KR101958355B1

KR101958355B1 - 어시스트 패턴을 포함하는 마스크

Info

Publication number: KR101958355B1
Application number: KR1020120054485A
Authority: KR
Inventors: 김봉연; 강민; 심승보; 이종광; 주진호; 김정원; 김태균; 박철원; 우준혁; 이현주
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사
Priority date: 2012-05-22
Filing date: 2012-05-22
Publication date: 2019-07-03
Also published as: US20130316270A1; US9069258B2; KR20130130572A

Abstract

본 발명에 따른 마스크는 배선 회로 패턴을 포함하는 배선 영역 및 길이 방향으로 연장되어 형성되는 복수개의 픽셀 패턴 및 상기 배선 영역과 인접하는 상기 픽셀 패턴의 말단에 형성되는 복수개의 어시스트 패턴을 포함하는 픽셀 영역을 포함한다.
따라서 상기 픽셀 패턴의 말단부를 설계 시에 의도하는 형상으로 보정할 수 있다.

Description

어시스트 패턴을 포함하는 마스크 {MASK WITH ASSIST PATTERN}

본 발명은 어시스트 패턴을 포함하는 마스크에 관한 것으로, 보다 상세하게는 텍스처 불량 개선을 방지하는 어시스트 패턴을 포함하는 마스크에 관한 것이다.

최근 다양한 액정표시장치의 구동 방법이 소개되고 있다. 전계의 형성에 따라 빛의 투과율을 달리해서 이미지를 표현하는 액정표시장치의 경우, 액정 배향의 방법에 따라 응답속도, 시야각 등이 차이가 날 수 있다. 따라서 좀 더 나은 응답속도와 시야각 등을 가지는 액정표시장치를 구현하기 위해서 다양한 액정의 구동 방법이 개발된다.

현재 사용되고 있는 새로운 액정표시장치의 구동 방법 중 하나는 기존의 상부 기판 및 하부 기판의 전계에 의해 액정이 배열되는 구조와는 달리 하부 기판에서 형성되는 전계에 의해서 액정이 배열되는 방식을 채택한다. 하부 기판에서 생성되는 전계만으로 액정의 방향을 제어하여 액정을 제어한다. 액정의 배열을 제어하기 위한 상부 기판의 픽셀 패턴이 필요 없어지기 때문에, 공정이 매우 단순화 되며, 상부 기판과 하부 기판의 미스 얼라인을 미연에 방지할 수 있는 장점이 있다. 또한 기존의 액정 표시 장치에 비해서 25% 이상 투과율 향상이 이루어져 그 적용 범위가 계속적으로 확대되고 있다.

도 1a 및 1b는 이러한 액정 표시 장치의 구동 방법을 나타내는 단면도이다. 액정 표시 장치는 하부기판(300), 상부기판(400) 및 하부 기판(300)과 상부 기판(400) 사이에 게재되는 액정(500)을 포함한다. 상기 하부 기판(300)은 인접하게 슬릿 패턴으로 형성되는 복수의 픽셀 전극(110)을 포함한다. 상기 하부 기판(300)에 존재하는 복수의 픽셀 전극(110) 만으로 액정의 전계를 형성하며, 도 1a의 경우 전계가 형성되지 않은 블랙 화면의 액정 배열이며, 도 1b의 경우 전계가 형성되는 화이트 화면의 액정 배열이다.

하지만 이러한 하부 기판(300)에 존재하는 복수의 픽셀 전극(110) 만으로 액정의 배열을 제어하는 경우 상기 복수의 픽셀 전극(110)의 패턴이 올바르게 형성되지 않으면, 해당하는 부분의 액정 배열에 대해 불량이 발생하게 되고, 하나의 픽셀에서 일부분에 텍스처 불량이 발생하게 된다. 이러한 텍스처 불량의 원인들로는 많은 것들이 있으나 특히 상기 픽셀 전극(110)의 형상에 문제가 발생되는 경우가 많다. 상기 픽셀 전극(110)이 일반회로영역과 인접하는 경우 노광이 과도하게 일어나 픽셀 전극(110)의 형성이 불완전하게 되어 전체적인 불량을 발생하는 현상이 있으며, 전체적인 픽셀의 품질을 저하시키는 주요 원인이 된다.

이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로, 픽셀 화소의 텍스처 불량 개선을 방지하는 어시스트 패턴을 포함하는 마스크를 제공하는 것이다.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 마스크는 배선 회로 패턴을 포함하는 배선 영역 및 길이 방향으로 연장되어 형성되는 복수개의 픽셀 패턴 및 상기 배선 영역과 인접하는 상기 픽셀 패턴의 말단에 형성되는 복수개의 어시스트 패턴을 포함하는 픽셀 영역을 포함한다.

일 실시예에 있어서, 상기 어시스트 패턴은 상기 픽셀 패턴의 말단으로부터 연장되어 형성되는 것을 특징으로 할 수 있다.

일 실시예에 있어서, 상기 어시스트 패턴은 상기 픽셀 패턴의 말단에서 연장되는 적어도 두 개 이상의 서브 어시스트 패턴을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.

일 실시예에 있어서, 상기 서브 어시스트 패턴은 상기 픽셀 패턴의 말단 각 모서리부에서 연장되어 두 개 형성되는 것을 특징으로 할 수 있다.

일 실시예에 있어서, 상기 서브 어시스트 패턴은 정사각형의 형상을 하는 것을 특징으로 할 수 있다.

일 실시예에 있어서, 상기 서브 어시스트 패턴의 정사각형의 중심은 상기 픽셀 패턴의 길이방향으로 연장되는 측변의 연장선 상에 형성되는 것을 특징으로 할 수 있다.

일 실시예에 있어서, 상기 서브 어시스트 패턴의 정사각형의 한 변의 길이는 상기 픽셀 패턴의 폭의 75% 이하인 것을 특징으로 할 수 있다.

일 실시예에 있어서, 상기 서브 어시스트 패턴의 정사각형의 한 변의 길이는 상기 픽셀 패턴의 폭의 50% 이상 70% 이하인 것을 특징으로 할 수 있다.

일 실시예에 있어서, 상기 서브 어시스트 패턴은 상기 픽셀 패턴과 일체로 형성되는 것을 특징으로 할 수 있다.

일 실시예에 있어서, 상기 어시스트 패턴의 폭은 상기 픽셀 패턴의 폭보다 큰 것을 특징으로 할 수 있다.

일 실시예에 있어서, 상기 어시스트 패턴의 상기 픽셀 패턴의 길이방향으로 연장되는 높이는 상기 픽셀 패턴의 폭의 1/10 내지 1/4인 것을 특징으로 할 수 있다.

일 실시예에 있어서, 상기 어시스트 패턴의 폭은 상기 픽셀 패턴의 폭 보다 상기 픽셀 패턴의 폭의 1/10 내지 1/4 만큼 큰 것을 특징으로 할 수 있다.

일 실시예에 있어서, 상기 어시스트 패턴은 상기 픽셀 패턴과 일체로 형성되는 것을 특징으로 할 수 있다.

일 실시예에 있어서, 상기 어시스트 패턴은 상기 픽셀 패턴의 말단과 제1 간격만큼 이격 하여 형성되는 것을 특징으로 할 수 있다.

일 실시예에 있어서, 상기 어시스트 패턴의 폭은 상기 픽셀 패턴의 폭과 동일하게 형성되는 것을 특징으로 할 수 있다.

일 실시예에 있어서, 상기 어시스트 패턴의 상기 픽셀 패턴의 길이 방향으로 연장되는 높이는 상기 제1 거리와 동일하게 형성되는 것을 특징으로 할 수 있다.

일 실시예에 있어서, 상기 어시스트 패턴의 높이는 상기 픽셀 패턴의 가로폭의 1/10 내지 1/4인 것을 특징으로 할 수 있다.

일 실시예에 있어서, 상기 어시스트 패턴은 상기 픽셀 패턴의 측부에 형성되는 것을 특징으로 할 수 있다.

일 실시예에 있어서, 상기 어시스트 패턴은 상기 픽셀 패턴의 말단부로 갈수록 두께가 증가하는 것을 특징으로 할 수 있다.

일 실시예에 있어서, 상기 어시스트 패턴은 상기 픽셀 패턴의 말단부로 갈수록 불연속적으로 그 두께가 증가하는 것을 특징으로 할 수 있다.

본 발명의 실시예들에 따르면, 회로 영역과 인접하는 픽셀 패턴의 말단부에 위치하는 어시스트 패턴이 상기 회로 영역으로부터 유입되는 광을 차단하기 때문에, 상기 픽셀 패턴의 말단부를 설계시에 의도하는 형상으로 보정할 수 있게 된다.

도 1a 및 1b는 액정 표시장치의 구동을 나타내는 단면도들이다.
도 2는 발명의 일 실시예에 따른 마스크를 나타내는 평면도이다.
도 3은 종래의 마스크에 의해 노광된 'A' 부분을 확대한 확대 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크의 일부를 나타내는 사시도이다.
도 5는 도 4의 실시예에 따른 마스크의 노출 강도를 나타내는 그래프이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크의 일부를 나타내는 사시도이다.
도 7은 도 6의 실시예에 따른 마스크의 노출 강도를 나타내는 그래프이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크의 일부를 나타내는 사시도이다.
도 9은 도 8의 실시예에 따른 마스크의 노출 강도를 나타내는 그래프이다.
도 10a 내지 10f는 도 8의 실시예에 따른 마스크의 서브 어시스트 패턴의 크기에 다른 노출 강도를 나타내는 그래프이다.
도 11a 내지 11f는 도 8의 실시예에 따른 마스크의 서브 어시스트 패턴의 크기에 다른 노출 강도를 나타내는 그래프이다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크의 일부를 나타내는 사시도이다.

이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하기로 한다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크를 나타내는 평면도이다.

도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 마스크는 픽셀 영역(101) 및 배선 영역(102)를 포함한다. 상기 픽셀 영역(101)은 복수개의 픽셀 패턴을 포함하고, 상기 배선 영역(102)는 일반 회로 패턴을 포함한다.

상기 픽셀 영역(101)는 빗살 모양의 복수개의 픽셀 패턴(110)을 포함한다. 하부 기판에 형성되는 픽셀 전극으로 액정의 배열을 제어하는 전계를 형성하기 위해서는 도 2에 도시된 바와 같이 복수개의 슬릿이 배열된 형상으로 화소 전극이 형성되어야 한다. 이러한 형태의 픽셀 패턴을 U-슬릿 패턴(U-Slit Pattern)으로 명칭할 수 있다.

상기 U-슬릿 패턴은 상기 픽셀 패턴이 도 2에 도시된 바와 같이, 픽셀 패턴이 립(rib)모양으로 형성되고, 각 픽셀 패턴들을 전기적으로 연결하는 주변부가 둘러싸는 형태로 형성된다. 도 2를 참조하면, 픽셀 영역(101) 내에 는 복수의 픽셀 패턴(110)이 형성되고, 중심부 및 주변부는 닫힌 폐쇄형 패턴이 형성된다. 하지만, 상기 복수의 픽셀 패턴(110) 중 상기 회로 영역(102)과 인접하는 영역에는 개방형 패턴이 형성된다. 상기 회로 영역(102)과 인접하는 영역에는 개방형 픽셀 패턴(110)이 형성되기 때문에, 주변이 과도하게 노출되는 경우 주변의 광이 유입되어 패턴 형성에 방해를 받을 수 있다.

상기 회로 영역(102)에 형성되는 일반 회로 패턴은 상기 마스크에 의해 제작되는 기판의 설계에 따라 다양한 패턴이 형성될 수 있다. 상기 배선 영역(120)에 의해 형성되는 일반회로 패턴의 특징은 상기 픽셀영역(101)에 의해 형성되는 패턴에 비해 노광되는 영역이 많은 점이다. 상기 배선 영역(120)은 상기 픽셀 영역(101)과 같이 전계를 형성하여 액정을 배열하는 기능을 하는 것이 아니기 때문에, 필요한 패턴의 크기가 상기 픽셀영역(101)에 존재하는 패턴보다 크고, 덜 조밀하다. 따라서, 상기 회로 영역(102)에서 광선이 투과되는 투과 영역은 상기 픽셀 영역(101)의 투과 영역보다 크다. 일반적으로 상기 회로 영역(102)은 상기 픽셀 영역(101) 보다 더 많은 양의 광선이 투과된다.

도 2를 다시 참조하면, 상기 픽셀 영역(101)과 상기 회로 영역(102) 사이에 존재하는 상기 픽셀 영역(101)의 픽셀 패턴(110)들은 개방형으로 형성되어 상기 회로 영역(102)을 통하여 들어오는 노광용 광이 상기 픽셀 패턴(110) 영역으로 침범될 수 있다. 이러한 경우 상기 회로 영역(102)에 인접한 픽셀 패턴(110)들은 필요한 광보다 과도하게 노광되어 원래 설계한 패턴의 형상이 아닌 과도하게 노광된 형상으로 형성된다.

도 3은 어시스트 패턴이 없는 마스크에 의해 노광된 'A' 부분을 확대한 확대 단면도이다.

도 3을 참조하면, 어시스트 패턴이 없는 마스크에 의해 노광된 픽셀 패턴은 인접한 광에 의해 과도하게 노광된 상태로 형성된다. 상기 회로 영역(102)은 광이 투과되는 투과영역이 상기 픽셀 영역(101) 보다 많이 형성되고, 특히 상기 픽셀 영역(101)과 인접한 부분의 회로 영역(102)은 광이 전부 노출될 정도로 투과영역이 많이 분포하고 있다.

따라서, 상기 회로 영역(102)에 형성되는 패턴에 의해 투과된 광은 상기 인접한 픽셀 영역(101)의 픽셀 패턴(111')으로 누출된다. 상기 누출된 광은 픽셀 패턴이 원래 형성하여야 하는 U-슬릿 형상이 아닌 빗살모양의 패턴을 형성한다. 상기 빗살 모양의 패턴으로 형성된 픽셀 패턴은 액정 배향을 위한 전계를 형성하는 경우에 필요한 만큼의 전계를 형성하지 못하거나, 같은 신호를 받은 다른 픽셀 패턴과는 다른 세기의 전계를 형성하게 된다. 따라서 빗살 모양의 패턴으로 형성된 픽셀 영역에는 다른 픽셀 영역과는 다른 색이 표시되는 등의 불량이 발생하게 된다.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크의 일부를 나타내는 사시도이다.

도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크는 배선 영역과 인접하는 픽셀 패턴(111)의 말단에 형성되는 복수개의 어시스트 패턴(151)을 포함한다. 상기 어시스트 패턴(151)은 상기 픽셀 패턴(111)의 말단으로부터 제1 간격(d1)만큼 연장되어 형성된다. 상기 픽셀 패턴(111)은 제1 넓이(w1)만큼의 폭을 가지며, 상기 어시스트 패턴(151)은 제2 넓이(w2)만큼의 폭을 가진다. 상기 어시스트 패턴(151)은 상기 픽셀 패턴(111)의 길이 방향으로 제1 높이(h1)만큼 연장된다. 상기 어시스트 패턴(151)의 제2 넓이(w2)는 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)와 실질적으로 동일한 폭을 가질 수 있다.

상기 어시스트 패턴(151)은 노광용 광을 차단한다. 상기 어시스트 패턴(151)은 상기 픽셀 패턴(111)의 크기에 비하여 현격하게 작게 형성되기 때문에, 상기 어시스트 패턴(151)에 의해서는 실제 픽셀 패턴 또는 회로 패턴이 형성되지는 않는다. 다만, 인접하는 패턴에 공급되는 광의 양을 줄일 수 있기 때문에, 원하는 패턴의 형상을 부분적으로 보정하는 역할을 할 수 있다.

상기 어시스트 패턴(151)은 상기 픽셀 패턴(111)의 말단에 상기 제1 간격(d1)만큼 이격하여 형성된다. 상기 어시스트 패턴(151)에 의해서는 실제적인 패턴이 형성되지 않고, 상기 픽셀 패턴(111)의 말단 부분에 패턴 형성에 영향을 미친다. 상기 픽셀 패턴(111)의 말단 부분에 공급되는 광량을 조절할 수 있고, 특히 회로 영역으로부터 누설되는 광들을 차단할 수 있어, 상기 픽셀 패턴(111)의 말단이 최초 설계대로 형성될 수 있도록 돕는 역할을 한다.

도 5는 도 4의 실시예에 따른 마스크의 노출 강도를 나타내는 그래프이다.

도 5를 참조하면, 도 4의 실시예에 따른 마스크를 사용하였을 때에 패턴에 노출되는 광의 광도가 도시되어 있다. 도 5는 상기 제1 간격(d1)이 0.5 μm, 상기 제1 높이(h1)가 0.5μm, 상기 제1 넓이(w1) 및 제2 넓이(w2)가 각각 2.0μm 인 경우 본 실시예에 따른 어시스트 패턴을 포함하는 마스크를 이용한 광의 노출 정도이다.

광의 강도는 제1 강도(i1), 제2 강도(i2), 제3 강도(i3), 제4 강도(i4), 제5 강도(i5), 제6 강도(i6) 및 제7 강도(i7)으로 표시되며, 상기 제6 및 제7 강도에 의해 조사되는 영역에만 패턴이 형성된다. 픽셀 패턴이 빗살 무늬로 형성하지 않고, U-자형 패턴으로 형성되는 것을 볼 수 있다. 따라서, 다른 픽셀 패턴들과 마찬가지로 액정의 배열에 필요한 전계를 충분히 형성할 수 있기 때문에, 픽셀 패턴의 불량으로 인한 불량을 방지할 수 있게 된다.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크의 일부를 나타내는 사시도이다.

도 6을 참조하면, 본 실시예에 다른 마스크는 픽셀 패턴(111) 및 상기 픽셀 패턴(111)의 말단으로부터 연장되어 형성되는 어시스트 패턴(152)을 포함한다. 상기 픽셀 패턴(111)은 제1 넓이(w1)만큼의 폭을 가지며, 상기 어시스트 패턴(152)은 제3 넓이(w3)만큼의 폭을 가진다. 상기 어시스트 패턴(152)은 상기 픽셀 패턴(111)의 길이 방향으로 제2 높이(h2)만큼 연장된다.

상기 어시스트 패턴(152)의 제3 넓이(w3)는 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)에 비해 더 크게 형성될 수 있다. 상기 어시스트 패턴(152)는 상기 픽셀 패턴(111)과 접하여 형성되기 때문에, 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)보다 더 큰 제3 넓이(w3)로 형성되어야 상기 픽셀 패턴(111)의 말단을 보정할 수 있다. 상기 어시스트 패턴(152) 및 픽셀 패턴(111) 전체적으로 망치 형상의 패턴으로 형성된다. 상기 어시스트 패턴(152)의 상기 픽셀 패턴(111)의 길이방향으로 연장되는 제2 높이(h2)는 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 1/10 내지 1/4일 수 있다. 상기 제2 높이(h2)가 길게 형성될수록 상기 픽셀 패턴(111)의 말단부는 더욱 짙게 형성될 수 있다. 상기 제2 높이(h2)가 너무 높게 형성되는 경우에는 상기 픽셀 패턴(111)의 말단에 필요 없는 패턴이 부가적으로 생성될 수 있기 때문에, 너무 높게 형성하지 않도록 한다.

또한 상기 어시스트 패턴(152)의 제3 넓이(w3)는 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1) 보다 더 크게 형성되는데, 상기 제3 넓이(w3)의 경우에도 너무 크게 형성되는 경우 상기 픽셀 패턴(111)의 말단부가 측방향으로 연장될 수 있다. 상기 픽셀 패턴(111)의 말단부가 측방향으로 연장되는 경우 인접하는 픽셀 패턴(111)과 쇼트가 일어날 수 있기 때문에, 과도하게 길게 형성하지 않아야 한다. 상기 어시스트 패턴(152)의 제3 넓이(w3)는 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 1/10 내지 1/4 정도 크게 형성할 수 있다. 상기 어시스트 패턴(152)의 제3 넓이(w3)가 상기와 같은 넓이로 형성되는 경우 상기 픽셀 패턴(111)의 말단부를 알맞은 크기로 보정할 수 있다. 상기 제2 높이(h2) 및 제3 넓이(w3)은 서로 영향을 미치는 변수이기 때문에, 각각의 패턴의 설계에 맞게 조절할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 높이(h2)를 증가시키는 경우에는 상기 제3 넓이(w3)를 더욱 작게 형성할 수 있으며, 반대의 경우 상기 제2 높이(h2)를 감소하는 경우에는 상기 제3 넓이(w3)를 좀 더 크게 형성시킬 수 있다.

상기 어시스트 패턴(152)은 노광용 광을 차단한다. 상기 어시스트 패턴(152)은 상기 픽셀 패턴(111)의 크기에 비하여 현격하게 작게 형성되기 때문에, 상기 어시스트 패턴(152)에 의해서는 실제 픽셀 패턴 또는 회로 패턴이 형성되지는 않는다. 다만, 인접하는 패턴에 공급되는 광의 양을 줄일 수 있기 때문에, 원하는 패턴의 형상을 부분적으로 보정하는 역할을 할 수 있다. 상기 어시스트 패턴(152)은 상기 픽셀 패턴(111)의 말단에서부터 연장되어 형성된다. 상기 어시스트 패턴(152)은 상기 픽셀 패턴(111)과 일체로 형성될 수 있다. 상기 어시스트 패턴(152)에 의해서는 실제적인 패턴이 형성되지 않고, 상기 픽셀 패턴(111)의 말단 부분에 패턴 형성에 영향을 미친다. 상기 픽셀 패턴(111)의 말단 부분에 공급되는 광량을 조절할 수 있고, 특히 회로 영역으로부터 누설되는 광들을 차단할 수 있어, 상기 픽셀 패턴(111)의 말단이 최초 설계대로 형성될 수 있도록 돕는 역할을 한다.

도 7은 도 6의 실시예에 따른 마스크의 노출 강도를 나타내는 그래프이다.

도 7를 참조하면, 도 6의 실시예에 따른 마스크를 사용하였을 때에 패턴에 노출되는 광의 광도가 도시되어 있다. 도 7은 상기 제3 넓이(w3)가 3.0μm, 상기 제2 높이(h2)가 0.5μm, 상기 제1 넓이(w1)가 2.0μm 인 경우 본 실시예에 따른 어시스트 패턴을 포함하는 마스크를 이용한 광의 노출 정도이다.

도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크의 일부를 나타내는 사시도이다.

도 8을 참조하면, 본 실시예에 다른 마스크는 픽셀 패턴(111) 및 상기 픽셀 패턴(111)의 말단으로부터 연장되어 형성되는 어시스트 패턴(154)을 포함한다. 상기 어시스트 패턴(154)는 적어도 두 개 이상의 서브 어시스트 패턴(153)으로 이루어 진다. 상기 서브 어시스트 패턴(153)은 상기 픽셀 패턴(111)의 말단 각 모서리부에서 연장되어 형성될 수 있다. 또한, 상기 서브 어시스트 패턴(153)은 정사각형의 형상으로 형성될 수 있다. 상기 서브 어시스트 패턴(153)이 정사각형 형상으로 형성되는 경우, 상기 서브 어시스트 패턴(153)의 정사각형의 한 변의 길이는 제1 길이(s)만큼 형성될 수 있다. 상기 픽셀 패턴(111)은 제1 넓이(w1)만큼의 폭을 가지며, 상기 서브 어시스트 패턴(153)은 제1 길이(s)만큼의 폭을 가진다. 상기 서브 어시스트 패턴(153)의 제1 길이(s)는 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 약 75% 이하일 수 있다. 일반적으로 상기 제1 길이(s)가 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 약 75% 이상인 경우에는 상기 서브 어시스트 패턴(153)에 의해 추가적인 패턴이 실제적으로 형성되어 상기 픽셀 패턴(111)의 말단부를 서로 쇼트시키는 현상이 발생할 수 있다. 따라서, 상기 서브 어시스트 패턴(153)의 정사각형 형상의 제1 길이(s)는 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 약 75% 를 넘지 않아야 한다.

또한, 상기 서브 어시스트 패턴(153)의 제1 길이(s)는 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 약 50% 이상 70% 이하의 범위로 형성될 수 있다. 상기 서브 어시스트 패턴(153)이 정사각형 형상으로 형성된 경우, 상기 제1 길이(s)를 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 약 50% 이상 70% 이하의 범위로 형성하는 경우 가장 효과적으로 상기 픽셀 패턴(111)의 말단부를 보정할 수 있게 된다. 후추 실험 데이터와 함께 상기 서브 어시스트 패턴(153)이 정사각형 형상으로 형성되었을 때의 제1 길이(s)의 변화에 따른 상기 픽셀 패턴(111)의 형성을 설명한다.

상기 서브 어시스트 패턴(153)은 상기 픽셀 패턴(111)과 일체로 형성될 수 있다. 상기 서브 어시스트 패턴(153)은 상기 픽셀 패턴(111)의 말단에서 연장되어 형성되기 때문에, 다른 구성요소를 결합하여 설계하는 것이 아니라, 최초 설계 시에 산기 픽셀 패턴(111)의 말단부에 상기 서브 어시스트 패턴(153)을 함께 설계할 수 있다. 또한, 상기 서브 어시스트 패턴의 정사각형의 중심은 상기 픽셀 패턴(111)의 길이 방향으로 연장되는 측변의 연장선 상에 형성될 수 있다. 상기 어시스트 패턴(154)은 상기 픽셀 패턴(111)의 말단부를 좀 더 설계하는 패턴에 가깝게 형성되도록 보정하는 것이므로, 상기 픽셀 패턴(111)의 왜곡이 가장 심한 부분인 상기 픽셀 패턴(111)의 모서리 부에 상기 서브 어시스트 패턴(153)이 위치하도록 형성한다. 상기 서브 어시스트 패턴(153)이 정사각형 형상으로 형성되는 경우 상기 정사각형의 중심부는 상기 픽셀 패턴(111)의 측변에서 연장되는 가상의 선 상에 위치하도록 상기 서브 어시스트 패턴(153)을 배열할 수 있다.

상기 어시스트 패턴(154)은 노광용 광을 차단한다. 상기 어시스트 패턴(154)은 상기 픽셀 패턴(111)의 크기에 비하여 현격하게 작게 형성되기 때문에, 상기 어시스트 패턴(154)에 의해서는 실제 픽셀 패턴 또는 회로 패턴이 형성되지는 않는다. 다만, 인접하는 패턴에 공급되는 광의 양을 줄일 수 있기 때문에, 원하는 패턴의 형상을 부분적으로 보정하는 역할을 할 수 있다.

상기 어시스트 패턴(154)은 상기 픽셀 패턴(111)의 말단에서부터 연장되어 형성된다. 상기 어시스트 패턴(154)은 상기 픽셀 패턴(111)의 말단의 각 모서리부에서 연장되어 형성되는 적어도 두 개 이상의 서브 어시스트 패턴(153)으로 형성된다. 상기 서브 어시스트 패턴(153)은 상기 픽셀 패턴(111)과 일체로 형성될 수 있다. 상기 어시스트 패턴(154)에 의해서는 실제적인 패턴이 형성되지 않고, 상기 픽셀 패턴(111)의 말단 부분에 패턴 형성에 영향을 미친다. 상기 픽셀 패턴(111)의 말단 부분에 공급되는 광량을 조절할 수 있고, 특히 회로 영역으로부터 누설되는 광들을 차단할 수 있어, 상기 픽셀 패턴(111)의 말단이 최초 설계대로 형성될 수 있도록 돕는 역할을 한다.

도 9은 도 8의 실시예에 따른 마스크의 노출 강도를 나타내는 그래프이다.

도 9를 참조하면, 도 8의 실시예에 따른 마스크를 사용하였을 때에 패턴에 노출되는 광의 광도가 도시되어 있다. 도 9는 상기 제1 길이(s)가 1.0μm, 상기 제1 넓이가 2.0μm 인 경우 본 실시예에 따른 어시스트 패턴을 포함하는 마스크를 이용한 광의 노출 정도이다.

광의 강도는 제1 강도(i1), 제2 강도(i2), 제3 강도(i3), 제4 강도(i4), 제5 강도(i5), 제6 강도(i6) 및 제7 강도(i7)으로 표시되며, 본 실시예에서는 상기 제5, 제6 및 제7 강도에 의해 조사되는 영역에만 패턴이 형성된다. 픽셀 패턴이 빗살 무늬로 형성하지 않고, U-자형 패턴으로 형성되는 것을 볼 수 있다. 따라서, 다른 픽셀 패턴들과 마찬가지로 액정의 배열에 필요한 전계를 충분히 형성할 수 있기 때문에, 픽셀 패턴의 불량으로 인한 불량을 방지할 수 있게 된다.

도 10a 내지 10f는 도 8의 실시예에 따른 마스크의 서브 어시스트 패턴의 크기에 다른 노출 강도를 나타내는 그래프이다.

도 10a 내지 10f는 도 8의 실시예에 따른 마스크에서 상기 서브 어시스트 패턴의 제1 길이(s)를 각각 달리 하였을 때에, 상기 마스크에 의해 노출되는 광의 세기를 나타내는 그래프이다.

도 10a를 참조하면, 도 8의 실시예에 따른 마스크에서 상기 픽셀 패턴(111)의 말단에 상기 서브 어시스트 패턴이 정사각형으로 형성되었을 때에, 상기 정사각형의 한 변의 길이인 제1 길이(s)가 0인 경우, 상기 마스크에 의해 노출되는 광의 세기를 나타내는 그래프이다. 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)는 4μm이다. 광의 강도는 제1 강도(i1), 제2 강도(i2), 제3 강도(i3), 제4 강도(i4), 제5 강도(i5), 제6 강도(i6) 및 제7 강도(i7)으로 표시되며, 본 실시예에서는 상기 제7 강도에 의해 조사되는 영역에만 패턴이 형성된다. 도 10a에서는 상기 픽셀 패턴의 말단부에는 광이 픽셀 패턴을 형성하지 못하는 광의 세기로 공급됨을 알 수 있다. 따라서, 원하는 형상의 픽셀 패턴이 형성되지 못한다.

도 10b를 참조하면, 도 8의 실시예에 따른 마스크에서 상기 픽셀 패턴(111)의 말단에 상기 서브 어시스트 패턴이 정사각형으로 형성되었을 때에, 상기 정사각형의 한 변의 길이인 제1 길이(s)가 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 25%인 경우, 상기 마스크에 의해 노출되는 광의 세기를 나타내는 그래프이다. 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)는 4μm이다. 따라서, 상기 제1 길이(s)는 0.5μm이다. 광의 강도는 제1 강도(i1), 제2 강도(i2), 제3 강도(i3), 제4 강도(i4), 제5 강도(i5), 제6 강도(i6) 및 제7 강도(i7)으로 표시되며, 본 실시예에서는 상기 제7 강도에 의해 조사되는 영역에만 패턴이 형성된다. 도 10b에서는 상기 픽셀 패턴의 말단부에는 광이 픽셀 패턴을 형성하지 못하는 광의 세기로 공급됨을 알 수 있다. 따라서, 이 경우에도 원하는 형상의 픽셀 패턴이 형성되지 못한다.

도 10c를 참조하면, 도 8의 실시예에 따른 마스크에서 상기 픽셀 패턴(111)의 말단에 상기 서브 어시스트 패턴이 정사각형으로 형성되었을 때에, 상기 정사각형의 한 변의 길이인 제1 길이(s)가 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 50%인 경우, 상기 마스크에 의해 노출되는 광의 세기를 나타내는 그래프이다. 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)는 4μm이다. 따라서, 상기 제1 길이(s)는 1.0μm이다. 광의 강도는 제1 강도(i1), 제2 강도(i2), 제3 강도(i3), 제4 강도(i4), 제5 강도(i5), 제6 강도(i6) 및 제7 강도(i7)으로 표시되며, 본 실시예에서는 상기 제7 강도에 의해 조사되는 영역에만 패턴이 형성된다. 도 10c에서는 상기 픽셀 패턴의 말단부에는 광이 원하는 형상의 픽셀 패턴으로 형성될 수 있도록 광의 세기가 공급됨을 알 수 있다. 따라서, 상기 제1 길이(s)가 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 값이 적어도 50% 이상인 경우에, 원하는 형상의 픽셀 패턴(111)으로 형성되도록 보정할 수 있음을 알 수 있다.

도 10d를 참조하면, 도 8의 실시예에 따른 마스크에서 상기 픽셀 패턴(111)의 말단에 상기 서브 어시스트 패턴이 정사각형으로 형성되었을 때에, 상기 정사각형의 한 변의 길이인 제1 길이(s)가 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 55%인 경우, 상기 마스크에 의해 노출되는 광의 세기를 나타내는 그래프이다. 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)는 4μm이다. 따라서, 상기 제1 길이(s)는 1.1μm이다. 광의 강도는 제1 강도(i1), 제2 강도(i2), 제3 강도(i3), 제4 강도(i4), 제5 강도(i5), 제6 강도(i6) 및 제7 강도(i7)으로 표시되며, 본 실시예에서는 상기 제7 강도에 의해 조사되는 영역에만 패턴이 형성된다. 도 10d에서는 상기 픽셀 패턴의 말단부에는 광이 원하는 형상의 픽셀 패턴으로 형성될 수 있도록 광의 세기가 공급됨을 알 수 있다. 따라서, 상기 제1 길이(s)가 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 값이 약 55% 인 경우에도, 원하는 형상의 픽셀 패턴(111)으로 형성되도록 보정할 수 있음을 알 수 있다.

도 10e를 참조하면, 도 8의 실시예에 따른 마스크에서 상기 픽셀 패턴(111)의 말단에 상기 서브 어시스트 패턴이 정사각형으로 형성되었을 때에, 상기 정사각형의 한 변의 길이인 제1 길이(s)가 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 62.5%인 경우, 상기 마스크에 의해 노출되는 광의 세기를 나타내는 그래프이다. 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)는 4μm이다. 따라서, 상기 제1 길이(s)는 1.25μm이다. 광의 강도는 제1 강도(i1), 제2 강도(i2), 제3 강도(i3), 제4 강도(i4), 제5 강도(i5), 제6 강도(i6) 및 제7 강도(i7)으로 표시되며, 본 실시예에서는 상기 제7 강도에 의해 조사되는 영역에만 패턴이 형성된다. 도 10e에서는 상기 픽셀 패턴의 말단부에는 광이 원하는 형상의 픽셀 패턴으로 형성될 수 있도록 광의 세기가 공급됨을 알 수 있다. 따라서, 상기 제1 길이(s)가 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 값이 약 62.5% 인 경우에도, 원하는 형상의 픽셀 패턴(111)으로 형성되도록 보정할 수 있음을 알 수 있다.

도 10f를 참조하면, 도 8의 실시예에 따른 마스크에서 상기 픽셀 패턴(111)의 말단에 상기 서브 어시스트 패턴이 정사각형으로 형성되었을 때에, 상기 정사각형의 한 변의 길이인 제1 길이(s)가 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 75%인 경우, 상기 마스크에 의해 노출되는 광의 세기를 나타내는 그래프이다. 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)는 4μm이다. 따라서, 상기 제1 길이(s)는 1.5μm이다. 광의 강도는 제1 강도(i1), 제2 강도(i2), 제3 강도(i3), 제4 강도(i4), 제5 강도(i5), 제6 강도(i6) 및 제7 강도(i7)으로 표시되며, 본 실시예에서는 상기 제7 강도에 의해 조사되는 영역에만 패턴이 형성된다. 도 10f에서는 상기 픽셀 패턴의 말단부가 인접하는 픽셀 패턴과 접하게 형성됨을 알 수 있다. 이 경우에는 상기 픽셀 패턴이 인접하는 픽셀 패턴과 쇼트가 일어나기 때문에, 원하는 전계를 형성할 수 없게 된다. 따라서 화소에 불량이 발생한다. 따라서, 상기 제1 길이(s)가 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 값이 약 75%를 초과하는 경우에는 픽셀 패턴의 말단부가 측면으로 연장되는 불량이 발생하여 원하는 형상의 픽셀 패턴(111)으로 형성되도록 보정할 수 없음을 알 수 있다.

도 11a 내지 11f는 도 8의 실시예에 따른 마스크의 서브 어시스트 패턴의 크기에 다른 노출 강도를 나타내는 그래프이다.

도 11a 내지 11f는 도 8의 실시예에 따른 마스크에서 상기 서브 어시스트 패턴의 제1 길이(s)를 각각 달리 하였을 때에, 상기 마스크에 의해 노출되는 광의 세기를 나타내는 그래프이다. 도 11a 내지 11f의 실시예와 도 10a 내지 10f의 실시예와 다른 점은 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 값이 도 11a 내지 11f의 실시예에서 더 크게 적용되었다는 점이다.

도 11a를 참조하면, 도 8의 실시예에 따른 마스크에서 상기 픽셀 패턴(111)의 말단에 상기 서브 어시스트 패턴이 정사각형으로 형성되었을 때에, 상기 정사각형의 한 변의 길이인 제1 길이(s)가 0인 경우, 상기 마스크에 의해 노출되는 광의 세기를 나타내는 그래프이다. 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)는 5μm이다. 광의 강도는 제1 강도(i1), 제2 강도(i2), 제3 강도(i3), 제4 강도(i4), 제5 강도(i5), 제6 강도(i6) 및 제7 강도(i7)으로 표시되며, 본 실시예에서는 상기 제7 강도에 의해 조사되는 영역에만 패턴이 형성된다. 도 11a에서는 상기 픽셀 패턴의 말단부에는 광이 픽셀 패턴을 형성하지 못하는 광의 세기로 공급됨을 알 수 있다. 따라서, 도 10a의 실시예와 마찬가지로 원하는 형상의 픽셀 패턴이 형성되지 못한다.

도 11b를 참조하면, 도 8의 실시예에 따른 마스크에서 상기 픽셀 패턴(111)의 말단에 상기 서브 어시스트 패턴이 정사각형으로 형성되었을 때에, 상기 정사각형의 한 변의 길이인 제1 길이(s)가 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 25%인 경우, 상기 마스크에 의해 노출되는 광의 세기를 나타내는 그래프이다. 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)는 5μm이다. 따라서, 상기 제1 길이(s)는 0.625μm이다. 광의 강도는 제1 강도(i1), 제2 강도(i2), 제3 강도(i3), 제4 강도(i4), 제5 강도(i5), 제6 강도(i6) 및 제7 강도(i7)으로 표시되며, 본 실시예에서는 상기 제7 강도에 의해 조사되는 영역에만 패턴이 형성된다. 도 11b에서는 상기 픽셀 패턴의 말단부에는 광이 픽셀 패턴을 형성하지 못하는 광의 세기로 공급됨을 알 수 있다. 따라서, 이 경우에도 도 10b의 실시예와 마찬가지로 원하는 형상의 픽셀 패턴이 형성되지 못한다.

도 11c를 참조하면, 도 8의 실시예에 따른 마스크에서 상기 픽셀 패턴(111)의 말단에 상기 서브 어시스트 패턴이 정사각형으로 형성되었을 때에, 상기 정사각형의 한 변의 길이인 제1 길이(s)가 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 50%인 경우, 상기 마스크에 의해 노출되는 광의 세기를 나타내는 그래프이다. 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)는 5μm이다. 따라서, 상기 제1 길이(s)는 1.25μm이다. 광의 강도는 제1 강도(i1), 제2 강도(i2), 제3 강도(i3), 제4 강도(i4), 제5 강도(i5), 제6 강도(i6) 및 제7 강도(i7)으로 표시되며, 본 실시예에서는 상기 제7 강도에 의해 조사되는 영역에만 패턴이 형성된다. 도 11c에서는 상기 픽셀 패턴의 말단부에는 광이 원하는 형상의 픽셀 패턴으로 형성될 수 있도록 광의 세기가 공급됨을 알 수 있다. 따라서, 상기 제1 길이(s)가 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 값이 적어도 50% 이상인 경우에, 원하는 형상의 픽셀 패턴(111)으로 형성되도록 보정할 수 있음을 알 수 있다.

도 11d를 참조하면, 도 8의 실시예에 따른 마스크에서 상기 픽셀 패턴(111)의 말단에 상기 서브 어시스트 패턴이 정사각형으로 형성되었을 때에, 상기 정사각형의 한 변의 길이인 제1 길이(s)가 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 55%인 경우, 상기 마스크에 의해 노출되는 광의 세기를 나타내는 그래프이다. 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)는 4μm이다. 따라서, 상기 제1 길이(s)는 1.375μm이다. 광의 강도는 제1 강도(i1), 제2 강도(i2), 제3 강도(i3), 제4 강도(i4), 제5 강도(i5), 제6 강도(i6) 및 제7 강도(i7)으로 표시되며, 본 실시예에서는 상기 제7 강도에 의해 조사되는 영역에만 패턴이 형성된다. 도 11d에서는 상기 픽셀 패턴의 말단부에는 광이 원하는 형상의 픽셀 패턴으로 형성될 수 있도록 광의 세기가 공급됨을 알 수 있다. 따라서, 상기 제1 길이(s)가 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 값이 약 55% 인 경우에도, 원하는 형상의 픽셀 패턴(111)으로 형성되도록 보정할 수 있음을 알 수 있다.

도 11e를 참조하면, 도 8의 실시예에 따른 마스크에서 상기 픽셀 패턴(111)의 말단에 상기 서브 어시스트 패턴이 정사각형으로 형성되었을 때에, 상기 정사각형의 한 변의 길이인 제1 길이(s)가 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 62.5%인 경우, 상기 마스크에 의해 노출되는 광의 세기를 나타내는 그래프이다. 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)는 4μm이다. 따라서, 상기 제1 길이(s)는 1.56μm이다. 광의 강도는 제1 강도(i1), 제2 강도(i2), 제3 강도(i3), 제4 강도(i4), 제5 강도(i5), 제6 강도(i6) 및 제7 강도(i7)으로 표시되며, 본 실시예에서는 상기 제7 강도에 의해 조사되는 영역에만 패턴이 형성된다. 도 11e에서는 상기 픽셀 패턴의 말단부에는 광이 원하는 형상의 픽셀 패턴으로 형성될 수 있도록 광의 세기가 공급됨을 알 수 있다. 따라서, 상기 제1 길이(s)가 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 값이 약 62.5% 인 경우에도, 원하는 형상의 픽셀 패턴(111)으로 형성되도록 보정할 수 있음을 알 수 있다.

도 11f를 참조하면, 도 8의 실시예에 따른 마스크에서 상기 픽셀 패턴(111)의 말단에 상기 서브 어시스트 패턴이 정사각형으로 형성되었을 때에, 상기 정사각형의 한 변의 길이인 제1 길이(s)가 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 75%인 경우, 상기 마스크에 의해 노출되는 광의 세기를 나타내는 그래프이다. 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)는 5μm이다. 따라서, 상기 제1 길이(s)는 1.875μm이다. 광의 강도는 제1 강도(i1), 제2 강도(i2), 제3 강도(i3), 제4 강도(i4), 제5 강도(i5), 제6 강도(i6) 및 제7 강도(i7)으로 표시되며, 본 실시예에서는 상기 제7 강도에 의해 조사되는 영역에만 패턴이 형성된다. 도 11f에서는 상기 픽셀 패턴의 말단부가 인접하는 픽셀 패턴과 접하게 형성됨을 알 수 있다. 이 경우에는 상기 픽셀 패턴이 인접하는 픽셀 패턴과 쇼트가 일어나기 때문에, 원하는 전계를 형성할 수 없게 된다. 따라서 화소에 불량이 발생한다. 따라서, 상기 제1 길이(s)가 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 값이 약 75%를 초과하는 경우에는 픽셀 패턴의 말단부가 측면으로 연장되는 불량이 발생하여 원하는 형상의 픽셀 패턴(111)으로 형성되도록 보정할 수 없음을 알 수 있다. 이것은 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)가 4 μm인 경우와 동일하며, 상기 서브 어시스트 패턴(153)의 제1 길이(s)는 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1)의 비율에 의해 결정되어야 함을 알 수 있으며, 특히, 상기 제1 길이(s)는 적어도 상기 제1 넓이(w1)의 75% 이하로 형성되어야 하며, 바람직하게는 상기 제1 넓이(w1)의 50% 이상 75% 이하로 형성되어야 함을 알 수 있다.

도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크의 일부를 나타내는 사시도이다.

도 12를 참조하면, 본 실시예에 다른 마스크는 픽셀 패턴(111) 및 상기 픽셀 패턴(111)의 측부에 형성되는 어시스트 패턴(155)을 포함한다. 상기 픽셀 패턴(111)은 제1 넓이(w1)만큼의 폭을 가지며, 상기 어시스트 패턴(155)은 각각 하나의 제4 넓이(w4) 및 다른 하나의 제4 넓이(w4')를 가지며, 상기 하나의 제4 넓이(w4)를 가지는 영역에는 하나의 제3 높이(w3)를 가지고, 상기 다른 하나의 제4 넓이(w4')를 가지는 영역에는 다른 하나의 제3 높이(w3')을 가진다. 상기 어시스트 패턴(155)을 하나의 제4 넓이(w4)를 가지는 구간과 다른 하나의 제4 넓이(w4')를 가지는 구간으로 나누어 설명하였지만, 실질적으로는 상기 어시스트 패턴(155)은 상기 픽셀 패턴(111)의 말단으로 갈수록 더 넓은 넓이를 가지는 형상으로 형성된다. 본 실시예에서는 상기 어시스트 패턴(155)이 불연속적인 넓이를 가지는 것으로 형성되었지만, 상기 어시스트 패턴(155)의 넓이가 연속적으로 변화하도록 형성될 수도 있다.

상기 어시스트 패턴(155)의 하나의 제3 높이(h3) 및 다른 하나의 제3 높이(h3')은 상기 픽셀 패턴(111)의 제1 넓이(w1) 및 노광의 세기 정도에 따라 다양하게 형성될 수 있다. 상기 어시스트 패턴(155)는 상기 픽셀 패턴(111)의 측면에 접하여 형성되고, 따라서 상기 픽셀 패턴(111)의 말단은 상기 어시스트 패턴(155)에 의하여 보다 더 넓은 폭을 가지는 구조이기 때문에, 상기 픽셀 패턴(111)의 말단이 보정된다. 상기 어시스트 패턴(155) 및 픽셀 패턴(111) 전체적으로 말단부로 갈수록 넓이가 증가하는 패턴으로 형성된다.

상기 어시스트 패턴(155)은 노광용 광을 차단한다. 상기 어시스트 패턴(155)은 상기 픽셀 패턴(111)의 크기에 비하여 현격하게 작게 형성되기 때문에, 상기 어시스트 패턴(155)에 의해서는 실제 픽셀 패턴 또는 회로 패턴이 형성되지는 않는다. 다만, 인접하는 패턴에 공급되는 광의 양을 줄일 수 있기 때문에, 원하는 패턴의 형상을 부분적으로 보정하는 역할을 할 수 있다. 상기 어시스트 패턴(155)은 상기 픽셀 패턴(111)의 측면에서 연장되어 형성된다. 상기 어시스트 패턴(155)은 상기 픽셀 패턴(111)과 일체로 형성될 수 있다. 상기 어시스트 패턴(155)에 의해서는 실제적인 패턴이 형성되지 않고, 상기 픽셀 패턴(111)의 말단 부분에 패턴 형성에 영향을 미친다. 상기 픽셀 패턴(111)의 말단 부분에 공급되는 광량을 조절할 수 있고, 특히 회로 영역으로부터 누설되는 광들을 차단할 수 있어, 상기 픽셀 패턴(111)의 말단이 최초 설계대로 형성될 수 있도록 돕는 역할을 한다.

이와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 회로 영역과 인접하는 픽셀 패턴의 말단부에 위치하는 어시스트 패턴이 상기 회로 영역으로부터 유입되는 광을 차단하기 때문에, 상기 픽셀 패턴의 말단부를 설계시에 의도하는 형상으로 보정할 수 있게 된다.

이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

110 : 픽셀 영역 120 : 회로 영역
111 : 픽셀 패턴
151, 152, 154, 155 : 어시스트 패턴
153 : 서브 어시스트 패턴

Claims

배선 회로 패턴을 포함하는 배선 영역, 및
길이 방향으로 연장되어 형성되는 복수개의 픽셀 패턴 및 상기 배선 영역과 인접하는 상기 픽셀 패턴의 말단에 형성되는 복수개의 어시스트 패턴을 포함하는 픽셀 영역을 포함하고,
어시스트 패턴은 상기 픽셀 패턴의 말단으로부터 연장되고 상기 픽셀 패턴의 말단 각 모서리부에서 연장된 적어도 두 개 이상의 서브 어시스트 패턴들을 포함하고, 상기 서브 어시스트 패턴들 각각은 정사각형 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 마스크.
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제1항에 있어서,
상기 서브 어시스트 패턴의 정사각형의 중심은 상기 픽셀 패턴의 길이방향으로 연장되는 측변의 연장선 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크.
제1항에 있어서,
상기 서브 어시스트 패턴의 정사각형의 한 변의 길이는 상기 픽셀 패턴의 폭의 75% 이하인 것을 특징으로 하는 마스크.
제1항에 있어서,
상기 서브 어시스트 패턴의 정사각형의 한 변의 길이는 상기 픽셀 패턴의 폭의 50% 이상 70% 이하인 것을 특징으로 하는 마스크.
제1항에 있어서,
상기 서브 어시스트 패턴은 상기 픽셀 패턴과 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크.
제1항에 있어서,
상기 어시스트 패턴의 폭은 상기 픽셀 패턴의 폭보다 큰 것을 특징으로 하는 마스크.
제10항에 있어서,
상기 어시스트 패턴의 상기 픽셀 패턴의 길이방향으로 연장되는 높이는 상기 픽셀 패턴의 폭의 1/10 내지 1/4인 것을 특징으로 하는 마스크.
제10항에 있어서,
상기 어시스트 패턴의 폭은 상기 픽셀 패턴의 폭 보다 상기 픽셀 패턴의 폭의 1/10 내지 1/4 만큼 큰 것을 특징으로 하는 마스크.
제10항에 있어서,
상기 어시스트 패턴은 상기 픽셀 패턴과 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크.
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제1항에 있어서,
상기 어시스트 패턴은 상기 픽셀 패턴의 측부에 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크.
제18항에 있어서,
상기 어시스트 패턴은 상기 픽셀 패턴의 말단부로 갈수록 두께가 증가하는 것을 특징으로 하는 마스크.
제18항에 있어서,
상기 어시스트 패턴은 상기 픽셀 패턴의 말단부로 갈수록 불연속적으로 그 두께가 증가하는 것을 특징으로 하는 마스크.