JP2003005346A - マスク製造方法及びマスク製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】製造コストの増大を招くことなく分割露光によ
って基板を製造する際に利用されるマスクを容易に再設
計できるマスク製造方法及びマスク製造装置を提供する
ことを目的とする。 【解決手段】所定配列の画素パターンを形成し、画素パ
ターンをジグザグ形状の分割線によって分割することに
より複数の分割領域を形成し、第１の分割領域とこれに
隣接する第２の分割領域との間で二重に露光される二重
露光パターンを形成し、第１の分割領域の周囲に遮光パ
ターンを配置し、二重露光パターンと遮光パターンとを
合成して、画素パターン上に重ねることにより、第１の
分割領域に対応したマスクパターンを形成する、ことを
特徴とするマスクの製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、マスクの製造方
法及びマスクの製造装置に係り、特に、アクティブマト
リクス型液晶表示装置の製造方法に適用されるマスクの
製造方法及びマスクの製造装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置は、走査線や信号線などの
配線、画素電極などの電極、薄膜トランジスタなどのス
イッチ素子を有している。これらは、導電体または誘電
体からなる薄膜を成膜する成膜工程、この薄膜上にフォ
トレジストを塗布する塗布工程、塗布されたフォトレジ
ストを所定のパターンを有するマスクを介して露光する
露光工程、露光されたフォトレジストを現像する現像工
程、フォトレジストが除去されて露出した薄膜を除去す
るエッチング工程などを繰り返すことによって形成され
る。

【０００３】近年、液晶表示装置の大画面化に伴い、大
画面用の基板は、分割露光方式の露光処理を行うことに
よって形成されている。すなわち、基板を複数の領域に
分割して各領域のフォトレジストを順次対応するマスク
を介して露光している。

【０００４】上述したような分割露光では、基板を水平
方向及び垂直方向にそれぞれ分割する水平分割線及び垂
直分割線において、露光時のマスクの合わせずれが生じ
た場合、継ぎ目が視認される場合がある。特に、直線的
な分割線においては、ずれが生じたときにより継ぎ目が
視認されやすくなる。このため、液晶表示装置に表示さ
れる表示画面の品位の低下といった問題が発生する。

【０００５】この対策として、分割線をジグザグに形成
することにより、境界の特性の変化勾配を緩衝化して継
ぎ目を視認し難くしている。この境界において、ジグザ
グ状の分割線が配置される分割領域の幅は、できる限り
大きくして変化勾配を緩やかにすることが望ましい。

【０００６】分割露光に使用されるマスクは、一般に、
ＣＡＤシステムを用いて設計される。すなわち、マスク
パターン設計の手順としては、液晶表示パネルの大きさ
のパターンを設計基準を満たすように設計完了後、マス
クの大きさ、及びマスクの枚数に合うように分割する。
分割線は、特性上影響のない場所に沿って形成される。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、マスク
における分割線のパターンが複雑化し、しかも継ぎ目に
おいて、隣接する各マスクを確実に噛み合わせるため
に、マスクの設計及び検査に多大な時間を費やしてい
る。このため、製造コストの増大を招くといった問題が
発生する。

【０００８】そこで、この発明は、上述した問題点に鑑
みなされたものであって、その目的は、製造コストの増
大を招くことなく分割露光によって基板を製造する際に
利用されるマスクを容易に設計できるマスク製造装置を
提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決し目的を
達成するために、請求項１は、絶縁基板に配置された導
電体層及び誘電体層の少なくとも１層の薄膜を複数の分
割領域に分割して露光し各分割領域をパターニングする
ことにより所定配列の画素を形成する液晶表示装置の製
造方法に適用されるマスクの製造方法において、所定配
列の画素パターンを形成し、前記画素パターンをジグザ
グ形状の分割線によって分割することにより複数の分割
領域を形成し、第１の分割領域とこれに隣接する第２の
分割領域との間で二重に露光される二重露光パターンを
形成し、前記第１の分割領域の周囲に遮光パターンを配
置し、前記二重露光パターンと前記遮光パターンとを合
成して、前記画素パターン上に重ねることにより、前記
第１の分割領域に対応したマスクパターンを形成する、
ことを特徴とする。

【００１０】請求項５は、絶縁基板に配置された導電体
層及び誘電体層の少なくとも１層の薄膜を複数の分割領
域に分割して露光し各分割領域をパターニングすること
により所定配列の画素を形成する液晶表示装置の製造方
法に適用されるマスクの製造装置において、所定配列の
画素パターンを形成し、前記画素パターンをジグザグ形
状の分割線によって分割することにより複数の分割領域
を形成し、第１の分割領域とこれに隣接する第２の分割
領域との間で二重に露光される二重露光パターンを形成
し、前記第１の分割領域の周囲に遮光パターンを配置
し、前記二重露光パターンと前記遮光パターンとを合成
して、前記画素パターン上に重ねることにより、前記第
１の分割領域に対応したマスクパターンを形成するパタ
ーンレイアウトプログラムを記憶した記憶手段を備えた
ことを特徴とする。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、この発明のマスク製造方法
及びマスク製造装置の一実施の形態について図面を参照
して説明する。

【００１２】この発明の実施の形態に係る液晶表示装置
は、図１及び図２に示すように、アレイ基板１００と、
アレイ基板１００に対して所定の間隔をおいて対向配置
された対向基板２００と、アレイ基板１００と対向基板
２００との間の所定のギャップに保持された液晶組成物
を含む液晶層３００とを有した液晶表示パネル１０を備
えている。

【００１３】このような液晶表示パネル１０において、
画像を表示する表示領域１０２は、アレイ基板１００と
対向基板２００とを貼り合わせる外縁シール部材１０６
によって囲まれた領域内に形成されている。表示領域１
０２内から引出された配線や駆動回路、電源供給配線な
どを有する周辺領域１０４は、外縁シール部材１０６の
外側の領域に形成されている。

【００１４】表示領域１０２において、アレイ基板１０
０は、図１に示すように、マトリクス状に配置されたｍ
ｘｎ個の画素電極１５１、これら画素電極１５１の行方
向に沿って形成されたｍ本の走査線Ｙ、これら画素電極
１５１の列方向に沿って形成されたｎ本の信号線Ｘ、ｍ
ｘｎ個の画素電極１５１に対応して走査線Ｙおよび信号
線Ｘの交差位置近傍にスイッチング素子として配置され
たｍｘｎ個の薄膜トランジスタすなわち画素ＴＦＴ１２
１を有している。

【００１５】また、周辺領域１０４において、アレイ基
板１００は、走査線Ｙを駆動する走査線駆動回路１８、
信号線Ｘを駆動する信号線駆動回路１９などを有してい
る。これら走査線駆動回路１８や信号線駆動回路１９
は、ｎチャネル型薄膜トランジスタ及びＰチャネル型薄
膜トランジスタからなる相補型の回路によって構成され
ている。これらの薄膜トランジスタは、ポリシリコン薄
膜を活性層とする例えばトップゲート型薄膜トランジス
タである。

【００１６】液晶容量ＣＬは、画素電極１５１、対向電
極２０４、及びこれらの電極間に挟持された液晶層３０
０によって形成される。また、補助容量Ｃｓは、液晶容
量ＣＬと電気的に並列に形成される。この補助容量Ｃｓ
は、絶縁層を介して対向配置された一対の電極、すなわ
ち、画素電極１５１と同電位の補助容量電極６１と、所
定の電位に設定された補助容量線５２とによって形成さ
れる。

【００１７】次に、この液晶表示装置の製造方法につい
て説明する。

【００１８】すなわち、厚さ０．７ｍｍのガラス基板１
０１上に、ポリシリコン薄膜からなる半導体層１１２、
ゲート絶縁膜１１３、走査線Ｙと一体のゲート電極１１
４、層間絶縁膜１１５、ソース電極１１６Ｓと一体の信
号線Ｘ、ドレイン電極１１６Ｄ、パッシベーション膜１
１９、カラーフィルタ層１３０、画素電極１２０、配向
膜１６０を順に形成する。

【００１９】これら、走査線や信号線などの金属配線
部、ポリシリコン薄膜の半導体層を有するＴＦＴ、誘電
体によって形成された各種絶縁膜、画素電極などの電極
部は、薄膜を成膜した後に所定の形状にパターニングさ
れることによって形成される。すなわち、これらは、導
電体層または誘電体層からなる薄膜を成膜する成膜工
程、この薄膜上にフォトレジストを塗布する塗布工程、
塗布されたフォトレジストを所定のパターンを有するマ
スクを介して露光する露光工程、露光されたフォトレジ
ストを現像する現像工程、フォトレジストが除去されて
露出した薄膜を除去するエッチング工程などを繰り返す
ことによって形成される。

【００２０】一方、厚さ０．７ｍｍのガラス基板２０１
上に、対向電極２０３と、配向膜２０７とを備えた対向
基板２００を形成する。

【００２１】続いて、対向基板２００の配向膜２０７の
周辺に沿って接着剤を注入口を除いて印刷し、アレイ基
板１００から対向電極２０３に電圧を印加するための電
極転移材を接着剤の周辺の電極転移電極上に形成する。

【００２２】続いて、それぞれの配向膜１６０及び２０
７が対向するように、且つ、それぞれのラビング方向が
９０度となるように、アレイ基板１００及び対向基板２
００を配置し、加熱して接着剤を硬化させ、両基板を貼
り合わせる。

【００２３】続いて、注入口から液晶組成物を注入し、
この注入口を紫外線硬化樹脂によって封止する。

【００２４】このようにして、液晶表示装置を製造す
る。

【００２５】上述したような製造方法において、大画面
用の基板を製造する際には、薄膜上に配置されたフォト
レジストの露光工程では、分割露光方式が採用される。

【００２６】例えば、アレイ基板１００は、図３に示す
ように、複数の分割線によって複数の分割領域に分割さ
れている。すなわち、アレイ基板１００は、６箇所の分
割領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆに分割されている。各領
域は、ほぼ矩形形状をなし、垂直方向に分割する第１及
び第２垂直分割線２１−１〜２１−２、及び、水平方向
に分割する水平分割線２２によって分割されている。

【００２７】これら第１及び第２垂直境界線２１−１〜
２１−２、及び、水平境界線２２は、隣り合う分割領域
間において、各分割線をほぼ中心にある程度の幅を持っ
た緩衝領域２３内において、ジグザグ状に形成されてい
る。これらの分割線を挟んで隣接する各分割領域は、互
いに噛み合うようなパターンを有している。

【００２８】複数の分割領域に分割する水平分割線２２
及び垂直分割線２１−１，２２−２は、上述した例で
は、非直線的、すなわちジグザグ状に形成されている。
例えば、分割領域Ａと分割領域Ｂとの間の垂直分割線２
１−１は、図５に示すように、略パルス波形状にジグザ
グ状に形成されている。

【００２９】分割線を挟んだ両側の領域における画素特
性に差が生じた場合、その分割線が視認される。このた
め、この例では、垂直分割線２１−１は、各画素領域の
垂直方向及び水平方向のほぼ中央を通過するように形成
されている。したがって、分割線付近の各画素領域を、
分割線によって２分割することにより、分割線に沿った
１画素領域は、隣接する２つの分割領域で別々に形成さ
れることになる。これにより、緩衝領域２３内で勾配を
持たせることによって、緩衝領域２３の光学的な特性変
化の勾配を緩衝化し、水平方向及び垂直方向の分割線を
ほとんど視認で傷、目立ちにくくすることが可能とな
る。

【００３０】ここでは、垂直分割線２１−２についての
み説明したが、他の分割線についても同様に、各画素領
域の垂直方向及び水平方向のほぼ中央を通過するように
形成されている。

【００３１】したがって、画面全体において、分割領域
の継ぎ目を視認しにくくすることが可能となり、品位良
好な表示画面を表示することが可能となる。

【００３２】ところで、分割露光に用いられる露光装置
は、各分割領域を露光するためのマスクパターンをレチ
クルに収容して備えている。すなわち、露光装置は、例
えば図３に示した分割領域Ａに対応した図４に示すよう
なマスクパターンＭＡの他に、分割領域Ｂ、Ｃ、Ｄ、
Ｅ、Ｆにそれぞれ対応したマスクパターンＭＢ、ＭＣ、
ＭＤ、ＭＥ、ＭＦを備えている。各マスクパターンは、
所定配列の画素などが形成される表示領域に対応した表
示パターン１０２Ｍと、駆動回路などが形成される周辺
領域に対応した周辺マスクパターン１０４Ｍと、遮光帯
パターンＳＰとを備えている。

【００３３】各分割領域に対応した各マスクパターン
は、図６に示すようなマスク製造装置により形成され
る。

【００３４】すなわち、図６に示すように、このマスク
製造装置５０は、装置全体を制御するＣＰＵ５２と、各
種情報を表示する表示部５４と、各種情報を入力する入
力部５６と、各種データやプログラムを記憶する記憶手
段として機能するメモリ部５８と、を備えて構成されて
いる。

【００３５】メモリ部５８は、装置全体を制御するため
の制御プログラムのほかに、マスクパターンを形成する
ためのパターンレイアウトプログラムなどを記憶してい
る。また、このメモリ部５８は、表示領域１０２に形成
される所定配列の画素パターンに対応したデータ、周辺
領域１０４に形成される駆動回路パターンに対応したデ
ータ、二重露光領域に配置される二重露光パターンに対
応したデータ、遮光パターンに対応したデータ、１画素
分の遮光帯に対応したデータ、遮光ブロックに対応した
データなども記憶している。

【００３６】第１の実施の形態に係るマスク製造方法で
は、メモリ部５８に記憶されたパターンレイアウトプロ
グラムに基づいて、まず、入力部５６を介してアレイ基
板全体のパターンが描画される。表示領域１０２は、同
じ画素パターンの繰り返しで形成されるため、１個のパ
ターンを設計した後、画素数分だけマトリクス状に配置
することによって所定配列の画素パターンが形成され
る。周辺領域１０４は、駆動回路や外部との接続パッ
ド、製造工程で使用されるマーク類を配置することによ
って設計される。

【００３７】表示領域１０２及び周辺領域１０４を設計
基準を満たすように設計完了後、マスクの大きさ、及び
マスクの枚数に合うように分割するジグザグ形状の分割
線を設計する。各分割線は、表示領域１０２及び周辺領
域１０４それぞれ特性上影響のない場所に沿って形成さ
れる。

【００３８】図７は、分割領域Ａと分割領域Ｂとの境界
部分を図示したものであり、Ｉは分割領域Ｂの分割線を
示し、Ｊは分割領域Ａの分割線を示す。分割領域Ａと分
割領域Ｂとの重なる部分Ｋは、二重に露光される二重露
光領域に対応する。

【００３９】図８は、図７に示した二重露光領域Ｋを拡
大したものであり、Ｌは走査線のパターンレイアウトを
示す。分割領域Ａと分割領域Ｂとの間に挟まれている二
重露光領域Ｋは、二重に露光されるためにパターンレイ
アウトの幅が設計値よりも細くなってしまう問題があ
る。この問題を解決するために、パターンレイアウトが
二重に露光される部分の幅を、設計時のレイアウトパタ
ーンの幅よりも広くなるように、パターンレイアウトの
両側に二重露光領域用のパターンを有する二重露光用セ
ルＭを配置している。

【００４０】このような二重露光用セルＭと、分割領域
Ａの周囲、例えば分割領域Ａに隣接する分割領域Ｂを遮
光する遮光パターンＳＰとを合成することにより、図９
に示すように、分割領域Ａに対応した遮光部Ｓが形成さ
れる。

【００４１】続いて、このように形成された二重露光用
セルＭと遮光パターンＳＰとを有する遮光部Ｓを表示領
域１０２及び周辺領域１０４の描画パターン（画素パタ
ーンなど）に重ねることにより、分割領域Ａに対応した
マスクパターンＭＡが形成される。

【００４２】上述したように、第１の実施の形態に係る
マスク製造方法によれば、これまで多大な時間を費やし
ていたマスクの設計が効率的且つ簡単に行うことができ
る。また、これまで複雑だったパターンが簡略化できた
ことにより、設計におけるミスも低減することができ
る。

【００４３】さらに、二重露光領域に配置される二重露
光用セルに描画された二重露光用パターンは、設計時に
おける描画パターン（画素パターンなど）より線幅が広
くなるように形成されている。これにより、二重露光領
域での線幅の細りを抑制することが可能となる。

【００４４】次に、第２の実施の形態に係るマスク製造
方法について説明する。

【００４５】メモリ部５８に記憶されたパターンレイア
ウトプログラムに基づいて、まず、入力部５６を介して
アレイ基板全体のパターンが描画され、表示領域１０２
及び周辺領域１０４を設計基準を満たすように設計完了
後、マスクの大きさ、及びマスクの枚数に合うように分
割するジグザグ形状の分割線を設計する。各分割線は、
表示領域１０２及び周辺領域１０４それぞれ特性上影響
のない場所に沿って形成される。

【００４６】ここでは、まず、図１０の（ａ）に示すよ
うに、１画素分の遮光帯セルＳＣを形成する。この遮光
帯セルＳＣは、図１０の（ｂ）に示すように、１画素分
の遮光帯Ｎと、二重露光領域に配置される二重露光領域
用のパターンを有する二重露光用セルＯとを合成するこ
とによって形成される。

【００４７】続いて、このようにして形成された遮光帯
セルＳＣを複数組み合わせることにより、図１１に示す
ような遮光帯ブロックを形成する。このような遮光帯ブ
ロックは、遮光帯セルＳＣを任意の位置に配置すること
によって形成できるため、任意の形状の遮光帯ブロック
を形成することが可能となる。

【００４８】続いて、図１１に示したような遮光帯ブロ
ックに、隣接する遮光体の間を埋めるととも分割領域Ａ
の周囲、例えば分割領域Ａに隣接する分割領域Ｂを遮光
する遮光パターンを有する他の遮光帯ブロックを合成す
る。これにより、図９に示すように、二重露光用セルＭ
を有する分割領域Ａに対応した遮光部Ｓが形成される。

【００４９】続いて、このように形成された遮光部Ｓを
表示領域１０２及び周辺領域１０４の描画パターン（画
素パターンなど）に重ねることにより、分割領域Ａに対
応したマスクパターンＭＡが形成される。

【００５０】上述したように、第２の実施の形態に係る
マスク製造方法によれば、これまで多大な時間を費やし
ていたマスクの設計が効率的且つ簡単に行うことができ
る。また、これまで複雑だった設計手順が簡略化できた
ことにより、設計におけるミスも低減することができ
る。

【００５１】次に、第３の実施の形態に係るマスク製造
方法について説明する。

【００５２】メモリ部５８に記憶されたパターンレイア
ウトプログラムに基づいて、まず、入力部５６を介して
アレイ基板全体のパターンが描画され、表示領域１０２
及び周辺領域１０４を設計基準を満たすように設計完了
後、マスクの大きさ、及びマスクの枚数に合うように分
割するジグザグ形状の分割線を設計する。各分割線は、
表示領域１０２及び周辺領域１０４それぞれ特性上影響
のない場所に沿って形成される。

【００５３】ここでは、まず、図１０の（ａ）に示すよ
うに、１画素分の遮光帯セルＳＣを形成する。この遮光
帯セルＳＣは、図１０の（ｂ）に示すように、１画素分
の遮光帯Ｎと、二重露光領域に配置される二重露光領域
用のパターンを有する二重露光用セルＯとを合成するこ
とによって形成される。

【００５４】続いて、このようにして形成された遮光帯
セルＳＣを複数組み合わせることにより、図１２に示す
ような第１遮光帯ブロックを形成する。このような第１
遮光帯ブロックは、遮光帯セルＳＣを任意の位置に配置
することによって形成できるため、任意の形状の第１遮
光帯ブロックを形成することが可能となる。

【００５５】続いて、図１２に示したような第１遮光帯
ブロックのうち、個々の遮光帯Ｎのみを隣接する遮光体
の間を埋めるように所定の倍率に拡大して、分割領域Ａ
の周囲、例えば分割領域Ａに隣接する分割領域Ｂを遮光
する遮光パターンを有する第２遮光帯ブロック（図１２
中の破線で示したブロック）を形成する。

【００５６】続いて、拡大した個々の遮光帯Ｎを元の倍
率に戻す。そして、遮光パターンを有する第２遮光帯ブ
ロックを所定配置された遮光帯セルを有する第１遮光帯
ブロックに合成することにより、図９に示すような、二
重露光用セルＭを有する分割領域Ａに対応した遮光部Ｓ
が形成される。

【００５７】続いて、このように形成された遮光部Ｓを
表示領域１０２及び周辺領域１０４の描画パターン（画
素パターンなど）に重ねることにより、分割領域Ａに対
応したマスクパターンＭＡが形成される。

【００５８】上述したように、第３の実施の形態に係る
マスク製造方法によれば、これまで多大な時間を費やし
ていたマスクの設計が効率的且つ簡単に行うことができ
る。また、一時的に遮光帯を所定の倍率に拡大すること
で遮光帯セルの間の隙間を埋めたベタの遮光パターンを
形成することができ、遮光帯の倍率を元に戻してベタの
遮光パターンと組み合わせることにより、二重露光用セ
ルを消去することなく遮光部を形成することが可能とな
る。

【００５９】なお、上述した実施の形態では、走査線を
分割露光によってパターニングする場合に適用されるマ
スクについて説明したが、信号線などその他のパターン
用のマスクも同様に製造可能である。例えば、信号線を
分割露光する際に適用されるマスクは、図１３に示すよ
うに形成される。

【００６０】上述したように、この発明のマスク製造方
法及びマスク製造装置によれば、分割領域の継ぎ目を視
認しにくくすることができ、しかも品位良好な表示画面
を表示することが可能な液晶表示装置を製造することが
できる。また、マスクの設計及び検査に要する時間を短
縮することができ、製造コストを削減することが可能と
なる。

【００６１】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、製造コストの増大を招くことなく分割露光によって
基板を製造する際に利用されるマスクを容易に設計でき
るマスク製造装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、この発明の液晶表示装置の製造方法に
よって製造される液晶表示パネルの構造を概略的に示す
斜視図である。

【図２】図２は、図１に示した液晶表示パネルの断面構
造を概略的に示す断面図である。

【図３】図３は、この発明の液晶表示装置の製造方法に
よる分割露光を説明するためのアレイ基板の分割例を示
す図である。

【図４】図４は、分割露光において用いられる、図３に
示した分割領域Ａに対応したマスクを概略的に示す図で
ある。

【図５】図５は、各画素領域における分割線の通過位置
を示す図である。

【図６】図６は、この発明のマスク製造装置の構成を概
略的に示す図である。

【図７】図７は、分割領域Ａと分割領域Ｂとの境界部分
を示す図である。

【図８】図８は、図７に示した境界部部及び二重露光領
域を拡大した図である。

【図９】図９は、マスク製造装置によって製造された遮
光部の形状を示す図である。

【図１０】図１０の（ａ）は、遮光帯セルの構造を概略
的に示す平面図であり、図１０の（ｂ）は、この遮光帯
セルの形成方法を説明するための図である。

【図１１】図１１は、この発明の他の実施の形態に係る
遮光帯ブロックを示す図である。

【図１２】図１２は、この発明の他の実施の形態に係る
遮光帯ブロックを示す図である。

【図１３】図１３は、この発明の他のマスクパターンを
示す図である。

【符号の説明】

２１−１〜２１−２…垂直分割線 ２２…水平分割線 ２３…緩衝領域 ５０…マスク製造装置 ５８…メモリ部 １００…アレイ基板 １０２…表示領域 １０３…境界線 １０４…周辺領域 ２００…対向基板 ３００…液晶層 Ａ，Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ…分割領域 Ｋ…二重露光領域 Ｍ、Ｏ…二重露光領域用セル ＳＰ…遮光パターン Ｓ…遮光部 Ｓｃ…遮光帯セル Ｎ…遮光帯

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 樫本 登 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 東 芝電子エンジニアリング株式会社内 Ｆターム(参考） 2H095 BA05 BA12 BB02 BB32 BB33 BB34 BB36 BC08 BC09 2H097 AA12 BB01 GB02 JA02 LA12

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】絶縁基板に配置された導電体層及び誘電体
   層の少なくとも１層の薄膜を複数の分割領域に分割して
   露光し各分割領域をパターニングすることにより所定配
   列の画素を形成する液晶表示装置の製造方法に適用され
   るマスクの製造方法において、 所定配列の画素パターンを形成し、 前記画素パターンをジグザグ形状の分割線によって分割
   することにより複数の分割領域を形成し、 第１の分割領域とこれに隣接する第２の分割領域との間
   で二重に露光される二重露光パターンを形成し、 前記第１の分割領域の周囲に遮光パターンを配置し、 前記二重露光パターンと前記遮光パターンとを合成し
   て、前記画素パターン上に重ねることにより、前記第１
   の分割領域に対応したマスクパターンを形成する、 ことを特徴とするマスクの製造方法。
2. 【請求項２】前記二重露光パターンは、前記画素パター
   ンより線幅が広いことを特徴とする請求項１に記載のマ
   スクの製造方法。
3. 【請求項３】絶縁基板に配置された導電体層及び誘電体
   層の少なくとも１層の薄膜を複数の分割領域に分割して
   露光し各分割領域をパターニングすることにより所定配
   列の画素を形成する液晶表示装置の製造方法に適用され
   るマスクの製造方法において、 所定配列の画素パターンを形成し、 前記画素パターンをジグザグ形状の分割線によって分割
   することにより複数の分割領域を形成し、 １画素分の遮光帯と、第１の分割領域とこれに隣接する
   第２の分割領域との間で二重に露光される二重露光パタ
   ーンとを合成して、遮光帯セルを形成し、 前記遮光帯セルを複数組み合わせて配置することによっ
   て遮光パターンを形成し、 前記遮光パターンを前記画素パターン上に重ねることに
   より、前記第１の分割領域に対応したマスクパターンを
   形成する、 ことを特徴とするマスクの製造方法。
4. 【請求項４】前記遮光パターンは、 前記遮光帯セルを複数組み合わせて所定配置した後、 隣接する前記遮光帯の間を埋めるように前記遮光帯を所
   定の倍率に拡大して遮光帯ブロックを形成し、 前記遮光体を元の倍率に戻し、 前記遮光帯ブロックを所定配置された前記遮光帯セルに
   合成することによって形成されることを特徴とする請求
   項３に記載のマスクの製造方法。
5. 【請求項５】絶縁基板に配置された導電体層及び誘電体
   層の少なくとも１層の薄膜を複数の分割領域に分割して
   露光し各分割領域をパターニングすることにより所定配
   列の画素を形成する液晶表示装置の製造方法に適用され
   るマスクの製造装置において、 所定配列の画素パターンを形成し、 前記画素パターンをジグザグ形状の分割線によって分割
   することにより複数の分割領域を形成し、 第１の分割領域とこれに隣接する第２の分割領域との間
   で二重に露光される二重露光パターンを形成し、 前記第１の分割領域の周囲に遮光パターンを配置し、 前記二重露光パターンと前記遮光パターンとを合成し
   て、前記画素パターン上に重ねることにより、前記第１
   の分割領域に対応したマスクパターンを形成するパター
   ンレイアウトプログラムを記憶した記憶手段を備えたこ
   とを特徴とするマスクの製造装置。