JPH11119410A - パターン設計方法及びパターン設計装置 - Google Patents
パターン設計方法及びパターン設計装置Info
- Publication number
- JPH11119410A JPH11119410A JP28048897A JP28048897A JPH11119410A JP H11119410 A JPH11119410 A JP H11119410A JP 28048897 A JP28048897 A JP 28048897A JP 28048897 A JP28048897 A JP 28048897A JP H11119410 A JPH11119410 A JP H11119410A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- shot
- reticle
- patterns
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】パターンの修正及び変更を行う場合にも、レチ
クルパターンを迅速に作成し得るパターン設計方法及び
設計装置を提供する。 【解決手段】回路全体パターン１１を作成し、該回路全
体パターン１１の検証を行い、次いで該回路全体パター
ン１１を複数のショットに分割した分割パターンＳを生
成し、該ショット毎のパターンＳに基づいて複数のレチ
クルパターンを生成する。
クルパターンを迅速に作成し得るパターン設計方法及び
設計装置を提供する。 【解決手段】回路全体パターン１１を作成し、該回路全
体パターン１１の検証を行い、次いで該回路全体パター
ン１１を複数のショットに分割した分割パターンＳを生
成し、該ショット毎のパターンＳに基づいて複数のレチ
クルパターンを生成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、液晶ディスプレ
イパネル等、複数のレチクルを用いて製造する製品のパ
ターン設計方法及び設計装置に関するものである。
イパネル等、複数のレチクルを用いて製造する製品のパ
ターン設計方法及び設計装置に関するものである。
【０００２】ＬＣＤ ＴＦＴ液晶パネルは、通常の半導
体集積回路装置に比べて非常に大きな領域にわたって露
光を行う必要があるとともに、半導体集積回路装置と同
様な微細パターン加工が必要である。しかし、微細パタ
ーンを露光する露光装置で取り扱い可能なレチクルサイ
ズは、液晶パネルサイズに比して小さいため、液晶パネ
ル全体のパターンを複数のレチクルに分割して露光を行
う必要がある。そして、このようなレチクルを作成する
ためのレチクルパターンを効率よく生成することが必要
となっている。
体集積回路装置に比べて非常に大きな領域にわたって露
光を行う必要があるとともに、半導体集積回路装置と同
様な微細パターン加工が必要である。しかし、微細パタ
ーンを露光する露光装置で取り扱い可能なレチクルサイ
ズは、液晶パネルサイズに比して小さいため、液晶パネ
ル全体のパターンを複数のレチクルに分割して露光を行
う必要がある。そして、このようなレチクルを作成する
ためのレチクルパターンを効率よく生成することが必要
となっている。
【０００３】
【従来の技術】従来のパターン設計装置による液晶パネ
ルの設計工程を図１１に従って説明する。
ルの設計工程を図１１に従って説明する。
【０００４】まず、設定された製品仕様に基づいて、図
１０に示す液晶パネル全体のパネルイメージ１の検討が
行われる（ステップ１）。このパネルイメージ１は、液
晶パネル全体での回路レイアウトの概要を決定するもの
である。
１０に示す液晶パネル全体のパネルイメージ１の検討が
行われる（ステップ１）。このパネルイメージ１は、液
晶パネル全体での回路レイアウトの概要を決定するもの
である。
【０００５】次いで、決定されたパネルイメージＰ１の
ショット分割の検討が行われる（ステップ２）。このシ
ョット分割の検討は、前記パネルイメージＰ１をステッ
プ露光装置における露光単位毎に分割するものであり、
図１０では例えばパネルイメージＰ１が１６のショット
Ａ〜Ｋに分割される。
ショット分割の検討が行われる（ステップ２）。このシ
ョット分割の検討は、前記パネルイメージＰ１をステッ
プ露光装置における露光単位毎に分割するものであり、
図１０では例えばパネルイメージＰ１が１６のショット
Ａ〜Ｋに分割される。
【０００６】次いで、レチクル構成の検討が行われる
（ステップ３）。すなわち、レチクル数を減らすために
前記ショットＡ〜Ｋのうち複数のショットをまとめて１
つのレチクル上に形成してレチクルパターンとするため
に、いずれのショットを組み合わせて１つのレチクルを
構成するかが検討される。
（ステップ３）。すなわち、レチクル数を減らすために
前記ショットＡ〜Ｋのうち複数のショットをまとめて１
つのレチクル上に形成してレチクルパターンとするため
に、いずれのショットを組み合わせて１つのレチクルを
構成するかが検討される。
【０００７】次いで、各ショットＡ〜Ｋ毎のパターン作
成及び多重露光部のカバーパターンの作成が行われる
（ステップ４，５）。多重露光部のカバーパターンの作
成は、各ショットの境界部分において、パターンの接続
不良を防止するために作成するものである。
成及び多重露光部のカバーパターンの作成が行われる
（ステップ４，５）。多重露光部のカバーパターンの作
成は、各ショットの境界部分において、パターンの接続
不良を防止するために作成するものである。
【０００８】次いで、全ショットのパターン作成が終了
すると（ステップ６）、ステップ３での検討結果に基づ
いて、レチクル毎のパターンが作成され（ステップ
７）、次いでパネル全体のパターンについて検証及び検
図が行われる（ステップ８）。
すると（ステップ６）、ステップ３での検討結果に基づ
いて、レチクル毎のパターンが作成され（ステップ
７）、次いでパネル全体のパターンについて検証及び検
図が行われる（ステップ８）。
【０００９】そして、各レチクルパターンで構成される
全体パターンに異常がなければ、レチクルパターンデー
タがレチクル製造装置に出力されて（ステップ９，１
０）、レチクルパターンの作成が終了する。
全体パターンに異常がなければ、レチクルパターンデー
タがレチクル製造装置に出力されて（ステップ９，１
０）、レチクルパターンの作成が終了する。
【００１０】また、ステップ８，９において異常が検出
されると、異常が検出されたショットのパターンが修正
され、ステップ４〜９が繰り返される。
されると、異常が検出されたショットのパターンが修正
され、ステップ４〜９が繰り返される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上記のようなパターン
設計方法では、ステップ４において各ショット毎にパタ
ーンの作成が行われるため、各ショットに類似の繰り返
しパターンが含まれていても、繰り返しパターンとして
扱えず、各ショット毎に類似パターンを作成しなければ
ならない。
設計方法では、ステップ４において各ショット毎にパタ
ーンの作成が行われるため、各ショットに類似の繰り返
しパターンが含まれていても、繰り返しパターンとして
扱えず、各ショット毎に類似パターンを作成しなければ
ならない。
【００１２】また、各ショットのパターンを作成し、レ
チクルパターンを作成した後にステップ８においてパネ
ル全体のパターンの検証及び検図が行われるため、パタ
ーンを修正する必要が生じた場合には、ステップ４〜９
を繰り返す必要がある。
チクルパターンを作成した後にステップ８においてパネ
ル全体のパターンの検証及び検図が行われるため、パタ
ーンを修正する必要が生じた場合には、ステップ４〜９
を繰り返す必要がある。
【００１３】従って、パターンに異常が発生した場合、
あるいは製品仕様が変更された場合等、パターンを修正
する必要が生じた場合には、修正に要する時間が長くな
り、設計コストが増大するという問題点がある。
あるいは製品仕様が変更された場合等、パターンを修正
する必要が生じた場合には、修正に要する時間が長くな
り、設計コストが増大するという問題点がある。
【００１４】また、露光装置の変更等により、ショット
分割を変更する必要が生じた場合には、各ショットのパ
ターン作成からやり直す必要がある。この発明の目的
は、パターンの修正及び変更を行う場合にも、レチクル
パターンを迅速に作成し得るパターン設計方法及び設計
装置を提供することにある。
分割を変更する必要が生じた場合には、各ショットのパ
ターン作成からやり直す必要がある。この発明の目的
は、パターンの修正及び変更を行う場合にも、レチクル
パターンを迅速に作成し得るパターン設計方法及び設計
装置を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】請求項１では、回路全体
パターンを作成し、該回路全体パターンの検証を行い、
次いで該回路全体パターンを複数のショットに分割した
分割パターンを生成し、該ショット毎のパターンに基づ
いて複数のレチクルパターンを生成する。
パターンを作成し、該回路全体パターンの検証を行い、
次いで該回路全体パターンを複数のショットに分割した
分割パターンを生成し、該ショット毎のパターンに基づ
いて複数のレチクルパターンを生成する。
【００１６】請求項２では、前記ショット分割ととも
に、各ショットの多重露光部のカバーパターンを作成す
る。請求項３では、レチクルサイズ及び露光順序に基づ
いて、前記分割パターンを順次組み合わせてレチクルパ
ターンを作成する。
に、各ショットの多重露光部のカバーパターンを作成す
る。請求項３では、レチクルサイズ及び露光順序に基づ
いて、前記分割パターンを順次組み合わせてレチクルパ
ターンを作成する。
【００１７】請求項４では、回路全体パターンを作成す
るパターン作成手段と、前記回路全体パターンを検証す
る検証手段と、前記回路全体パターンをショット毎に分
割するショット分割手段と、前記各分割ショットの多重
露光部のカバーパターンを作成するカバーパターン作成
手段と、前記各分割ショットを露光順序に基づいて組み
合わせて、レチクルパターンを作成するレチクルパター
ン作成手段とからパターン設計装置が構成される。
るパターン作成手段と、前記回路全体パターンを検証す
る検証手段と、前記回路全体パターンをショット毎に分
割するショット分割手段と、前記各分割ショットの多重
露光部のカバーパターンを作成するカバーパターン作成
手段と、前記各分割ショットを露光順序に基づいて組み
合わせて、レチクルパターンを作成するレチクルパター
ン作成手段とからパターン設計装置が構成される。
【００１８】（作用）請求項１，４では、ショット分割
に先立って、回路全体パターンが作成される。
に先立って、回路全体パターンが作成される。
【００１９】請求項２では、回路全体パターンがショッ
ト分割されるとともに、各分割パターンの多重露光部の
カバーパターンが作成され、その分割パターンに基づい
てレチクルパターンが生成される。
ト分割されるとともに、各分割パターンの多重露光部の
カバーパターンが作成され、その分割パターンに基づい
てレチクルパターンが生成される。
【００２０】請求項３では、各分割パターンがレチクル
サイズ及び露光順序に基づいて、複数のレチクルパター
ンとして再配置される。
サイズ及び露光順序に基づいて、複数のレチクルパター
ンとして再配置される。
【００２１】
【発明の実施の形態】図１は、この発明を具体化したパ
ターン設計装置の概要を示し、ＣＰＵ１と、グラフィッ
クディスプレイ装置２と、入力手段を構成するマウス３
と、磁気ディスク装置４とから構成される。
ターン設計装置の概要を示し、ＣＰＵ１と、グラフィッ
クディスプレイ装置２と、入力手段を構成するマウス３
と、磁気ディスク装置４とから構成される。
【００２２】前記磁気ディスク装置４には、パターン作
成プログラム５と、パターン検証プログラム６と、ショ
ット分割・カバーパターン作成プログラム７と、ショッ
ト配置プログラム８が格納されている。
成プログラム５と、パターン検証プログラム６と、ショ
ット分割・カバーパターン作成プログラム７と、ショッ
ト配置プログラム８が格納されている。
【００２３】前記パターン作成プログラム５は、液晶パ
ネルの全体パターンを作成するためのプログラムであ
り、ＣＰＵ１とともにパネル全体パターン作成手段を構
成する。なお、このパターン作成プログラム５は前記従
来例で使用されるものと同様である。
ネルの全体パターンを作成するためのプログラムであ
り、ＣＰＵ１とともにパネル全体パターン作成手段を構
成する。なお、このパターン作成プログラム５は前記従
来例で使用されるものと同様である。
【００２４】前記パターン検証プログラム６は、パター
ン作成プログラム５で作成された全体パターンを検証す
るためのプログラムであり、ＣＰＵ１とともにパネル全
体パターン検証手段を構成する。
ン作成プログラム５で作成された全体パターンを検証す
るためのプログラムであり、ＣＰＵ１とともにパネル全
体パターン検証手段を構成する。
【００２５】前記ショット分割・カバーパターン作成プ
ログラム７は、パターン作成プログラム５で作成された
全体パターンをショット毎に分割し、かつ境界部分のカ
バーパターンを作成するプログラムであり、ＣＰＵ１と
ともにショット分割手段及びカバーパターン作成手段を
構成する。
ログラム７は、パターン作成プログラム５で作成された
全体パターンをショット毎に分割し、かつ境界部分のカ
バーパターンを作成するプログラムであり、ＣＰＵ１と
ともにショット分割手段及びカバーパターン作成手段を
構成する。
【００２６】前記ショット配置プログラム８は、ショッ
ト分割されたパターンをレチクル毎に再配置するための
プログラムであり、ＣＰＵ１とともにレチクルパターン
作成手段を構成する。
ト分割されたパターンをレチクル毎に再配置するための
プログラムであり、ＣＰＵ１とともにレチクルパターン
作成手段を構成する。
【００２７】前記磁気ディスク装置４は、前記各プログ
ラムで作成されたパターンデータ等を格納するパターン
データ格納手段として動作するとともに、ＣＰＵ１は磁
気ディスク装置４に格納されたレチクルパターンをレチ
クル製造工程に出力するパターンデータ出力手段として
動作する。
ラムで作成されたパターンデータ等を格納するパターン
データ格納手段として動作するとともに、ＣＰＵ１は磁
気ディスク装置４に格納されたレチクルパターンをレチ
クル製造工程に出力するパターンデータ出力手段として
動作する。
【００２８】前記ショット分割・カバーパターン作成プ
ログラム７に基づくＣＰＵ１の動作を図４に示すフロー
チャートに従って説明する。図２は、パネルにイメージ
に基づく前記パターン作成プログラム５によるＣＰＵ１
の動作に基づいて作成されたパネル全体パターン１１を
示す。このパネル全体パターン１１は、液晶パネルの外
形に相当するフレーム１２内に、実際のパターンをより
簡略化したパターンＰ１〜Ｐ５を便宜的に示したもので
ある。
ログラム７に基づくＣＰＵ１の動作を図４に示すフロー
チャートに従って説明する。図２は、パネルにイメージ
に基づく前記パターン作成プログラム５によるＣＰＵ１
の動作に基づいて作成されたパネル全体パターン１１を
示す。このパネル全体パターン１１は、液晶パネルの外
形に相当するフレーム１２内に、実際のパターンをより
簡略化したパターンＰ１〜Ｐ５を便宜的に示したもので
ある。
【００２９】このようなパネル全体パターン１１が入力
されると（ステップ１１）、ＣＰＵ１はパネル全体パタ
ーン１１を露光装置の１ショットに対応する複数の分割
定義パターンＳ１〜Ｓ４に分割し、マージン領域Ｍ１〜
Ｍ４を設定する（ステップ１２）。図２は、便宜的にパ
ネル全体パターン１１を４分割する場合を示す。前記マ
ージン領域Ｍ１〜Ｍ４は、前記分割定義パターンに対し
露光ステッパの精度を考慮して予め設定されたマージン
幅を加えた領域として設定される。
されると（ステップ１１）、ＣＰＵ１はパネル全体パタ
ーン１１を露光装置の１ショットに対応する複数の分割
定義パターンＳ１〜Ｓ４に分割し、マージン領域Ｍ１〜
Ｍ４を設定する（ステップ１２）。図２は、便宜的にパ
ネル全体パターン１１を４分割する場合を示す。前記マ
ージン領域Ｍ１〜Ｍ４は、前記分割定義パターンに対し
露光ステッパの精度を考慮して予め設定されたマージン
幅を加えた領域として設定される。
【００３０】次いで、ＣＰＵ１は例えばマージン領域Ｍ
１についてショット内パターンの切り出しを行う（ステ
ップ１３）。この切り出しは、分割定義パターンＳ１，
Ｓ２にまたがるパターンＰ４のうち、例えばマージン領
域Ｍ１内に位置するパターンＰ４ａを切り出す動作を行
う。
１についてショット内パターンの切り出しを行う（ステ
ップ１３）。この切り出しは、分割定義パターンＳ１，
Ｓ２にまたがるパターンＰ４のうち、例えばマージン領
域Ｍ１内に位置するパターンＰ４ａを切り出す動作を行
う。
【００３１】次いで、ＣＰＵ１はパターンＰ４ａのう
ち、分割定義パターンＳ１内に含まれないマージン領域
Ｍ１内に位置するパターンＰ４ｂを切り出す（ステップ
１４）。
ち、分割定義パターンＳ１内に含まれないマージン領域
Ｍ１内に位置するパターンＰ４ｂを切り出す（ステップ
１４）。
【００３２】次いで、ＣＰＵ１は前記パターンＰ４ｂを
一定の幅で拡大するパターンシフトを行って、パターン
Ｐ４ｃを生成する（ステップ１５）。次いで、ＣＰＵ１
は前記パターンＰ４ｃのうち、マージン領域Ｍ１より外
に位置する部分及び分割定義パターンＳ１内に位置する
部分を削除するパターン整形を行って、パターンＰ４ｄ
を生成する（ステップ１６）。
一定の幅で拡大するパターンシフトを行って、パターン
Ｐ４ｃを生成する（ステップ１５）。次いで、ＣＰＵ１
は前記パターンＰ４ｃのうち、マージン領域Ｍ１より外
に位置する部分及び分割定義パターンＳ１内に位置する
部分を削除するパターン整形を行って、パターンＰ４ｄ
を生成する（ステップ１６）。
【００３３】次いで、ＣＰＵ１は前記パターンＰ４ａ，
Ｐ４ｄのＯＲ論理をとるパターンマージを行って、パタ
ーンＰ４ｅを生成し（ステップ１７）、そのパターンＰ
４ｅを磁気ディスク装置４に出力する（ステップ１
８）。そして、このような動作を各分割定義パターンＳ
１〜Ｓ４について繰り返す（ステップ１３〜１８）。こ
のような動作により、ショット分割・カバーパターン作
成処理が行われ、図３に示すように、各分割定義パター
ンＳ１〜Ｓ４毎のマージン領域Ｍ１〜Ｍ４内のパターン
が生成され、磁気ディスク装置４に格納される。
Ｐ４ｄのＯＲ論理をとるパターンマージを行って、パタ
ーンＰ４ｅを生成し（ステップ１７）、そのパターンＰ
４ｅを磁気ディスク装置４に出力する（ステップ１
８）。そして、このような動作を各分割定義パターンＳ
１〜Ｓ４について繰り返す（ステップ１３〜１８）。こ
のような動作により、ショット分割・カバーパターン作
成処理が行われ、図３に示すように、各分割定義パター
ンＳ１〜Ｓ４毎のマージン領域Ｍ１〜Ｍ４内のパターン
が生成され、磁気ディスク装置４に格納される。
【００３４】次に、前記ショット配置プログラム８に基
づくＣＰＵ１の動作を図６に示すフローチャートに従っ
て説明する。まず、外部からレチクルサイズ、露光可能
領域、露光経路、露光順序等の制約条件が入力されると
（ステップ２１）、ＣＰＵ１は前記ショット分割・カバ
ーパターン作成プログラム７に基づいて作成された各シ
ョット毎のマージン領域Ｍ１〜Ｍ４のパターンのパネル
上での配置位置を磁気ディスク装置４から読み出す（ス
テップ２２）。
づくＣＰＵ１の動作を図６に示すフローチャートに従っ
て説明する。まず、外部からレチクルサイズ、露光可能
領域、露光経路、露光順序等の制約条件が入力されると
（ステップ２１）、ＣＰＵ１は前記ショット分割・カバ
ーパターン作成プログラム７に基づいて作成された各シ
ョット毎のマージン領域Ｍ１〜Ｍ４のパターンのパネル
上での配置位置を磁気ディスク装置４から読み出す（ス
テップ２２）。
【００３５】次いで、ＣＰＵ１は読み出した各ショット
を、露光経路、露光順序等の条件と、レチクルサイズ及
び露光可能領域等の条件に基づいて、レチクル上での配
置を決定し（ステップ２３）、レチクル上でのショット
配置データとして磁気ディスク装置４に格納する（ステ
ップ２４）。
を、露光経路、露光順序等の条件と、レチクルサイズ及
び露光可能領域等の条件に基づいて、レチクル上での配
置を決定し（ステップ２３）、レチクル上でのショット
配置データとして磁気ディスク装置４に格納する（ステ
ップ２４）。
【００３６】図７に示すように、例えば液晶パネルのフ
レームを９種類のショットＡ〜Ｉで１６分割した場合に
おけるステップ２１〜２４の動作を説明する。同図に矢
印で示すように、各ショットＡ〜Ｉを順次露光する場合
には、図８（ａ）に示すように、第一のレチクル１３に
ショットＣ，Ｆ，Ｉ，Ｈ，Ｅ，Ｂを露光順序に従って配
置したレチクルパターンデータと、第二のレチクル１４
にショットＧ，Ｄ，Ａを露光順序に従って配置したレチ
クルパターンデータを磁気ディスク装置４に出力する。
レームを９種類のショットＡ〜Ｉで１６分割した場合に
おけるステップ２１〜２４の動作を説明する。同図に矢
印で示すように、各ショットＡ〜Ｉを順次露光する場合
には、図８（ａ）に示すように、第一のレチクル１３に
ショットＣ，Ｆ，Ｉ，Ｈ，Ｅ，Ｂを露光順序に従って配
置したレチクルパターンデータと、第二のレチクル１４
にショットＧ，Ｄ，Ａを露光順序に従って配置したレチ
クルパターンデータを磁気ディスク装置４に出力する。
【００３７】次に、上記のようなパターン設計装置によ
る設計工程を図９に従って説明する。まず、設定された
製品仕様に基づいて、ディスプレイ装置２上において設
計者により液晶パネル全体のパネルイメージの検討が行
われる（ステッ３１）。
る設計工程を図９に従って説明する。まず、設定された
製品仕様に基づいて、ディスプレイ装置２上において設
計者により液晶パネル全体のパネルイメージの検討が行
われる（ステッ３１）。
【００３８】次いで、パネルイメージに基づいて、パタ
ーン作成プログラム５によりパネル全体パターンが作成
され（ステッ３２）、パターン検証プログラム６に基づ
いて作成された全体パターンの検証及び検図が行われる
（ステッ３３）。
ーン作成プログラム５によりパネル全体パターンが作成
され（ステッ３２）、パターン検証プログラム６に基づ
いて作成された全体パターンの検証及び検図が行われる
（ステッ３３）。
【００３９】ここで、全体パターンに異常が検出される
と、ステップ３２〜３４が繰り返されて、正常な全体パ
ターンが作成される。次いで、全体パターンを露光単位
毎に分割するショット分割の検討及びレチクル構成の検
討がディスプレイ装置２上で設計者により行われる（ス
テップ３５，３６）。
と、ステップ３２〜３４が繰り返されて、正常な全体パ
ターンが作成される。次いで、全体パターンを露光単位
毎に分割するショット分割の検討及びレチクル構成の検
討がディスプレイ装置２上で設計者により行われる（ス
テップ３５，３６）。
【００４０】次いで、ショット分割・カバーパターン作
成プログラム７に基づいて、各ショット毎のマージン領
域内のパターンが生成され（ステップ３７）、ショット
配置プログラム９により各ショットがレチクル上に配置
されて、レチクルパターンデータが作成される（ステッ
プ３８）。
成プログラム７に基づいて、各ショット毎のマージン領
域内のパターンが生成され（ステップ３７）、ショット
配置プログラム９により各ショットがレチクル上に配置
されて、レチクルパターンデータが作成される（ステッ
プ３８）。
【００４１】次いで、作成されたレチクルパターンデー
タが磁気ディスク装置４に出力されて（ステップ３
９）、レチクルパターンの作成が終了する。上記のよう
なパターン設計装置では、以下に示す作用効果を得るこ
とができる。 （１）ショット分割、カバーパターンの作成に先立っ
て、パネル全体パターンの作成と、検証及び検図が行わ
れるので、パネル全体パターンの不具合を解消した後に
ショット分割を行うことができる。 （２）この結果、ショット分割を行った後に、パターン
修正を行う必要がないので、レチクルパターンの作成を
短期間に効率よく行うことができる。 （３）ショット分割、カバーパターンの作成に先立っ
て、パネル全体パターンが作成されるので、全体パター
ン内に繰り返しパターンや類似パターンが存在する場合
には、その繰り返しパターンや類似パターンを利用し
て、全体パターンを効率よく作成することができる。 （４）パネル全体パターンを作成した後に、ショット分
割を行うので、露光装置の変更などによりショットサイ
ズを変更する場合にも、同一のパネル全体パターンに基
づいてショット分割を速やかに行うことができるので、
ショットサイズの変更に伴うレチクルパターンの再作成
を効率よく行うことができる。 （５）ショット配置プログラムにより、各ショットのサ
イズ及びレチクルサイズと、各ショットの露光順序に基
づいて、レチクルパターンを容易に作成することができ
る。
タが磁気ディスク装置４に出力されて（ステップ３
９）、レチクルパターンの作成が終了する。上記のよう
なパターン設計装置では、以下に示す作用効果を得るこ
とができる。 （１）ショット分割、カバーパターンの作成に先立っ
て、パネル全体パターンの作成と、検証及び検図が行わ
れるので、パネル全体パターンの不具合を解消した後に
ショット分割を行うことができる。 （２）この結果、ショット分割を行った後に、パターン
修正を行う必要がないので、レチクルパターンの作成を
短期間に効率よく行うことができる。 （３）ショット分割、カバーパターンの作成に先立っ
て、パネル全体パターンが作成されるので、全体パター
ン内に繰り返しパターンや類似パターンが存在する場合
には、その繰り返しパターンや類似パターンを利用し
て、全体パターンを効率よく作成することができる。 （４）パネル全体パターンを作成した後に、ショット分
割を行うので、露光装置の変更などによりショットサイ
ズを変更する場合にも、同一のパネル全体パターンに基
づいてショット分割を速やかに行うことができるので、
ショットサイズの変更に伴うレチクルパターンの再作成
を効率よく行うことができる。 （５）ショット配置プログラムにより、各ショットのサ
イズ及びレチクルサイズと、各ショットの露光順序に基
づいて、レチクルパターンを容易に作成することができ
る。
【００４２】
【発明の効果】以上詳述したように、この発明はパター
ンの修正及び変更を行う場合にも、レチクルパターンを
迅速に作成し得るパターン設計方法及び設計装置を提供
することができる。
ンの修正及び変更を行う場合にも、レチクルパターンを
迅速に作成し得るパターン設計方法及び設計装置を提供
することができる。
【図１】 一実施の形態のパターン設計装置を示すブロ
ック図である。
ック図である。
【図２】 パネル全体パターンを示す説明図である。
【図３】 ショット分割を示す説明図である。
【図４】 カバーパターンの作成動作を示すフローチャ
ート図である。
ート図である。
【図５】 カバーパターンの作成動作を示す説明図であ
る。
る。
【図６】 ショット配置動作を示すフローチャート図で
ある。
ある。
【図７】 露光順序を示す説明図である。
【図８】 レチクル上のショット配置を示す説明図であ
る。
る。
【図９】 パターン設計動作を示すフローチャート図で
ある。
ある。
【図１０】パネルイメージ及びショット分割を示す説明
図である。
図である。
【図１１】従来のパターン設計動作を示すフローチャー
ト図である。
ト図である。
１ ＣＰＵ ４ 磁気ディスク装置 ５ パターン作成プログラム ６ パターン検証プログラム ７ ショット分割・カバーパターン作成プログラ
ム ８ ショット配置プログラム １１ 回路全体パターン Ｓ１〜Ｓ４ 分割パターン
ム ８ ショット配置プログラム １１ 回路全体パターン Ｓ１〜Ｓ４ 分割パターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 滝沢 英明 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 太田 和俊 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 回路全体パターンを作成し、該回路全体
パターンの検証を行い、次いで該回路全体パターンを複
数のショットに分割した分割パターンを生成し、該ショ
ット毎のパターンに基づいて複数のレチクルパターンを
生成することを特徴とするパターン設計方法。 - 【請求項２】 前記ショット分割とともに、各ショット
の多重露光部のカバーパターンを作成することを特徴と
する請求項１記載のパターン設計方法。 - 【請求項３】 レチクルサイズ及び露光順序に基づい
て、前記分割パターンを順次組み合わせてレチクルパタ
ーンを作成することを特徴とする請求項１乃至２のいず
れかに記載のパターン設計方法。 - 【請求項４】 回路全体パターンを作成するパターン作
成手段と、 前記回路全体パターンを検証する検証手段と、 前記回路全体パターンをショット毎に分割するショット
分割手段と、 前記各分割ショットの多重露光部のカバーパターンを作
成するカバーパターン作成手段と、 前記各分割ショットを露光順序に基づいて組み合わせ
て、レチクルパターンを作成するレチクルパターン作成
手段とを備えたことを特徴とするパターン設計装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28048897A JPH11119410A (ja) | 1997-10-14 | 1997-10-14 | パターン設計方法及びパターン設計装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28048897A JPH11119410A (ja) | 1997-10-14 | 1997-10-14 | パターン設計方法及びパターン設計装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11119410A true JPH11119410A (ja) | 1999-04-30 |
Family
ID=17625786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28048897A Pending JPH11119410A (ja) | 1997-10-14 | 1997-10-14 | パターン設計方法及びパターン設計装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11119410A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003005218A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-08 | Toshiba Corp | 液晶表示装置の製造方法及びマスク製造装置 |
| JP2003005346A (ja) * | 2001-06-21 | 2003-01-08 | Toshiba Corp | マスク製造方法及びマスク製造装置 |
| KR100502794B1 (ko) * | 1997-12-06 | 2005-10-14 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치의 패널 제조 방법 |
| JP2006119275A (ja) * | 2004-10-20 | 2006-05-11 | Sony Corp | 露光マスクの製造方法および当該露光マスク、ならびに、半導体デバイスの製造方法 |
| JP2008304716A (ja) * | 2007-06-07 | 2008-12-18 | Jedat Inc | レチクル設計システム及びプログラム |
| KR101041263B1 (ko) * | 2007-09-04 | 2011-06-14 | 가부시키가이샤 지닷토 | 레티클 검증 시스템 및 프로그램이 기록된 기록매체 |
-
1997
- 1997-10-14 JP JP28048897A patent/JPH11119410A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100502794B1 (ko) * | 1997-12-06 | 2005-10-14 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치의 패널 제조 방법 |
| JP2003005346A (ja) * | 2001-06-21 | 2003-01-08 | Toshiba Corp | マスク製造方法及びマスク製造装置 |
| JP2003005218A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-08 | Toshiba Corp | 液晶表示装置の製造方法及びマスク製造装置 |
| JP2006119275A (ja) * | 2004-10-20 | 2006-05-11 | Sony Corp | 露光マスクの製造方法および当該露光マスク、ならびに、半導体デバイスの製造方法 |
| JP4524604B2 (ja) * | 2004-10-20 | 2010-08-18 | ソニー株式会社 | 露光マスクの製造方法および当該露光マスク、ならびに、半導体デバイスの製造方法 |
| JP2008304716A (ja) * | 2007-06-07 | 2008-12-18 | Jedat Inc | レチクル設計システム及びプログラム |
| KR101041263B1 (ko) * | 2007-09-04 | 2011-06-14 | 가부시키가이샤 지닷토 | 레티클 검증 시스템 및 프로그램이 기록된 기록매체 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4999013B2 (ja) | 集積化されたｏｐｃ検証ツール | |
| US20030177465A1 (en) | Using a suggested solution to speed up a process for simulating and correcting an integrated circuit layout | |
| US20100023914A1 (en) | Use Of Graphs To Decompose Layout Design Data | |
| US20120047479A1 (en) | Incremental Layout Analysis | |
| KR20010024116A (ko) | 데이터 계층 레이아웃 교정 및 검증 방법과, 그 장치들 | |
| JPH11119410A (ja) | パターン設計方法及びパターン設計装置 | |
| US5095511A (en) | Apparatus for verifying pattern data used in a step-and-repeat process for producing the same patterns regularly arranged on a substance | |
| US20020108098A1 (en) | Method for correcting optical proximity effects | |
| US20140195994A1 (en) | Defective artifact removal in photolithography masks corrected for optical proximity | |
| KR101041263B1 (ko) | 레티클 검증 시스템 및 프로그램이 기록된 기록매체 | |
| JPH11174659A (ja) | マスクパタン検証装置とその方法、および、マスクパタン補正装置とその方法 | |
| JP7238218B2 (ja) | マスクパターン製造装置及びマスクパターン製造方法 | |
| JP2003149787A (ja) | レベンソン位相シフトマスク及びこれを用いた微細パターン形成方法 | |
| JPH10335205A (ja) | 半導体集積回路のパターン設計方法 | |
| JP5142952B2 (ja) | フォトマスクのパターン補正方法及び製造方法、半導体装置の製造方法、パターン補正装置、並びにプログラム | |
| JP5459647B2 (ja) | パターンシミュレーション方法、その装置、および、そのプログラム | |
| JP2005300999A (ja) | パターンシミュレーション方法、そのプログラム、そのプログラムを記録した媒体、およびその装置 | |
| JP3592098B2 (ja) | マスクパターン作成方法および装置 | |
| US7127698B2 (en) | Method for reducing reticle set cost | |
| JP2008304716A (ja) | レチクル設計システム及びプログラム | |
| JP3630243B2 (ja) | プリント板設計チェック処理装置 | |
| JPH10319572A (ja) | ハーフトーン位相シフトマスクの製造方法 | |
| JP2006317529A (ja) | パターンレイアウト方法、その装置およびそのプログラム | |
| JPH07254012A (ja) | 露光データ作成方法及びその装置 | |
| JP2008268688A (ja) | パターンシミュレーション方法、その装置、および、そのプログラム |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041008 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20050830 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070426 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080108 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20080108 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080513 |