는 방식의 AMLCD 등이 사용되고 있다.
이러한 LCD는 종래 음극선관(Cathode Ray Tube)에 비해 소비전력이 낮고, 경박단소화가 용이하며 칼라화, 대형화 및 고정세화가 가능하여 차츰 사용 범위가 넓어지고 있으며, 최근에는 액정의 응답속도가 빠르고 고화질화에 유리한 TFT-LCD가 주목받고 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 종래의 박막트랜지스터 액정표시장치의 제조방법에 대하여 설명하기로 한다.
도 1a 내지 도 1e는 종래의 4 마스크를 이용한 박막트랜지스터 액정표시장치의 제조방법을 나타낸 공정 단면도이다.
도 1a에 도시한 바와 같이 절연 기판 예컨대 유리기판(11) 상부에 소정의 금속막을 증착한 후, 제 1 마스크 공정을 이용한 식각공정을 통해 소정 부분 패터닝하여 게이트 전극(12)을 형성한다.
이어, 상기 결과물 상부에 게이트 절연막(13)을 증착한 후, 상기 게이트 절연막(13)상에 도핑되지 않는 비정질 실리콘 재질의 활성층(14)과, 도핑된 비정질 실리콘 재질의 n+채널층(15) 그리고 소오스/드레인 전극용 금속층(16)을 차례로 증착한다.
도 1b에 도시한 바와 같이 상기 소오스/드레인 전극용 금속층(16)상에 그레이-톤 포토레지스트(17)를 증착하고, 노광 및 현상공정을 이용하여 패터닝한다.
그리고 상기 패터닝된 그레이-톤 포토레지스트(17)를 제 2 마스크로 이용한 식각공정을 통해 상기 소오스/드레인 전극용 금속층(16)을 식각한다.
도 1c에 도시한 바와 같이 상기 소오스/드레인 전극용 금속층(16)이 노출되도록 상기 패터닝된 그레이-톤 마스크 포토레지스트(17)에 에싱(Ashing) 공정을 실시한 후, 상기 도핑된 비정질 실리콘 재질의 활성층(15)과, 상기 비정질 실리콘 재질의 채널층(14) 식각한다. 이때, 상기 소오스/드레인 전극용 금속층(16) 사이의 n+ 채널층(14)은 소오스/드레인 전극용 금속층(16) 식각을 막아준다.
그리고 상기 소오스/드레인 전극용 금속층(16)을 다시 식각한다. 이때, 상기 채널층(14)의 소오스/드레인 전극(16)이 식각된 후, n+ 채널층(15)을 선택적으로 식각한다.
이어, 상기 에싱된 그레이-톤 포토레지스트(17)를 마스크로 이용하여 상기 소오스/드레인 전극용 금속층(16)을 식각한 후, n+채널층(15)을 선택적으로 식각한다.
도 1d에 도시한 바와 같이 상기 에싱된 그레이-톤 포토레지스트(17)를 제거한 후, 상기 소오스/드레인 전극용 금속층(16)을 포함한 기판(11) 전면에 보호막(18)을 형성한다.
이어, 제 3 마스크 공정을 이용한 식각공정을 통해 상기 소오스/드레인 전극용 금속층(16)이 선택적으로 노출되도록 콘택홀(19)을 형성한다.
도 1e에 도시한 바와 같이 상기 콘택홀(19)을 포함한 상기 보호막(18)상에 ITO 물질을 증착하고, 제 4 마스크 공정을 이용한 식각공정을 통해 상기 콘택홀(19)을 통하여 상기 소오스/드레인 전극용 금속층(16)과 접촉되는 화소전극(20)을 형성한다.
그러나 상기와 같은 종래의 박막 트랜지스터 액정표시장치의 제조방법에 있어서는 다음과 같은 문제점이 있었다.
패턴을 형성하기 위하여 설계된 마스크는 매우 고가이어서 공정에 적용되는 마스크 수가 증대되면 액정표시소자를 제조하는 비용이 이에 비례하여 상승한다.
따라서, 4개의 마스크를 가지고 식각 공정이 진행되므로 장비간 잦은 이동에 의한 공정시간 증가 등으로 공정이 매우 복잡하다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로 마스크 수를 감소시켜 비용 절감 및 생산 능력을 향상시킬 수 있는 박막트랜지스터 액정표시장치의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1a 내지 도 1e는 종래의 4 마스크를 이용한 박막트랜지스터 액정표시장치의 제조방법을 나타낸 공정 단면도
도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 일실시예에 따른 3 마스크를 이용한 박막트랜지스터 액정표시장치의 제조방법을 나타낸 공정 단면도
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
101 : 유리기판 102 : 게이트 전극
103 : 게이트 절연막 104 : 활성층
105 : n+채널층 106 : 소오스/드레인 전극용 금속층
107 : 그레이-톤 포토레지스트 108 : 보호막
109 : 제 3 마스크 110a : 화소전극
상기와 같은 목적을 달성하기 이한 본 발명의 박막트랜지스터 액정표시장치의 제조방법은 절연 기판상에 제 1 마스크를 이용하여 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극을 포함한 전면에 게이트 절연막, 활성층, 채널층. 소오스/드레인 전극용 금속층을 차례로 증착하는 단계와, 상기 활성층, 채널층, 소오스/드레인 전극용 금속층을 차례로 제 2 마스크을 이용하여 식각하고, 상기 소오스/드레인 전극용 금속층 표면이 선택적으로 노출되도록 제 2 마스크를 에싱하는 단계와, 상기 에싱된 제 2 마스크를 이용하여 소오스/드레인 전극용 금속층과 채널층을 식각하는 단계와, 상기 결과물 상부에 보호막을 형성하는 단계와, 상기 보호막상에 선택적으로 풀-톤, 제로-톤, 하프-톤 영역을 갖는 제 3 마스크를 형성하는 단계와, 상기 제로-톤 영역의 제 3 마스크로 이용하여 상기 보호층을 식각하는 단계와, 상기 하프-톤 영역의 제 3 마스크를 에싱공정을 이용하여 제거하는 단계와, 상기 풀-톤 제 3 마스크를 포함한 전면에 ITO 물질을 증착하고, 리프트-오프 레지스트 공정을 이용하여 상기 제 3 마스크를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제 3 마스크 에싱공정시 상기 할프-톤 마스크는 제로-톤 마스크가 되고, 상기 풀-톤 마스크는 하프-톤 마스크가 되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 풀톤, 제로-톤, 하프-톤 영역을 갖는 제 3 마스크은 빛 노광을 이용하여 형성하는 것이 바람직하다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 박막트랜지스터 액정표시장치의 제조방법에 대하여 보다 상세히 설명하기로 한다.
도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 일실시예에 따른 3 마스크를 이용한 박막트랜지스터 액정표시장치의 제조방법을 나타낸 공정 단면도이다.
도 2a에 도시한 바와 같이 절연 기판 예컨대 유리기판(101) 상부에 소정의 금속막을 증착한 후, 제 1 마스크 공정을 이용한 식각공정을 통해 소정 부분 패터닝하여 게이트 전극(102)을 형성한다.
이어, 상기 결과물 상부에 게이트 절연막(103)을 증착한 후, 상기 게이트 절연막(103)상에 도핑되지 않는 비정질 실리콘 재질의 활성층(104)과, 도핑된 비정질 실리콘 재질의 n+채널(105) 그리고 소오스/드레인 전극용 금속층(106)을 차례로 증착한다.
도 2b에 도시한 바와 같이 상기 소오스/드레인 전극용 금속층(106)상에 그레이-톤 포토레지스트(107)를 증착하고, 노광 및 현상공정을 이용하여 패터닝한다.
그리고 패터닝된 그레이-톤 포토레지스트(107)를 제 2 마스크로 이용한 식각공정을 통해 상기 소오스/드레인 전극용 금속층(106)을 식각한 후, 상기 활성층(104)과 n+채널층(105)을 식각한다.
도 2c에 도시한 바와 같이 상기 소오스/드레인 전극용 금속층(106)이 노출되도록 상기 패터닝된 그레이-톤 포토레지스트(107)에 에싱(Ashing) 공정을 실시한다.
이어, 상기 에싱된 그레이-톤 포토레지스트(107)를 마스크로 이용하여 상기 소오스/드레인 전극용 금속층(106)을 식각한 후, n+채널층(105)을 선택적으로 식각한다.
도 2d에 도시한 바와 같이 상기 에싱된 그레이-톤 포토레지스트(107)를 제거한 후, 상기 소오스/드레인 전극용 금속층(106)을 포함한 기판(101) 전면에 보호막(108)을 형성한다.
이어, 상기 보호막(108)을 포함한 전면에 레지스트를 증착한 후, 노광 및 현상공정을 이용하여 풀-톤 마스크 영역(109a)과, 제 1 제로-톤 마스크 영역(109b) 그리고 제 1 하프-톤 마스크 영역(109c)을 갖는 제 3 마스크(109)를 형성한다. 이때, 상기 제 3 마스크(109)는 빛 노광 공정에 의해서 형성된다.
도 2e에 도시한 바와 같이 상기 제 3 마스크(109)를 이용한 식각공정을 통해 상기 제 1 제로-톤 마스크 영역(109b)의 상기 보호막(108)을 습식식각하여 콘택홀을 형성한 후, 에싱공정을 실시한다. 이때, 상기 풀-톤 마스크(109a)는 제 2 하프-톤 마스크(109d)가 되며, 상기 제 1 하프-톤 마스크(109c)는 제 2 제로-톤 마스크가 된다.
이어, 상기 결과물 상부에 ITO 물질(110)을 증착한다.
도 2f에 도시한 바와 같이 잔존하는 제 2 하프-톤 마스크(109d)에 리프트-오프 공정을 이용하여 상기 제 2 하프-톤 마스크(109d)상에 잔존하는 ITO 물질(110)을 제거하므로 상기 소오스/드레인 전극용 금속층(106)과 접촉되는 화소전극(110a)을 형성한다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명의 박막트랜지스터 액정표시장치의 제조방법에 의하면, 3개의 마스크를 이용하여 식각 공정을 진행하므로 4개의 마스크를 이용하는 종래와 비교하여 제작비용이 감소하고, 공정을 단순화할 수 있다.
따라서, 수율 및 양산 능력을 증가시킬 수 있다.

Claims (4)

  1. 절연 기판상에 제 1 마스크를 이용하여 게이트 전극을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 전극을 포함한 전면에 게이트 절연막, 활성층, 채널층. 소오스/드레인 전극용 금속층을 차례로 증착하는 단계와;
    상기 활성층, 채널층, 소오스/드레인 전극용 금속층을 차례로 제 2 마스크를 이용하여 식각하고, 상기 소오스/드레인 전극용 금속층 표면이 선택적으로 노출되도록 제 2 마스크를 에싱하는 단계와;
    상기 에싱된 제 2 마스크를 이용하여 소오스/드레인 전극용 금속층과 채널층을 식각하는 단계와;
    상기 결과물 상부에 보호막을 형성하는 단계와;
    상기 보호막상에 선택적으로 풀-톤, 제로-톤, 하프-톤 영역을 갖는 제 3 마스크를 형성하는 단계와;
    상기 제로-톤 영역의 제 3 마스크로 이용하여 상기 보호층을 식각하는 단계와;
    상기 하프-톤 영역의 제 3 마스크를 에싱공정을 이용하여 제거하는 단계와;
    상기 풀-톤 제 3 마스크를 포함한 전면에 ITO 물질을 증착하고, 리프트-오프 레지스트 공정을 이용하여 상기 제 3 마스크를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정표시장치의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 3 마스크 에싱공정시 상기 할프-톤 마스크는 제로-톤 마스크가 되고, 상기 풀-톤 마스크는 하프-톤 마스크가 되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정표시장치의 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 풀-톤, 제로-톤, 하프-톤 영역을 갖는 제 3 마스크은 빛 노광을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정표시장치의 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 풀-톤 영역과 하프-톤 영역은 리프트 오프에 따라 그 두께를 변경할 수 있는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정표시장치의 제조방법.
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Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100507283B1 (ko) * 2002-03-12 2005-08-09 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 박막트랜지스터 액정표시장치의 제조방법
US7132688B2 (en) 2003-11-04 2006-11-07 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Thin film transistor substrate using a horizontal electric field and fabricating method thereof
KR100685803B1 (ko) * 2004-12-14 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광소자의 제조 방법
KR100822216B1 (ko) * 2007-04-09 2008-04-16 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 기판, 이를 포함한 유기 발광 표시장치 및유기 발광 표시장치의 제조방법
KR100863909B1 (ko) * 2007-04-06 2008-10-17 삼성에스디아이 주식회사 평판 디스플레이 장치 및 이를 제조하는 방법
KR101023276B1 (ko) * 2003-12-17 2011-03-18 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조 방법과 검사방법
KR101023715B1 (ko) * 2003-12-29 2011-03-25 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치의 제조방법
KR101028940B1 (ko) * 2003-12-22 2011-04-12 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법
KR101032603B1 (ko) * 2004-06-23 2011-05-06 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
KR101036708B1 (ko) * 2003-12-11 2011-05-25 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자의 제조방법
KR101048699B1 (ko) * 2003-12-31 2011-07-12 엘지디스플레이 주식회사 횡전계방식 액정표시소자의 제조방법
KR101085142B1 (ko) * 2004-12-24 2011-11-21 엘지디스플레이 주식회사 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101086121B1 (ko) * 2004-12-23 2011-11-25 엘지디스플레이 주식회사 수평전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법
KR101100674B1 (ko) * 2004-06-30 2012-01-03 엘지디스플레이 주식회사 씨오티 구조 액정표시장치용 어레이 기판 제조방법
KR101106556B1 (ko) * 2004-11-26 2012-01-19 엘지디스플레이 주식회사 횡전계 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법
KR101107711B1 (ko) * 2005-04-19 2012-01-25 엘지디스플레이 주식회사 횡전계 방식의 액정표시장치의 제조방법
US8400600B2 (en) 2004-12-24 2013-03-19 Lg Display, Co., Ltd. Liquid crystal display device and fabricating method thereof
KR101465474B1 (ko) * 2008-01-03 2014-11-27 삼성디스플레이 주식회사 하프톤마스크와, 이의 제조방법
US20150340513A1 (en) * 2005-09-29 2015-11-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100372306B1 (ko) * 1998-11-19 2003-08-25 삼성전자주식회사 박막트랜지스터의제조방법
KR100590753B1 (ko) * 1999-02-27 2006-06-15 삼성전자주식회사 액정표시장치용박막트랜지스터기판및그제조방법
JP4034470B2 (ja) * 1999-05-31 2008-01-16 株式会社アドバンスト・ディスプレイ 液晶表示装置およびその製造方法
KR100590750B1 (ko) * 1999-03-08 2006-06-15 삼성전자주식회사 액정표시장치용박막트랜지스터기판의제조방법

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100507283B1 (ko) * 2002-03-12 2005-08-09 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 박막트랜지스터 액정표시장치의 제조방법
US7446337B2 (en) 2003-11-04 2008-11-04 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate using a horizontal electric field
US7132688B2 (en) 2003-11-04 2006-11-07 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Thin film transistor substrate using a horizontal electric field and fabricating method thereof
KR101036708B1 (ko) * 2003-12-11 2011-05-25 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자의 제조방법
KR101023276B1 (ko) * 2003-12-17 2011-03-18 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조 방법과 검사방법
KR101028940B1 (ko) * 2003-12-22 2011-04-12 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법
KR101023715B1 (ko) * 2003-12-29 2011-03-25 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치의 제조방법
KR101048699B1 (ko) * 2003-12-31 2011-07-12 엘지디스플레이 주식회사 횡전계방식 액정표시소자의 제조방법
KR101032603B1 (ko) * 2004-06-23 2011-05-06 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
KR101100674B1 (ko) * 2004-06-30 2012-01-03 엘지디스플레이 주식회사 씨오티 구조 액정표시장치용 어레이 기판 제조방법
KR101106556B1 (ko) * 2004-11-26 2012-01-19 엘지디스플레이 주식회사 횡전계 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법
KR100685803B1 (ko) * 2004-12-14 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광소자의 제조 방법
KR101086121B1 (ko) * 2004-12-23 2011-11-25 엘지디스플레이 주식회사 수평전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법
KR101085142B1 (ko) * 2004-12-24 2011-11-21 엘지디스플레이 주식회사 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
US8400600B2 (en) 2004-12-24 2013-03-19 Lg Display, Co., Ltd. Liquid crystal display device and fabricating method thereof
KR101107711B1 (ko) * 2005-04-19 2012-01-25 엘지디스플레이 주식회사 횡전계 방식의 액정표시장치의 제조방법
US20150340513A1 (en) * 2005-09-29 2015-11-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof
US10304962B2 (en) * 2005-09-29 2019-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR100863909B1 (ko) * 2007-04-06 2008-10-17 삼성에스디아이 주식회사 평판 디스플레이 장치 및 이를 제조하는 방법
US8299470B2 (en) 2007-04-06 2012-10-30 Samsung Display Co., Ltd. Flat display device and method of manufacturing the same
KR100822216B1 (ko) * 2007-04-09 2008-04-16 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 기판, 이를 포함한 유기 발광 표시장치 및유기 발광 표시장치의 제조방법
KR101465474B1 (ko) * 2008-01-03 2014-11-27 삼성디스플레이 주식회사 하프톤마스크와, 이의 제조방법

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