JP5142952B2 - フォトマスクのパターン補正方法及び製造方法、半導体装置の製造方法、パターン補正装置、並びにプログラム - Google Patents
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Description
前記設計データに対して、第1パラメータを有する補正モデルに従って第1の光近接効果補正を少なくとも1回行うことにより、第1補正後データを生成する工程と、
前記第1補正後データに対して、前記第1の光近接効果補正とは前記第1パラメータの値を異ならせた前記補正モデルに従って第2の光近接効果補正を行うことにより、フォトマスクにおける実際のパターンを示す第2補正後データを生成する工程と、
を備え、
前記第2の光近接効果補正は、前記第1の光近接効果補正より補正量が少なく、
前記第1補正後データを生成する工程の前に、
テストパターンを示すテストデータを、前記第1パラメータの値を固定した上で前記補正モデルに従って繰り返し補正しつつ像計算を行うことにより、補正回数と補正後の前記テストパターンの像の大きさの関係を示す補正量データを生成する処理を、複数種類の前記テストデータそれぞれに対して前記第1パラメータの値を変えつつ行い、
前記テストパターンの像が必要な大きさに補正されるまでの補正回数である必要補正回数と前記第1パラメータの値との関係を示す必要補正回数データを生成する処理を、前記複数種類のテストデータそれぞれに対して行い、
前記第1パラメータの値それぞれごとに、前記テストデータのうち最も前記必要補正回数が多い前記テストデータを選択し、選択された前記テストデータの前記必要補正回数を選ぶ処理を、前記必要補正回数データを用いて行い、
前記選ばれた必要補正回数の前記第1パラメータに対する依存性を示すグラフを生成し、当該グラフにおいて前記選ばれた必要補正回数が極小値となる前記第1パラメータの値を、前記第1の光近接効果補正における前記第1パラメータの値にする工程を有するフォトマスクのパターン補正方法が提供される。
フォトマスクを用いて前記感光膜を露光する工程と、
露光後の前記感光膜を現像する工程と、
を備え、
前記フォトマスクが有する実パターンは、
フォトマスクのパターンを設計して設計データを生成する工程と、
前記設計データに対して、第1パラメータを有する補正モデルに従って第1の光近接効果補正を少なくとも1回行うことにより、第1補正後データを生成する工程と、
前記第1補正後データに対して、前記第1の光近接効果補正とは前記第1パラメータの値を異ならせた前記補正モデルに従って第2の光近接効果補正を行うことにより、前記実パターンを示す第2補正後データを生成する工程と、
を経て形成され、
前記第2の光近接効果補正は、前記第1の光近接効果補正より補正量が少なく、
前記フォトマスクが有する実パターンを形成するときに、前記第1補正後データを生成する工程の前に、
テストパターンを示すテストデータを、前記第1パラメータの値を固定した上で前記補正モデルに従って繰り返し補正しつつ像計算を行うことにより、補正回数と補正後の前記テストパターンの像の大きさの関係を示す補正量データを生成する処理を、複数種類の前記テストデータそれぞれに対して前記第1パラメータの値を変えつつ行い、
前記テストパターンの像が必要な大きさに補正されるまでの補正回数である必要補正回数と、前記第1パラメータの値との関係を示す必要補正回数データを生成する処理を、前記複数種類のテストデータそれぞれに対して行い、
前記第1パラメータの値それぞれごとに、前記テストデータのうち、最も前記必要補正回数が多い前記テストデータを選択し、選択された前記テストデータの前記必要補正回数を選ぶ処理を、前記必要補正回数データを用いて行い、
前記選ばれた必要補正回数の前記第1パラメータに対する依存性を示すグラフを生成し、当該グラフにおいて前記選ばれた必要補正回数が極小値となる前記第1パラメータの値を、前記第1の光近接効果補正における前記第1パラメータの値にする工程を有する半導体装置の製造方法が提供される。
前記設計データに対して、第1パラメータを有する補正モデルに従って第1の光近接効果補正を少なくとも1回行うことにより、第1補正後データを生成する工程と、
前記第1補正後データに対して、前記第1の光近接効果補正とは前記第1パラメータの値を異ならせた前記補正モデルに従って第2の光近接効果補正を行うことにより、フォトマスクにおける実際のパターンを示す第2補正後データを生成する工程と、
前記第2補正後データに従ってフォトマスクを製造する工程と、
を備え、
前記第2の光近接効果補正は、前記第1の光近接効果補正より補正量が少なく、
前記第1補正後データを生成する工程の前に、
テストパターンを示すテストデータを、前記第1パラメータの値を固定した上で前記補正モデルに従って繰り返し補正しつつ像計算を行うことにより、補正回数と補正後の前記テストパターンの像の大きさの関係を示す補正量データを生成する処理を、複数種類の前記テストデータそれぞれに対して前記第1パラメータの値を変えつつ行い、
前記テストパターンの像が必要な大きさに補正されるまでの補正回数である必要補正回数と前記第1パラメータの値との関係を示す必要補正回数データを生成する処理を、前記複数種類のテストデータそれぞれに対して行い、
前記第1パラメータの値それぞれごとに、前記テストデータのうち最も前記必要補正回数が多い前記テストデータを選択し、選択された前記テストデータの前記必要補正回数を選ぶ処理を、前記必要補正回数データを用いて行い、
前記選ばれた必要補正回数の前記第1パラメータに対する依存性を示すグラフを生成し、当該グラフにおいて前記選ばれた必要補正回数が極小値となる前記第1パラメータの値を、前記第1の光近接効果補正における前記第1パラメータの値にする工程を有するフォトマスクの製造方法が提供される。
テストパターンを示すテストデータを、前記第1パラメータの値を固定した上で前記補正モデルに従って繰り返し補正しつつ像計算を行うことにより、補正回数と補正後の前記テストパターンの像の大きさの関係を示す補正量データを生成する処理を、複数種類の前記テストデータそれぞれに対して前記第1パラメータの値を変えつつ行う補正量算出部と、
前記テストパターンの像が必要な大きさに補正されるまでの補正回数である必要補正回数と、前記第1パラメータの値との関係を示す必要補正回数データを生成する処理を、前記複数種類のテストデータそれぞれに対して行う必要補正回数算出部と、
前記第1パラメータの値それぞれごとに、前記テストデータのうち、最も前記必要補正回数が多い前記テストデータを選択し、選択された前記テストデータの前記必要補正回数を選ぶ処理を、前記必要補正回数データを用いて行い、前記選ばれた必要補正回数の前記第1パラメータに対する依存性を示すグラフを生成し、当該グラフにおいて前記選ばれた必要補正回数が極小値となる前記第1パラメータの値を、前記光近接効果補正における前記第1パラメータの値にするパラメータ算出部と、
を備えるパターン補正装置が提供される。
テストパターンを示すテストデータを、前記第1パラメータの値を固定した上で前記補正モデルに従って繰り返し補正しつつ像計算を行うことにより、補正回数と補正後の前記テストパターンの像の大きさの関係を示す補正量データを生成する処理を、複数種類の前記テストデータそれぞれに対して前記第1パラメータの値を変えつつ行う機能と、
前記テストパターンの像が必要な大きさに補正されるまでの補正回数である必要補正回数と、前記第1パラメータの値との関係を示す必要補正回数データを生成する処理を、前記複数種類のテストデータそれぞれに対して行う機能と、
前記第1パラメータの値それぞれごとに、前記テストデータのうち、最も前記必要補正回数が多い前記テストデータを選択し、選択された前記テストデータの前記必要補正回数を選ぶ処理を、前記必要補正回数データを用いて行い、前記選ばれた必要補正回数の前記第1パラメータに対する依存性を示すグラフを生成し、当該グラフにおいて前記選ばれた必要補正回数が極小値となる前記第1パラメータの値を、前記光近接効果補正における前記第1パラメータの値にする機能と、
を実現させるプログラムが提供される。
12 直線パターン
14 密集パターン
20 孤立パターン
100 入力部
110 補正モデル記憶部
200 テストパターン設計部
210 テストパターン記憶部
220 補正量算出部
230 必要補正回数算出部
240 パラメータ算出部
250 パラメータ記憶部
300 パターン設計部
310 パターン記憶部
320 パターン補正部
Claims (9)
- フォトマスクの設計パターンを示す設計データを取得する工程と、
前記設計データに対して、第1パラメータを有する補正モデルに従って第1の光近接効果補正を少なくとも1回行うことにより、第1補正後データを生成する工程と、
前記第1補正後データに対して、前記第1の光近接効果補正とは前記第1パラメータの値を異ならせた前記補正モデルに従って第2の光近接効果補正を行うことにより、フォトマスクにおける実際のパターンを示す第2補正後データを生成する工程と、
を備え、
前記第2の光近接効果補正は、前記第1の光近接効果補正より補正量が少なく、
前記第1補正後データを生成する工程の前に、
テストパターンを示すテストデータを、前記第1パラメータの値を固定した上で前記補正モデルに従って繰り返し補正しつつ像計算を行うことにより、補正回数と補正後の前記テストパターンの像の大きさの関係を示す補正量データを生成する処理を、複数種類の前記テストデータそれぞれに対して前記第1パラメータの値を変えつつ行い、
前記テストパターンの像が必要な大きさに補正されるまでの補正回数である必要補正回数と前記第1パラメータの値との関係を示す必要補正回数データを生成する処理を、前記複数種類のテストデータそれぞれに対して行い、
前記第1パラメータの値それぞれごとに、前記テストデータのうち最も前記必要補正回数が多い前記テストデータを選択し、選択された前記テストデータの前記必要補正回数を選ぶ処理を、前記必要補正回数データを用いて行い、
前記選ばれた必要補正回数の前記第1パラメータに対する依存性を示すグラフを生成し、当該グラフにおいて前記選ばれた必要補正回数が極小値となる前記第1パラメータの値を、前記第1の光近接効果補正における前記第1パラメータの値にする工程を有するフォトマスクのパターン補正方法。 - 請求項1に記載のフォトマスクのパターン補正方法において、
前記補正モデルは、露光波長パラメータ、開口数、コヒーレンシ・ファクタをパラメータとして有しており、
前記第1パラメータは、前記コヒーレンシ・ファクタであるフォトマスクのパターン補正方法。 - 請求項1又は2に記載のフォトマスクのパターン補正方法において、
前記複数種類のテストパターンデータが示す複数種類のテストパターンは、
孤立したパターンを一つ有する単独パターンと、
孤立したパターンを複数直線に沿って配置した直線パターンと、
孤立したパターンを複数等間隔で2次元的に配置した密集パターンと、
を含むフォトマスクのパターン補正方法。 - 請求項3に記載のフォトマスクのパターン補正方法において、
前記単独パターン、前記直線パターン、及び前記密集パターンそれぞれにおける孤立したパターンは、正方形であるフォトマスクのパターン補正方法。 - 請求項4に記載のフォトマスクのパターン補正方法において、
前記正方形の辺の長さは、前記設計パターンにおける最小デザインルールに定められた配線幅の最小値であり、
前記直線パターン及び前記密集パターンにおける前記正方形の配置間隔は、前記最小デザインルールに定められた配線の配置間隔の最小値であるフォトマスクのパターン補正方法。 - 感光膜を形成する工程と、
フォトマスクを用いて前記感光膜を露光する工程と、
露光後の前記感光膜を現像する工程と、
を備え、
前記フォトマスクが有する実パターンは、
フォトマスクのパターンを設計して設計データを生成する工程と、
前記設計データに対して、第1パラメータを有する補正モデルに従って第1の光近接効果補正を少なくとも1回行うことにより、第1補正後データを生成する工程と、
前記第1補正後データに対して、前記第1の光近接効果補正とは前記第1パラメータの値を異ならせた前記補正モデルに従って第2の光近接効果補正を行うことにより、前記実パターンを示す第2補正後データを生成する工程と、
を経て形成され、
前記第2の光近接効果補正は、前記第1の光近接効果補正より補正量が少なく、
前記フォトマスクが有する実パターンを形成するときに、前記第1補正後データを生成する工程の前に、
テストパターンを示すテストデータを、前記第1パラメータの値を固定した上で前記補正モデルに従って繰り返し補正しつつ像計算を行うことにより、補正回数と補正後の前記テストパターンの像の大きさの関係を示す補正量データを生成する処理を、複数種類の前記テストデータそれぞれに対して前記第1パラメータの値を変えつつ行い、
前記テストパターンの像が必要な大きさに補正されるまでの補正回数である必要補正回数と、前記第1パラメータの値との関係を示す必要補正回数データを生成する処理を、前記複数種類のテストデータそれぞれに対して行い、
前記第1パラメータの値それぞれごとに、前記テストデータのうち、最も前記必要補正回数が多い前記テストデータを選択し、選択された前記テストデータの前記必要補正回数を選ぶ処理を、前記必要補正回数データを用いて行い、
前記選ばれた必要補正回数の前記第1パラメータに対する依存性を示すグラフを生成し、当該グラフにおいて前記選ばれた必要補正回数が極小値となる前記第1パラメータの値を、前記第1の光近接効果補正における前記第1パラメータの値にする工程を有する半導体装置の製造方法。 - フォトマスクの設計パターンを示す設計データを取得する工程と、
前記設計データに対して、第1パラメータを有する補正モデルに従って第1の光近接効果補正を少なくとも1回行うことにより、第1補正後データを生成する工程と、
前記第1補正後データに対して、前記第1の光近接効果補正とは前記第1パラメータの値を異ならせた前記補正モデルに従って第2の光近接効果補正を行うことにより、フォトマスクにおける実際のパターンを示す第2補正後データを生成する工程と、
前記第2補正後データに従ってフォトマスクを製造する工程と、
を備え、
前記第2の光近接効果補正は、前記第1の光近接効果補正より補正量が少なく、
前記第1補正後データを生成する工程の前に、
テストパターンを示すテストデータを、前記第1パラメータの値を固定した上で前記補正モデルに従って繰り返し補正しつつ像計算を行うことにより、補正回数と補正後の前記テストパターンの像の大きさの関係を示す補正量データを生成する処理を、複数種類の前記テストデータそれぞれに対して前記第1パラメータの値を変えつつ行い、
前記テストパターンの像が必要な大きさに補正されるまでの補正回数である必要補正回数と前記第1パラメータの値との関係を示す必要補正回数データを生成する処理を、前記複数種類のテストデータそれぞれに対して行い、
前記第1パラメータの値それぞれごとに、前記テストデータのうち最も前記必要補正回数が多い前記テストデータを選択し、選択された前記テストデータの前記必要補正回数を選ぶ処理を、前記必要補正回数データを用いて行い、
前記選ばれた必要補正回数の前記第1パラメータに対する依存性を示すグラフを生成し、当該グラフにおいて前記選ばれた必要補正回数が極小値となる前記第1パラメータの値を、前記第1の光近接効果補正における前記第1パラメータの値にする工程を有するフォトマスクの製造方法。 - フォトマスクのパターンに対して、第1パラメータを有する補正モデルに従って光近接効果補正を行うパターン補正装置であって、
テストパターンを示すテストデータを、前記第1パラメータの値を固定した上で前記補正モデルに従って繰り返し補正しつつ像計算を行うことにより、補正回数と補正後の前記テストパターンの像の大きさの関係を示す補正量データを生成する処理を、複数種類の前記テストデータそれぞれに対して前記第1パラメータの値を変えつつ行う補正量算出部と、
前記テストパターンの像が必要な大きさに補正されるまでの補正回数である必要補正回数と、前記第1パラメータの値との関係を示す必要補正回数データを生成する処理を、前記複数種類のテストデータそれぞれに対して行う必要補正回数算出部と、
前記第1パラメータの値それぞれごとに、前記テストデータのうち、最も前記必要補正回数が多い前記テストデータを選択し、選択された前記テストデータの前記必要補正回数を選ぶ処理を、前記必要補正回数データを用いて行い、前記選ばれた必要補正回数の前記第1パラメータに対する依存性を示すグラフを生成し、当該グラフにおいて前記選ばれた必要補正回数が極小値となる前記第1パラメータの値を、前記光近接効果補正における前記第1パラメータの値にするパラメータ算出部と、
を備えるパターン補正装置。 - フォトマスクのパターンに対して、第1パラメータを有する補正モデルに従って光近接効果補正を行うためのプログラムであって、コンピュータに、
テストパターンを示すテストデータを、前記第1パラメータの値を固定した上で前記補正モデルに従って繰り返し補正しつつ像計算を行うことにより、補正回数と補正後の前記テストパターンの像の大きさの関係を示す補正量データを生成する処理を、複数種類の前記テストデータそれぞれに対して前記第1パラメータの値を変えつつ行う機能と、
前記テストパターンの像が必要な大きさに補正されるまでの補正回数である必要補正回数と、前記第1パラメータの値との関係を示す必要補正回数データを生成する処理を、前記複数種類のテストデータそれぞれに対して行う機能と、
前記第1パラメータの値それぞれごとに、前記テストデータのうち、最も前記必要補正回数が多い前記テストデータを選択し、選択された前記テストデータの前記必要補正回数を選ぶ処理を、前記必要補正回数データを用いて行い、前記選ばれた必要補正回数の前記第1パラメータに対する依存性を示すグラフを生成し、当該グラフにおいて前記選ばれた必要補正回数が極小値となる前記第1パラメータの値を、前記光近接効果補正における前記第1パラメータの値にする機能と、
を実現させるプログラム。
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