JP2003156831A - マスク、マスクの製造方法、及びマスクの製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】製造コストの増大を招くことなく分割露光によ
って基板を製造する際に利用されるマスク、このマスク
を容易に設計できるマスクの製造方法及びマスクの製造
装置を提供することを目的とする。 【解決手段】第１分割領域Ａに対応したマスクは、所定
パターンＫを含み、第１分割領域Ａと隣り合う第２分割
領域Ｂとの間で多重に露光される多重露光領域Ｉは、第
２分割領域Ｂに噛合可能なように分割線に沿ってジグザ
ク状に形成され、多重露光領域Ｉには、所定パターンＫ
の幅を狭くするような、遮光パターンＪが含まれる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、マスク、マスク
の製造方法、及びマスクの製造装置に係り、特に、アク
ティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法に適用され
るマスクに関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置は、走査線や信号線などの
配線、画素電極などの電極、薄膜トランジスタなどのス
イッチ素子を有している。これらは、導電体または誘電
体からなる薄膜を成膜する成膜工程、この薄膜上にフォ
トレジストを塗布する塗布工程、塗布されたフォトレジ
ストを所定のパターンを有するマスクを介して露光する
露光工程、露光されたフォトレジストを現像する現像工
程、フォトレジストが除去されて露出した薄膜を除去す
るエッチング工程などを繰り返すことによって形成され
る。

【０００３】近年、液晶表示装置の大画面化に伴い、大
画面用の基板は、分割露光方式の露光処理を行うことに
よって形成されている。すなわち、基板を複数の領域に
分割して各領域のフォトレジストを順次対応するマスク
を介して露光している。

【０００４】上述したような分割露光では、基板を水平
方向及び垂直方向にそれぞれ分割する水平分割線及び垂
直分割線において、露光時のマスクの合わせずれが生じ
た場合、継ぎ目が視認される場合がある。特に、直線的
な分割線においては、ずれが生じたときにより継ぎ目が
視認されやすくなる。このため、液晶表示装置に表示さ
れる表示画面の品位の低下といった問題が発生する。

【０００５】この対策として、分割線をジグザグに形成
することにより、境界の特性の変化勾配を緩衝化して継
ぎ目を視認し難くしている。この境界において、ジグザ
グ状の分割線が配置される分割領域の幅は、できる限り
大きくして変化勾配を緩やかにすることが望ましい。

【０００６】分割露光に使用されるマスクは、一般に、
ＣＡＤシステムを用いて設計される。すなわち、マスク
パターン設計の手順としては、液晶表示パネルの大きさ
のパターンを設計基準を満たすように設計完了後、マス
クの大きさ、及びマスクの枚数に合うように分割する。
分割線は、特性上影響のない場所に沿って形成される。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、マスク
における分割線のパターンが複雑化し、しかも継ぎ目に
おいて、隣接する各マスクを確実に噛み合わせるため
に、マスクの設計及び検査に多大な時間を費やしてい
る。このため、製造コストの増大を招くといった問題が
発生する。

【０００８】そこで、この発明は、上述した問題点に鑑
みなされたものであって、その目的は、製造コストの増
大を招くことなく分割露光によって基板を製造する際に
利用されるマスク、このマスクを容易に設計できるマス
クの製造方法及びマスクの製造装置を提供することにあ
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】この発明の第１の様態に
よるマスクは、絶縁基板に配置された導電体層及び誘電
体層の少なくとも１層の薄膜を、分割線に沿って複数の
分割領域に分割して露光し各分割領域をパターニングす
ることにより所定配列の画素を形成する液晶表示装置の
製造方法に適用されるマスクにおいて、第１分割領域に
対応したマスクは、所定パターンを含み、前記第１分割
領域と隣り合う第２分割領域との間で多重に露光される
多重露光領域は、前記第２分割領域に噛合可能なように
分割線に沿ってジグザク状に形成され、前記多重露光領
域には、所定パターンの幅を狭くするような、遮光パタ
ーンが含まれることを特徴とする。

【００１０】この発明の第２の様態によるマスクの製造
方法は、絶縁基板に配置された導電体層及び誘電体層の
少なくとも１層の薄膜を、分割線に沿って複数の分割領
域に分割して露光し各分割領域をパターニングすること
により所定配列の画素を形成する液晶表示装置の製造方
法に適用されるマスクの製造方法において、前記マスク
のマスクパターンは、所定配列の所定パターンを形成
し、前記所定パターンをジグザグ形状の分割線によって
分割することにより複数の分割領域を形成し、第１分割
領域とこれに隣接する第２分割領域との間で多重に露光
される多重露光領域の所定パターンと、所定パターンの
幅を狭くするような遮光パターンとを合成することによ
り形成することを特徴とする。

【００１１】この発明の第３の様態によるマスクの製造
装置は、絶縁基板に配置された導電体層及び誘電体層の
少なくとも１層の薄膜を、分割線に沿って複数の分割領
域に分割して露光し各分割領域をパターニングすること
により所定配列の画素を形成する液晶表示装置の製造方
法に適用されるマスクの製造装置において、所定配列の
所定パターンを形成し、前記所定パターンをジグザグ形
状の分割線によって分割することにより複数の分割領域
を形成し、第１分割領域とこれに隣接する第２分割領域
との間で多重に露光される多重露光領域の所定パターン
と、所定パターンの幅を狭くするような遮光パターンと
を合成するパターンレイアウトプログラムを記憶した記
憶手段を備えたことを特徴とする。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施の形態に
ついて図面を参照して詳細に説明する。

【００１３】この実施の形態に係る液晶表示装置は、図
１及び図２に示すように、アレイ基板１００と、アレイ
基板１００に対して所定の間隔をおいて対向配置された
対向基板２００と、アレイ基板１００と対向基板２００
との間の所定のギャップに保持された液晶組成物を含む
液晶層３００と、を有した液晶表示パネル１０を備えて
いる。

【００１４】このような液晶表示パネル１０において、
画像を表示する表示領域１０２は、アレイ基板１００と
対向基板２００とを貼り合わせる外縁シール部材１０６
によって囲まれた領域内に形成されている。外縁シール
部材１０６の外側の周辺領域１０４は、表示領域１０２
内から引出された配線や駆動回路、電源供給配線などを
有している。

【００１５】表示領域１０２において、アレイ基板１０
０は、図１に示すように、画素電極１５１、走査線Ｙ、
信号線Ｘ、スイッチング素子１２１などを有している。
ｍ×ｎ個の画素電極１５１は、マトリクス状に配置され
ている。ｍ本の走査線Ｙは、画素電極１５１の行方向に
沿って形成されている。ｎ本の信号線Ｘは、画素電極１
５１の列方向に沿って形成されている。ｍ×ｎ個のスイ
ッチング素子としての薄膜トランジスタすなわち画素Ｔ
ＦＴ１２１は、ｍ×ｎ個の画素電極１５１に対応して走
査線Ｙと信号線Ｘとの交差位置近傍に配置されている。

【００１６】また、周辺領域１０４において、アレイ基
板１００は、走査線Ｙを駆動する走査線駆動回路１８、
信号線Ｘを駆動する信号線駆動回路１９などを有してい
る。これら走査線駆動回路１８や信号線駆動回路１９
は、ｎチャネル型薄膜トランジスタ及びＰチャネル型薄
膜トランジスタからなる相補型の回路によって構成され
ている。これらの薄膜トランジスタは、ポリシリコン薄
膜を半導体層とする例えばトップゲート型薄膜トランジ
スタである。

【００１７】液晶容量ＣＬは、画素電極１５１、対向電
極２０４、及びこれらの電極間に挟持された液晶層３０
０によって形成される。また、補助容量Ｃｓは、液晶容
量ＣＬと電気的に並列に形成される。この補助容量Ｃｓ
は、絶縁層を介して対向配置された一対の電極、すなわ
ち、画素電極１５１と同電位の補助容量電極６１と、所
定の電位に設定された補助容量線５２とによって形成さ
れる。

【００１８】次に、この液晶表示装置の製造方法につい
て説明する。

【００１９】すなわち、厚さ０．７ｍｍのガラス基板１
０１上に、ポリシリコン薄膜からなる半導体層１１２、
ゲート絶縁膜１１３、走査線Ｙと一体のゲート電極１１
４、層間絶縁膜１１５、ソース電極１１６Ｓと一体の信
号線Ｘ、ドレイン電極１１６Ｄ、パッシベーション膜１
１９、カラーフィルタ層１３０、画素電極１２０、配向
膜１６０を順に形成する。

【００２０】これら、走査線や信号線などの金属配線
部、ポリシリコン薄膜の半導体層を有するＴＦＴ、誘電
体によって形成された各種絶縁膜、画素電極などの電極
部は、薄膜を成膜した後に所定の形状にパターニングさ
れることによって形成される。すなわち、これらは、導
電体層または誘電体層からなる薄膜を成膜する成膜工
程、この薄膜上にフォトレジストを塗布する塗布工程、
塗布されたフォトレジストを所定のパターンを有するマ
スクを介して露光する露光工程、露光されたフォトレジ
ストを現像する現像工程、フォトレジストが除去されて
露出した薄膜を除去するエッチング工程などを繰り返す
ことによって形成される。

【００２１】例えば、画素電極１２０を形成する場合、
まず、基板上の全面に導電体層の薄膜を成膜する。続い
て、この薄膜上にフォトレジスト層を形成した後、この
フォトレジスト層を所定パターンを有するマスクを介し
て露光する。続いて、露光されたフォトレジストを現像
して選択的に除去する。続いて、フォトレジストが除去
されて露出された薄膜をエッチング処理により除去す
る。さらに、残留したフォトレジストを除去することに
より、所定パターンの画素電極１２０が形成される。

【００２２】一方、厚さ０．７ｍｍのガラス基板２０１
上に、対向電極２０３と、配向膜２０７とを備えた対向
基板２００を形成する。

【００２３】続いて、対向基板２００の配向膜２０７の
周辺に沿って接着剤を注入口を除いて印刷し、アレイ基
板１００から対向電極２０３に電圧を印加するための電
極転移材を接着剤の周辺の電極転移電極上に形成する。

【００２４】続いて、それぞれの配向膜１６０及び２０
７が対向するように、且つ、それぞれのラビング方向が
９０度となるように、アレイ基板１００及び対向基板２
００を配置し、加熱して接着剤を硬化させ、両基板を貼
り合わせる。

【００２５】続いて、注入口から液晶組成物を注入し、
この注入口を紫外線硬化樹脂によって封止する。

【００２６】このようにして、液晶表示装置を製造す
る。

【００２７】上述したような製造方法において、大画面
用の基板を製造する際には、薄膜上に配置されたフォト
レジストの露光工程では、分割露光方式が採用される。

【００２８】例えば、アレイ基板１００は、図３に示す
ように、複数の分割線によって複数の分割領域に分割さ
れている。すなわち、アレイ基板１００は、６箇所の分
割領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆに分割されている。各領
域は、ほぼ矩形形状をなし、垂直方向に分割する第１及
び第２垂直分割線２１−１〜２１−２、及び、水平方向
に分割する水平分割線２２によって分割されている。

【００２９】これら第１及び第２垂直境界線２１−１〜
２１−２、及び、水平境界線２２は、隣り合う分割領域
間において、各分割線をほぼ中心にある程度の幅を持っ
た緩衝領域２３内において、ジグザグ状に形成されてい
る。これらの分割線を挟んで隣接する各分割領域は、互
いに噛み合うようなパターンを有している。

【００３０】複数の分割領域に分割する水平分割線２２
及び垂直分割線２１−１，２２−２は、上述した例で
は、非直線的、すなわちジグザグ状に形成されている。
例えば、分割領域Ａと分割領域Ｂとの間の垂直分割線２
１−１は、図５に示すように、略パルス波形状にジグザ
グ状に形成されている。

【００３１】分割線を挟んだ両側の領域における画素特
性に差が生じた場合、その分割線が視認される。このた
め、この例では、垂直分割線２１−１は、各画素領域の
垂直方向及び水平方向のほぼ中央を通過するように形成
されている。したがって、分割線付近の各画素領域を、
分割線によって２分割することにより、分割線に沿った
１画素領域は、隣接する２つの分割領域で別々に形成さ
れることになる。

【００３２】これにより、緩衝領域２３内で勾配を持た
せることによって、緩衝領域２３の光学的な特性変化の
勾配を緩衝化し、水平方向及び垂直方向の分割線をほと
んど視認で傷、目立ちにくくすることが可能となる。こ
こでは、垂直分割線２１−２についてのみ説明したが、
他の分割線についても同様に、各画素領域の垂直方向及
び水平方向のほぼ中央を通過するように形成されてい
る。

【００３３】したがって、画面全体において、分割領域
の継ぎ目を視認しにくくすることが可能となり、品位良
好な表示画面を表示することが可能となる。

【００３４】ところで、分割露光に用いられる露光装置
は、各分割領域を露光するためのマスクパターンをレチ
クルに収容して備えている。すなわち、露光装置は、例
えば図３に示した分割領域Ａに対応した図４に示すよう
なマスクパターンＭＡの他に、分割領域Ｂ、Ｃ、Ｄ、
Ｅ、Ｆにそれぞれ対応したマスクパターンＭＢ、ＭＣ、
ＭＤ、ＭＥ、ＭＦを備えている。各マスクパターンは、
所定配列の画素などが形成される表示領域に対応した表
示パターン１０２Ｍと、駆動回路などが形成される周辺
領域に対応した周辺マスクパターン１０４Ｍと、遮光帯
パターンＳＰとを備えている。

【００３５】各分割領域に対応した各マスクパターン
は、図６に示すようなマスク製造装置により形成され
る。

【００３６】すなわち、図６に示すように、このマスク
製造装置５０は、装置全体を制御するＣＰＵ５２と、各
種情報を表示する表示部５４と、各種情報を入力する入
力部５６と、各種データやプログラムを記憶する記憶手
段として機能するメモリ部５８と、を備えて構成されて
いる。

【００３７】メモリ部５８は、装置全体を制御するため
の制御プログラムのほかに、マスクパターンを形成する
ためのパターンレイアウトプログラムなどを記憶してい
る。また、このメモリ部５８は、表示領域１０２に形成
される所定配列の画素パターンに対応したデータ、周辺
領域１０４に形成される駆動回路パターンに対応したデ
ータ、多重露光領域に配置される多重露光パターンに対
応したデータ、遮光パターンに対応したデータ、１画素
分の遮光帯パターンに対応したデータなども記憶してい
る。

【００３８】この実施の形態に係るマスク製造方法で
は、メモリ部５８に記憶されたパターンレイアウトプロ
グラムに基づいて、まず、入力部５６を介してアレイ基
板全体のパターンが描画される。表示領域１０２は、同
じ画素パターンの繰り返しで形成されるため、１個のパ
ターンを設計した後、画素数分だけマトリクス状に配置
することによって所定配列の画素パターンが形成され
る。周辺領域１０４は、駆動回路や外部との接続パッ
ド、製造工程で使用されるマーク類を配置することによ
って形成される。

【００３９】表示領域１０２及び周辺領域１０４を設計
基準を満たすように設計完了後、マスクの大きさ、及び
マスクの枚数に合うように分割するジグザグ形状の分割
線を設計する。各分割線は、表示領域１０２及び周辺領
域１０４それぞれ特性上影響のない場所に沿って形成さ
れる。

【００４０】図７は、分割領域Ａと分割領域Ｂとの境界
部分を図示したものであり、Ｇは分割領域Ｂの分割線を
示し、Ｈは分割領域Ａの分割線を示す。分割領域Ａと分
割領域Ｂとの重なる部分Ｉは、多重に露光される多重露
光領域に対応する。図７に示した多重露光領域は、分割
領域Ａを露光するときと分割領域Ｂを露光するときとで
２回にわたって多重に露光される。

【００４１】図８は、図７に示した多重露光領域Ｉ周辺
部を拡大したものであり、Ｋは形成すべき所定パターン
のレイアウトを示す。分割領域Ａと分割領域Ｂとの間に
挟まれている多重露光領域Ｉは、二重に露光されるため
にパターンレイアウトの幅が設計値よりも太くなってし
まうことがある。

【００４２】この現象について説明する。

【００４３】まず、露光されることによって架橋して不
溶化する高分子材料によって構成されたネガ型レジスト
を用いた場合について説明する。

【００４４】すなわち、図９の（ａ）に示すように、所
定パターンＫに対応したネガ型レジストを残留させる場
合、通常、図９の（ｂ）に示すように、所定パターンに
対応した透光パターンＴを有するマスクＭを介して露光
する。このとき、図９の（ａ）に示した多重露光領域Ｉ
では、図９の（ｃ）に示すように、分割領域Ａの露光時
及び分割領域Ｂの露光時の２回にわたって露光される。
これにより、ネガ型レジストは、２回にわたって多重露
光された部分について、その周辺まで架橋反応が進行す
ることになる。したがって、図９の（ｄ）に示すよう
に、多重露光領域Ｉにおいて、マスクの透光パターンＴ
（すなわち本来形成すべき所定パターンＫ）よりもＷだ
け幅広なパターンのネガ型レジストが残留してしまう。
このとき、Ｗの大きさは、多重露光される露光量によっ
て異なるが、例えば０．５μｍである。

【００４５】次に、露光されることによって分解して溶
媒に溶けるようになる高分子材料によって構成されたポ
ジ型レジストを用いた場合について説明する。

【００４６】すなわち、図１０の（ａ）に示すように、
所定パターンＫに対応したポジ型レジストを除去する場
合、通常、図１０の（ｂ）に示すように、所定パターン
に対応した透光パターンＴを有するマスクＭを介して露
光する。このとき、図１０の（ａ）に示した多重露光領
域Ｉでは、図１０の（ｃ）に示すように、分割領域Ａの
露光時及び分割領域Ｂの露光時の２回にわたって露光さ
れる。これにより、ポジ型レジストは、２回にわたって
多重露光された部分について、その周辺まで分解反応が
進行することになる。したがって、図１０の（ｄ）に示
すように、多重露光領域Ｉにおいて、マスクの透光パタ
ーンＴ（すなわち本来形成すべき所定パターンＫ）より
もＷだけ幅広なパターンのポジ型レジストを除去してし
まう。このとき、Ｗの大きさは、多重露光される露光量
によって異なるが、例えば０．５μｍである。

【００４７】このようなレジストパターンの太りを解決
するために、マスクは、パターンレイアウトが二重に露
光される部分の幅を、設計時のレイアウトパターンの幅
よりも狭くするように、パターンレイアウトの両側に遮
光パターンを備えている。すなわち、図１１に示すよう
に、マスクＭには、本来形成すべき所定パターンに対応
した透光パターンＴにおいて、多重露光領域Ｉに該当す
る部分では、その周辺に所定パターンが拡大しないよう
遮光する遮光パターンＪが配置されている。

【００４８】つまり、分割領域Ａに対応したマスクＭＡ
は、図１２の（ａ）に示すように、所定パターンに対応
して幅方向の広がりを規制するように配置された遮光パ
ターンＪを備えている。すなわち、マスクＭＡの形状
は、遮光パターンＪを除く所定パターンＫを除いたレチ
クルである。

【００４９】マスク１の形状＝レチクル ＡｎｄＮｏｔ
（（Ｋ Ａｎｄ Ａ）ＡｎｄＮｏｔＪ） また、分割領域Ｂに対応したマスクＭＢは、図１２の
（ｂ）に示すように、所定パターンに対応して幅方向の
広がりを規制するように配置された遮光パターンＪを備
えている。すなわち、マスクＭＢの形状は、遮光パター
ンＪを除くコンタクトＫを除いたレチクルである。

【００５０】マスク２の形状＝レチクル ＡｎｄＮｏｔ
（（Ｋ Ａｎｄ Ｂ）ＡｎｄＮｏｔＪ） このとき、マスクの形状を形成しているレイヤーは、同
一のレイヤーである。

【００５１】このように、多重露光領域においては、所
定パターンと、遮光パターンとを合成することによりマ
スクパターンが形成される。

【００５２】上述したように、この実施の形態によれ
ば、これまで多大な時間を費やしていたマスクの設計が
効率的且つ簡単に行うことができる。また、これまで複
雑だったパターンが簡略化できたことにより、設計にお
けるミスも低減することができる。

【００５３】さらに、多重露光領域に配置された所定パ
ターンは、設計時における描画パターン（画素パターン
など）より線幅が狭くなるように形成されている。これ
により、多重露光領域での線幅の太りを抑制することが
可能となる。

【００５４】なお、上述した実施の形態は、画像を表示
する表示領域に対応して配置された表示パターン、及び
表示領域の周辺領域に対応して配置された周辺パターン
のそれぞれに適用可能であることは言うまでもない。

【００５５】また、上記で説明した、パターンレイアウ
トの遮光パターンＪが画いてあるセルを、液晶表示装置
用パターンレイアウト装置のＣＡＤ上では表示せず、パ
ターン自体を細くすることで、これまで多大な時間を費
やしていたマスクの設計が、効率的かつ簡単に設計する
ことが出来る。

【００５６】なお、全てのパターンレイアウト方法にお
いて、パターンレイアウトツールを利用する。

【００５７】上述したように、この発明の実施の形態に
係るマスク、マスクの製造方法、及び、マスクの製造装
置によれば、分割領域の継ぎ目を視認しにくくすること
ができ、しかも品位良好な表示画面を表示することが可
能な液晶表示装置を製造することができる。また、マス
クの設計及び検査に要する時間を短縮することができ、
製造コストを削減することが可能となる。

【００５８】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、製造コストの増大を招くことなく分割露光によって
基板を製造する際に利用されるマスク、このマスクを容
易に設計できるマスクの製造方法及びマスクの製造装置
を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、この発明の一実施の形態に適用可能な
液晶表示装置の液晶表示パネルの構造を概略的に示す斜
視図である。

【図２】図２は、図１に示した液晶表示パネルの断面構
造を概略的に示す断面図である。

【図３】図３は、この液晶表示装置の製造方法による分
割露光を説明するためのアレイ基板の分割例を示す図で
ある。

【図４】図４は、分割露光において用いられる、図３に
示した分割領域Ａに対応したマスクを概略的に示す図で
ある。

【図５】図５は、表示領域において２つの分割領域に分
割する分割線の通過位置を示す図である。

【図６】図６は、この発明の一実施の形態に係るマスク
製造装置の構成を概略的に示す図である。

【図７】図７は、分割領域Ａと分割領域Ｂとの境界部分
のパターンを概略的に示す図である。

【図８】図８は、図７に示した境界部分及び多重露光領
域を拡大した図である。

【図９】図９の（ａ）は、ネガ型レジストの所定パター
ンを示す平面図であり、図９の（ｂ）は、この所定パタ
ーンに対応したマスクを示す図であり、図９の（ｃ）
は、図９の（ａ）のＸ−Ｘ線で切断した露光時の断面図
であり、図９の（ｄ）は、パターニング後に形成された
パターンの断面図及び平面図である。

【図１０】図１０の（ａ）は、ポジ型レジストの所定パ
ターンを示す平面図であり、図１０の（ｂ）は、この所
定パターンに対応したマスクを示す図であり、図１０の
（ｃ）は、図１０の（ａ）のＸ−Ｘ線で切断した露光時
の断面図であり、図１０の（ｄ）は、パターニング後に
形成されたパターンの断面図及び平面図である。

【図１１】図１１は、パターンの太りを抑制するための
マスクパターンの一例を示す図である。

【図１２】図１２の（ａ）は、マスクＭＡの所定パター
ンに対応したマスクパターンを示す図であり、図１２の
（ｂ）は、マスクＭＡの所定パターンに対応したマスク
パターンを示す図である。

【符号の説明】

２１−１〜２１−２…垂直分割線 ２２…水平分割線 ２３…緩衝領域 ５０…マスク製造装置 ５８…メモリ部 １００…アレイ基板 １０２…表示領域 １０３…境界線 １０４…周辺領域 ２００…対向基板 ３００…液晶層 Ａ，Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ…分割領域 Ｉ…多重露光領域 Ｊ…遮光パターン Ｋ…所定パターン

フロントページの続き (72)発明者 樫本 登 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 東 芝電子エンジニアリング株式会社内 Ｆターム(参考） 2H091 FA34 LA12 2H092 JA24 JB22 JB31 MA14 MA15 MA18 NA27 NA29 2H095 BA05 BA12 BB02 BC09

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】絶縁基板に配置された導電体層及び誘電体
   層の少なくとも１層の薄膜を、分割線に沿って複数の分
   割領域に分割して露光し各分割領域をパターニングする
   ことにより所定配列の画素を形成する液晶表示装置の製
   造方法に適用されるマスクにおいて、 第１分割領域に対応したマスクは、所定パターンを含
   み、 前記第１分割領域と隣り合う第２分割領域との間で多重
   に露光される多重露光領域は、前記第２分割領域に噛合
   可能なように分割線に沿ってジグザク状に形成され、 前記多重露光領域には、所定パターンの幅を狭くするよ
   うな、遮光パターンが含まれることを特徴とするマス
   ク。
2. 【請求項２】前記遮光パターンは、所定パターンに対応
   したネガ型レジストを残留させるように配置されたこと
   を特徴とする請求項１に記載のマスク。
3. 【請求項３】前記遮光パターンは、所定パターンに対応
   したポジ型レジストを除去するように配置されたことを
   特徴とする請求項１に記載のマスク。
4. 【請求項４】前記遮光パターンは、液晶表示装置におい
   て画像を表示する表示領域に配置されたことを特徴とす
   る請求項１に記載のマスク。
5. 【請求項５】前記遮光パターンは、液晶表示装置におい
   て画像を表示する表示領域の周辺領域に配置されたこと
   を特徴とする請求項１に記載のマスク。
6. 【請求項６】絶縁基板に配置された導電体層及び誘電体
   層の少なくとも１層の薄膜を、分割線に沿って複数の分
   割領域に分割して露光し各分割領域をパターニングする
   ことにより所定配列の画素を形成する液晶表示装置の製
   造方法に適用されるマスクの製造方法において、 前記マスクのマスクパターンは、 所定配列の所定パターンを形成し、 前記所定パターンをジグザグ形状の分割線によって分割
   することにより複数の分割領域を形成し、 第１分割領域とこれに隣接する第２分割領域との間で多
   重に露光される多重露光領域の所定パターンと、所定パ
   ターンの幅を狭くするような遮光パターンとを合成する
   ことにより形成することを特徴とするマスクの製造方
   法。
7. 【請求項７】絶縁基板に配置された導電体層及び誘電体
   層の少なくとも１層の薄膜を、分割線に沿って複数の分
   割領域に分割して露光し各分割領域をパターニングする
   ことにより所定配列の画素を形成する液晶表示装置の製
   造方法に適用されるマスクの製造装置において、 所定配列の所定パターンを形成し、 前記所定パターンをジグザグ形状の分割線によって分割
   することにより複数の分割領域を形成し、 第１分割領域とこれに隣接する第２分割領域との間で多
   重に露光される多重露光領域の所定パターンと、所定パ
   ターンの幅を狭くするような遮光パターンとを合成する
   パターンレイアウトプログラムを記憶した記憶手段を備
   えたことを特徴とするマスクの製造装置。